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1. 发明公开

KR1020170051085A 3차원 크랙 검출 구조물을 포함하는 반도체 장치 및 크랙 검출 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件包括三维裂纹检测结构和裂纹检测方法
公开(公告)号：KR1020170051085A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150153446
申请日：2015-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승섭 , 권혁준 , 임보탁
IPC分类号： H01L21/66 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/573 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L23/522 , H01L23/5283 , H01L23/585 , H01L29/4916 , H01L2224/0401 , H01L2924/1434
摘要： 반도체장치는, 반도체다이, 반도체집적회로및 3차원크랙검출구조물(three-dimensional crack detection structure)을포함한다. 상기반도체다이는중앙영역과상기중앙영역을둘러싸는주변영역을포함한다. 상기반도체집적회로는상기중앙영역에형성된다. 상기 3차원크랙검출구조물은수직방향으로확장되고상기중앙영역을둘러싸도록상기주변영역에환형으로형성된다. 상기반도체장치는수직방향으로확장되고반도체집적회로가형성되는중앙영역을둘러싸도록상기주변영역에환형으로형성되는 3차원크랙검출구조물을이용하여다양한경로의크랙침투를정밀하게검출할수 있다.
摘要翻译：半导体器件包括半导体管芯，半导体集成电路和三维裂缝检测结构。半导体管芯包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。半导体集成电路形成在中央区域中。三维裂缝检测结构在垂直方向上延伸并且环绕地形成在外围区域中以围绕中心区域。通过使用环形形成在周边区域中的三维裂缝检测结构以围绕形成半导体集成电路的中心区域，半导体器件可以精确地检测各种路径的裂纹渗透。

2. 发明公开

KR1020140109222A 반도체 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020140109222A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130098089
申请日：2013-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승섭 , 권혁준
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： The present invention is to provide a semiconductor memory device. In the device, the critical size of a gate pattern is prevented from changing when forming gate patterns on a sense amplifier area, as the gate patterns in a conjunction area are lengthily formed in the direction identical to the gate patterns arranged at least on the sense amplifier area. Hence, an electrical characteristic of the sense amplifier is prevented from being debased.
摘要翻译：本发明是提供一种半导体存储器件。在器件中，当在读出放大器区域上形成栅极图案时，防止栅极图案的临界尺寸改变，因为连接区域中的栅极图案在与至少在感测上排列的栅极图案相同的方向上长度形成放大器区域。因此，可以防止读出放大器的电气特性下降。

3. 发明授权

KR100408509B1 마이크로자이로스코프 失效
公开(公告)号：KR100408509B1
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1019960051833
申请日：1996-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백석순 , 이승섭 , 송기무
IPC分类号： G01C19/00
摘要： PURPOSE: A micro gyroscope is provided to secure a new tuning structure not changing a vibration mode even if production errors of an inertial mass are generated, by forming a supporting beam for supporting the inertial mass into a single beam. CONSTITUTION: A micro gyroscope is composed of a substrate; a plurality of inertial masses(301a,301b,301c) for floating on the substrate and vibrating in parallel and vertically to the substrate; a pair of supporting beams(302) extended at both sides of the inertial mass to support the inertial mass to float; anchors for propping up the supporting beams, respectively; an exciting device for generating electrostatic force and vertically vibrating the inertial masses in parallel to the substrate and vertically to the extended direction of the supporting beam; and a sensing device for sensing input angular velocity. The supporting beams are in a pair and a single beam straightly arranged to mutually tune vibrations of plural inertial masses.

4. 发明公开

KR1019980031961A 마이크로자이로스코프 失效
公开(公告)号：KR1019980031961A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051833
申请日：1996-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백석순 , 이승섭 , 송기무
IPC分类号： G01C19/00
摘要： 본 발명은 주파수 특성 및 응답의 선형성이 향상된 새로운 튜닝 구조물을 이용한 마이크로자이로스코프에 관한 것이다. 본 발명에 따른 새로운 튜닝 구조의 마이크로자이로스코프는 관성 질량체을 지지하는 지지빔을 일자형의 단일빔 형태로 제작함으로써, 관성 질량체의 제작 오차가 발생하더라도 진동 모드가 변하지 않는 새로운 튜닝 구조를 이룬다. 따라서, 자이로스코프의 성능이 제작오차 등에 영향을 받지 않을 뿐 만 아니라 제작 오차에 의해서 생긴 에러를 보정하기 위하여 가진 및 감지회로가 복잡해지는 것을 막을수 있다. 또한 관성 질량체의 감지 진동이 감지 전극에 평행하므로 각속도 측정시 비선형성을 줄일 수 있는 효과가 있다.

5. 发明公开

KR1019980031902A 실리콘 웨이퍼 새도우 마스크 및 이를 이용한 가속도 센서 구조물의 질량 증가 방법 失效
标题翻译：硅晶圆荫罩及使用其的加速度传感器结构的质量增加方法
公开(公告)号：KR1019980031902A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051467
申请日：1996-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승섭 , 안승도 , 송기무
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 새도우 마스크 및 이를 이용한 가속도 센서 구조물의 질량 증가 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가속도 센서 구조물의 질량 증가 방법은 센서 구조물의 질량이 작으면 가속도에 대한 변위가 작아져서 가속도 감지 능력이 감소되는 것을 실리콘 웨이퍼 새도우 마스크를 이용하여 비중이 높은 금속을 증착하여 센서 구조물의 질량을 증가시킴으로써, 가속도에 대한 센서 구조물의 변위를 증가시켜 감도를 향상시킨다. 또한, 실리콘 웨이퍼 새도우 마스크 제작 방법은 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각법으로 식각하여 정렬 패턴 및 금속을 증착할 패턴을 만들어 타겟 웨이퍼의 가속도 센서 구조물에 비중이 높은 금속을 용이하게 증착할 수 있는 잇점이 있다. 이와 같이, 본 발명은 마이크로머시닝 기술을 이용하여 저가격으로 대량 생산될 수 있다.

6. 发明授权

KR101422093B1 ＴＭＲ 소자를 이용한 ＡＤ 컨버터 有权
标题翻译：使用隧道磁阻器件的模数转换器
公开(公告)号：KR101422093B1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：KR1020070102002
申请日：2007-10-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 홍영택 , 권상욱 , 이강원 , 이석우 , 이필립 , 송인상 , 이승섭
IPC分类号： H03M1/12
CPC分类号： H03M1/361
摘要： AD 컨버터가 제공된다. 본 AD 컨버터는, 아날로그 입력신호에 따라 전류가 흐르는 적어도 하나의 전극들에 의해 발생되는 자기장에 따라 저항이 변하는 적어도 하나의 TMR 소자들의 저항값에 따라 디지털 출력값을 결정한다. 이에 따라, 보다 낮은 전력을 소모하면서 고 분해능과 고 스피드를 구현할 수 있는 AD 컨버터를 제공할 수 있게 된다.
TMR, 자기장, AD 컨버터, 저항

7. 发明授权

KR100923296B1 마이크로 폰 및 스피커로 사용되는 멤스(ＭＥＭＳ) 소자및 그 제조 방법 失效
标题翻译：用作麦克风和扬声器的MEMS器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100923296B1
公开(公告)日：2009-10-23
申请号：KR1020020015384
申请日：2002-03-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최승호 , 김상룡 , 고상춘 , 이승섭
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127
摘要： 마이크로 폰 및 스피커로 사용되는 멤스(MEMS) 소자 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 관통홀이 형성된 기판과, 상기 관통홀을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 멤브레인(membrane)과, 상기 멤브레인 상에 형성되어 있되, 상하로 분리된 하부 및 상부전극과, 상기 하부 및 상부전극사이에 구비되어 양자의 접촉을 방지하는 절연막 및 상기 절연막과 상기 상부전극사이에 구비된 압전 물질막을 구비하고, 상기 하부전극은 분리된 제1 및 제2 하부전극으로 구성되며, 상기 제1 하부전극은 상기 제2 하부전극을 둘러싸는 형태로 구비된 것을 특징으로 하는 멤스 소자와 그 제조 방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면 내구성이 높고 외부 환경에 대한 시스템의 안정성이 높은 소자를 얻을 수 있고, 이러한 소자가 적용되는 장치를 보다 소형화할 수 있고, 상기 장치에 다른 기능을 갖는 소자가 마련될 수 있는 여분의 공간을 제공하여 동일한 부피를 갖는 다른 장치에 비해 기능을 다양하게 하거나 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 마이크로폰 및 스피커를 단일 공정으로 동시에 형성할 수 있을 뿐 아니라, 공정이 단순하여 생산성을 높일 수 있다.

8. 发明公开

KR1020090036775A 프로브의 터널링 효과를 이용한 ＡＤ 컨버터 有权
标题翻译：一种使用探测器隧道效应的模拟数字转换器
公开(公告)号：KR1020090036775A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020070102012
申请日：2007-10-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 홍영택 , 권상욱 , 이강원 , 이석우 , 이필립 , 송인상 , 이승섭
IPC分类号： H03M1/12
CPC分类号： H03M1/002 , H03M1/361
摘要： An A/D converter is provided to determine a digital output value according to the current flowing between probes and electrodes. An A/D converter includes a plurality of probes(101-115), a plurality of electrodes(151-165) and a digital signal generator(180). The input voltage is applied to the plurality of probes. The plurality of probes are arranged in one side of a conductive plate(130). The plurality of probes have the different length. The plurality of electrodes are arranged in one side of the medium(170) in a row. The digital signal generator determines the digital output value according to the current flowing between the probes and electrodes. If the A/D convert is an N-bit converter, the number of probes is 2N-1. If the A/D converter is an N-bit converter, the number of electrodes is 2N-1.
摘要翻译：提供A / D转换器以根据探针和电极之间的电流来确定数字输出值。 A / D转换器包括多个探针（101-115），多个电极（151-165）和数字信号发生器（180）。输入电压施加到多个探针。多个探针布置在导电板（130）的一侧中。多个探头具有不同的长度。多个电极被一排排列在介质（170）的一侧。数字信号发生器根据探针和电极之间的电流来确定数字输出值。如果A / D转换是N位转换器，则探针数为2N-1。如果A / D转换器是N位转换器，则电极数为2N-1。

9. 发明授权

KR100408529B1 시소형정전구동마이크로자이로스코우프 失效
公开(公告)号：KR100408529B1
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1019960051456
申请日：1996-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승도 , 이승섭 , 송기무
IPC分类号： G01C19/00
摘要： PURPOSE: A seesaw-shape electrostatic drive micro gyroscope is provided to amplify and transmit Coriolis force and accordingly improve the sensing capacity for angular velocity by seesawing suspended structures of large and small masses if the mass of the suspended structure is small, the Coriolis force is reduce, and then sensing capacity is decreased. CONSTITUTION: A seesaw-shape electrostatic drive micro gyroscope is composed of first and second structures(1a,2b) driven in a seesaw type toward a third axis vertical to a substrate for forming a plane comprising a first axis and a second axis crossing the first axis of a rectangular coordinate to incline the center of gravity to one side and amplify and transmit displacement to the third axis; a first supporting beam for supporting the first suspended structure; a first fixing device for fixing the first supporting beam; a second supporting beam for connecting the first and second suspended structures; an exciting device for exciting the first suspended structure to the first axis; an angular velocity sensing device arranged on the substrate right under the first and second suspended structures to sense that the two suspended structures are displaced toward the third axis when rotary power around the second axis is generated; and a second fixing device connected to the center of gravity of the first and second suspended structures of the second supporting beam to reduce sensitivity for acceleration.

10. 发明公开

KR1019980083156A 마이크로구조물 제조방법 无效
标题翻译：微结构制造方法
公开(公告)号：KR1019980083156A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970018323
申请日：1997-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승섭 , 안승도 , 송기무
IPC分类号： G01C19/00
摘要： 본 발명은 실리콘과 내열 유리(pyrex glass; 상품명)와의 양극 접합(anodic bonding) 기술, Deep RIE etching 기술, Bulk etching 기술 등 초미세 가공 기술을 이용하여 두꺼운 마이크로구조물(MEMS; Micro Electro Mechanical System)을 제조하는 마이크로구조물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로구조물의 제조 방법은, 마이크로구조물용 실리콘 기판을 선택적으로 식각하여 예비 마이크로구조물을 형성하는 단계; 유리 기판에 상기 예비 마이크로구조물의 도전막에 대응하는 전극을 형성하는 단계; 상기 전극이 형성된 유리 기판에 상기 예비 마이크로구조물을 접착하는 단계; 및 상기 예비 마이크로구조물의 홈이 노출되도록 불필요한 실리콘 기판부를 제거하여 상기 마이크로구조물을 완성하는 단계;를 포함한다. 따서, 마이크로구조물의 재료로 가공안된 실리콘 웨이퍼 자체를 이용하므로 잔류응력과 같은 문제가 존재하지 않으며, 다른 여러 가지 기계적 특성도 사용하는 웨이퍼를 한정하게 되면 항상 일정하게 된다. 따라서 마이크로구조물의 안정된 기계적 특성을 도모할 수 있다.

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