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    • 1. 发明授权
    • 반도체 장치 제조 방법
    • KR102201092B1
    • 2021-01-11
    • KR1020140122856
    • 2014-09-16
    • 삼성전자주식회사
    • 이경우이우진김종삼유우경이영상허민
    • H01L21/336H01L21/306
    • 상부배선을형성하기위한트렌치공정에사용되는하드마스크를하부배선이손상되지않도록제거하여, 반도체소자의신뢰성및 성능을개선할수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은하부패턴을포함하는기판상에, 층간절연막및 제1 개구부를포함하는하드마스크패턴을순차적으로형성하고, 상기하드마스크패턴을이용하여, 상기층간절연막내에상기하부패턴을노출시키는트렌치를형성하고, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되는제1 부분과, 상기하드마스크패턴의상면을따라서형성되는제2 부분을포함하는라이너막을형성하고, 상기트렌치내에, 상기라이너막의제2 부분을노출시키는희생패턴을형성하고, 상기희생패턴을이용하여, 상기라이너막의제2 부분과, 상기하드마스크패턴을제거하고, 상기하드마스크패턴을제거한후, 상기희생패턴을제거하여상기라이너막의제1 부분을노출시키는것을포함한다.
    • 2. 发明公开
    • 반도체 장치 제조 방법
    • 制造半导体器件的方法
    • KR1020160032558A
    • 2016-03-24
    • KR1020140122856
    • 2014-09-16
    • 삼성전자주식회사
    • 이경우이우진김종삼유우경이영상허민
    • H01L21/336H01L21/306
    • H01L21/76802H01L21/31144H01L21/76804H01L21/76811H01L21/76813H01L21/76814H01L21/76843H01L2221/1063
    • 상부배선을형성하기위한트렌치공정에사용되는하드마스크를하부배선이손상되지않도록제거하여, 반도체소자의신뢰성및 성능을개선할수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은하부패턴을포함하는기판상에, 층간절연막및 제1 개구부를포함하는하드마스크패턴을순차적으로형성하고, 상기하드마스크패턴을이용하여, 상기층간절연막내에상기하부패턴을노출시키는트렌치를형성하고, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되는제1 부분과, 상기하드마스크패턴의상면을따라서형성되는제2 부분을포함하는라이너막을형성하고, 상기트렌치내에, 상기라이너막의제2 부분을노출시키는희생패턴을형성하고, 상기희생패턴을이용하여, 상기라이너막의제2 부분과, 상기하드마스크패턴을제거하고, 상기하드마스크패턴을제거한후, 상기희생패턴을제거하여상기라이너막의제1 부분을노출시키는것을포함한다.
    • 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,其可以通过去除在沟槽工艺中使用的硬掩模来形成上部导线,从而提高半导体器件的可靠性和性能,从而不会损坏下一个 线。 制造半导体器件的方法包括以下步骤:在包括下部图案的衬底上依次形成层间绝缘膜和包括第一孔部的硬掩模图案; 通过使用硬掩模图案形成在层间绝缘膜中暴露下图案的沟槽; 形成包括沿着所述沟槽的侧壁和底板形成的第一部分的衬垫膜,以及沿着所述硬掩模图案的上平面形成的第二部分; 在沟槽中形成暴露衬垫膜的第二部分的牺牲图案; 以及通过使用牺牲图案去除衬垫膜的第二部分和硬掩模图案; 并且在去除硬掩模图案之后,通过去除牺牲图案来暴露衬垫膜的第一部分。