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2. 发明公开

KR1020160012871A 열전 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：热电元件及其制造方法和包括其的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160012871A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140166117
申请日：2014-11-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김광호 , 양준혁 , 고형종 , 김세기 , 박호진 , 안세라
IPC分类号： H01L35/04 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/04 , H01L35/34
摘要： 열전소자는반도체기판, 복수의제1 및제2 반도체핀 구조들, 복수의제1 및제2 반도체나노와이어들및 제1 내지제3 전극들을포함한다. 제1 및제2 반도체핀 구조들은반도체기판으로부터돌출되고, 제1 방향으로연장된다. 제1 반도체나노와이어들은제1 반도체핀 구조들상에형성되고, 제1 불순물들을포함한다. 제2 반도체나노와이어들은제2 반도체핀 구조들상에형성되고, 제2 불순물들을포함한다. 제1 전극은제1 반도체나노와이어들의일 단들및 제2 반도체나노와이어들의일 단들과연결된다. 제2 전극은제1 반도체나노와이어들의타 단들과연결된다. 제3 전극은제2 반도체나노와이어들의타 단들과연결된다.
摘要翻译：热电元件包括半导体衬底，多个第一和第二半导体鳍结构; 多个第一和第二半导体纳米线; 和第一至第三电极。第一和第二半导体鳍片结构从半导体衬底突出并沿第一方向延伸。第一半导体纳米线形成在第一半导体鳍结构上并且包括第一杂质。第二半导体纳米线形成在第二半导体鳍结构上，并且包括第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的一端和第二半导体纳米线的一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的另一端。第三电极连接到第二半导体纳米线的另一端。本发明的目的是提供热电元件有效地分配半导体器件内产生的热量。

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