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1. 发明授权

KR101982279B1 고밀도 계면 미스핏 전위를 갖는 열전소재, 및 이를 구비한 열전소자와 열전모듈 有权
公开(公告)号：KR101982279B1
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：KR1020120044666
申请日：2012-04-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상일 , 이규형 , 황성우 , 안경한
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34

2. 发明公开

KR1020150052679A 자성 재료 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：磁性材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150052679A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130134387
申请日：2013-11-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강영재 , 문경석 , 안경한 , 코롤레프드미트리 , 슈토프빅토르 , 이상목
IPC分类号： H01F41/02 , H01F1/10
摘要： 페라이트원료물질들을혼합하여원료혼합물을준비하는단계, 상기원료혼합물을하소하여페라이트를형성하는단계, 상기페라이트를조분쇄하는단계, 상기조분쇄된페라이트에상기조분쇄된페라이트 100 중량부에대하여 1.5 중량부이하의카본을첨가하고미분쇄하는단계, 상기미분쇄된페라이트를자장중 건식성형하는단계, 그리고소결하는단계를포함하는자성재료의제조방법및 상기방법으로얻은자성재료에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造磁性材料的方法，该方法包括以下步骤：将铁素体原料混合，得到原料混合物; 煅烧原料混合物形成铁素体; 粗磨铁素体; 向100重量份的研磨铁素体中加入1.5重量份以下的碳，并对该混合物进行细磨; 在磁场内干燥形成精细研磨的铁素体，并烧结混合物，以及由其获得的磁性材料。

3. 发明公开

KR1020130121450A 고밀도 계면 미스핏 전위를 갖는 열전소재, 및 이를 구비한 열전소자와 열전모듈 审中-实审
标题翻译：具有高密度接口失真分离的热电材料和热电装置以及包含其的模块
公开(公告)号：KR1020130121450A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044666
申请日：2012-04-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상일 , 이규형 , 황성우 , 안경한
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/18 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/00 , C01P2002/01 , C01P2006/40 , H01L35/16
摘要： A thermoelectric material having high efficiency, a thermoelectric element including the same, and a thermoelectric element module are provided. The thermoelectric reduces specific thermal conductivity by forming grain boundary ego density interface misfit potential between a thermoelectric matrix and a metal additive or thermoelectric grain in order to be used for various thermoelectric devices.
摘要翻译：提供高效率的热电材料，包括该热电材料的热电元件和热电元件模块。通过在热电基体和金属添加剂或热电晶粒之间形成晶界自身密度界面失配电位以便用于各种热电器件，该热电降低了比热导率。

4. 发明授权

KR101959448B1 열전재료, 상기 열전재료를 이용한 열전소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101959448B1
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：KR1020110110051
申请日：2011-10-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이규형 , 황성우 , 김상일 , 이상목 , 안경한
IPC分类号： H01L35/12 , H01L35/34

5. 发明公开

KR1020130045683A 열전재료, 상기 열전재료를 이용한 열전소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：热电材料，热电装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130045683A
公开(公告)日：2013-05-06
申请号：KR1020110110051
申请日：2011-10-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이규형 , 황성우 , 김상일 , 이상목 , 안경한
IPC分类号： H01L35/12 , H01L35/34
CPC分类号： C01B19/002 , C01P2006/40 , H01L35/16
摘要： PURPOSE: A thermoelectric materials, a thermoelectric device and a method for manufacturing the same are provided to shift Fermi energy to a position where the effective mass of an electron increases, and improve thermoelectric performances. CONSTITUTION: Bi, Sb, M, Te, and Se are mixed to form a mixture of a preset composition ratio. The mixture is fused. The fused mixture is cooled to form an alloy of a preset composition. The alloy is pulverized. The pulverized alloy is sintered. The diameter of the pulverized alloy is 50 micron or less. [Reference numerals] (AA) Performance index, ZT; (BB) Temperature, T(K)
摘要翻译：目的：提供热电材料，热电装置及其制造方法，以将费米能量转移到电子有效质量增加的位置，并提高热电性能。构成：将Bi，Sb，M，Te和Se混合以形成预设组成比的混合物。混合物熔融。将熔融的混合物冷却以形成预设组合物的合金。将合金粉碎。粉碎的合金被烧结。粉碎合金的直径为50微米以下。（附图标记）（AA）性能指标ZT; （BB）温度，T（K）

6. 发明公开

KR1020130000969A 자기열효과물질 미세 분말 및 자기열효과물질 소재의 제조방법 有权
标题翻译：生产磁铁效应粉末和磁铁效应材料的方法
公开(公告)号：KR1020130000969A
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：KR1020110061801
申请日：2011-06-24
申请人： 삼성전자주식회사 , 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코
发明人： 권순재 , 다케노리누마자와 , 안경한 , 김현식
IPC分类号： C09K5/14 , C09K5/00
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a magnetocaloric material is provided to reduce heat-treatment temperature by using a halogenated metal as a metal source and to control the growth of magnetocaloric material particles. CONSTITUTION: A manufacturing method a magnetocaloric material comprises: a step(S110) of forming a mixture by mixing a source material of one or more metal selected from manganese halide, halide iron, B, Si, Ge, As, Sb and Te, phosphor and a reducing metal to form a mixture; a step(S120) of heat-treating the mixture; and a step(S130) of cooling the heat-treated mixture. The manganese halide is manganese chloride (II), manganese chloride (III), manganese bromide (II), manganese fluoride (III), manganese fluoride (IV) or manganese iodine (II). [Reference numerals] (S110) Mixture of mixing manganese halide, iron halide, phosphor, T, and reducing metals; (S120) Heating and melting the mixture at 750-1000°C; (S130) Cooling; (S140) Washing
摘要翻译：目的：提供一种磁热材料的制造方法，以通过使用卤化金属作为金属源来降低热处理温度并控制磁热材料颗粒的生长。构成：磁热材料的制造方法包括：通过混合选自卤化锰，卤化铁，B，Si，Ge，As，Sb和Te中的一种或多种金属的源材料形成混合物的步骤（S110），荧光体和还原金属形成混合物; 对该混合物进行热处理的工序（S120）和冷却经过热处理的混合物的工序（S130）。卤化锰是氯化锰（II），氯化锰（III），溴化锰（II），氟化锰（III），氟化锰（IV）或锰碘（II）。（S110）混合卤化锰，卤化铁，磷，T和还原金属的混合物; （S120）在750-1000℃下加热和熔化混合物; （S130）冷却; （S140）洗涤

7. 发明公开

KR1020150057094A 자성 조성물, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 자석 审中-实审
标题翻译：磁性组合物，其生产方法和包括其的磁体
公开(公告)号：KR1020150057094A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130139977
申请日：2013-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 니나사폴레토바 , 강영민 , 세르게이쿠시니르 , 안경한 , 이상목
IPC分类号： H01F1/047 , H01F1/053 , H01F1/06
CPC分类号： H01F1/10 , H01F1/0313 , H01F1/047 , H01F41/02
摘要： 하기일반식 1로나타내어지는 M 타입헥사페라이트를포함하는자성조성물이제공된다: [일반식 1] MAZnFeO여기서, M은 Sr, Ba, 및 Ca 로부터선택된 1종이상이고, A는 Sb, Mn, V, Nb, As, Ta, Cr, Mo, 및 W로부터선택된 1종이상이고, 0
摘要翻译：提供由以下通式1表示的磁性组合物M型六铁氧体。通式1是MA_xZn_yFe_12-（x + y）O_19。 M是Sr，Ba和Ca.中的一个或多个。 A是Sb，Mn，V，Nb，As，Ta，Cr，Mo和W中的一种或多种.X大于0且为0.4以下。 X高于0，为0.4以下。

8. 发明公开

KR1020150010519A 연자성 자기교환결합 복합 구조체 및 이를 포함한 고주파소자 부품, 안테나 모듈 및 자기저항소자 审中-实审
标题翻译：软磁性交换耦合复合结构，包含该软磁体交换器的高频器件组件，包含该软磁体组合结构的天线模块以及包含该组合物的磁电装置
公开(公告)号：KR1020150010519A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130085692
申请日：2013-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강영민 , 안경한 , 강영재 , 이상목
IPC分类号： H01F1/16 , H01F1/34 , H01Q1/24
CPC分类号： H01F10/265 , C22C29/12 , C22C2202/02 , H01F1/11 , H01F1/344 , H01F1/346 , H01Q7/06 , Y10T428/12611 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要： 주상(main phase)인 페라이트 결정립(crystal grain)과 보조상(auxiliary phase)인 연자성 금속이 원자 단위로 계면 접합되며, 상기 페라이트 결정립의 계면으로부터 인접된 영역에는 결정질 연자성 금속이 존재하는 연자성 자기결합교환 복합 구조체, 이를 포함한 고주파소자 부품, 안테나모듈 및 자기저항소자를 제공한다.
摘要翻译：提供了软磁交换耦合复合结构，高频器件部件，天线模块和包括其的磁阻器件。作为主相的铁素体晶粒和作为辅助相的软磁性金属通过界面通过原子单元键合。结晶软磁金属存在于与铁素体晶粒的界面相邻的区域中。

9. 发明公开

KR1020130126035A 왜곡된 전자 상태 밀도를 갖는 열전소재, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 审中-实审
标题翻译：具有国家电子密度失真的热电材料，热电模块和包含其的热电装置
公开(公告)号：KR1020130126035A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120049774
申请日：2012-05-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안경한 , 김상일 , 류병기 , 이규형 , 황성우
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/02 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/50 , C01P2004/61 , C01P2006/40
摘要： The purpose of the present invention is to provide a thermoelectric material having distorted electron state density by the substitution and doping of a transition metal. According to the present invention, the thermoelectric material having distorted electron state density increases a power factor and is used for various application such as the thermoelectric module, a thermoelectric device, etc. [Reference numerals] (AA) Comparative example 1
摘要翻译：本发明的目的是提供一种通过过渡金属的取代和掺杂使电子态密度变形的热电材料。根据本发明，具有失真的电子态密度的热电材料增加功率因数，并且用于各种应用，例如热电模块，热电装置等。[附图标记]（AA）比较例1

10. 发明公开

KR1020150073759A 소결자석 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制备烧结磁体的方法
公开(公告)号：KR1020150073759A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161813
申请日：2013-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문경석 , 강영민 , 강영재 , 안경한 , 이상목 , 이제현 , 조근우
IPC分类号： H01F41/02
摘要： 원료혼합물을얻는단계; 상기원료혼합물을 900도씨내지 1350도씨의온도에서하소하여, 하기일반식 1로나타내어지는 M-타입헥사페라이트또는하기일반식 2로나타내어지는 W-타입헥사페라이트를포함하는입자들을포함하는하소생성물을얻는단계; [일반식 1] ARFeMO여기서, A는 Sr, Ba, 및 Ca로부터선택된 1종이상이고, R은희토류원소로부터선택된 1종이상이고, M은 Co, Mn, Zn, Zr, Ni, Ti, Cu, Al, Ge, 및 As로부터선택된 1종이상이고, 0 ≤ x ≤ 0.6, 0 ≤ y ≤ 1.2 임; [일반식 2] AMeFeO여기서, A는 Sr, Ba, 및 Ca 로부터선택된선택된 1종이상이고, Me는 Co, Cu, Zn, Mn, ZrNi, Ti, Al, Ge, 및 As로부터선택된 1종이상이고, x 는 0 내지 2의수임; 상기하소생성물을 CoO, CoO, CoO, MnO, MnO, 및 BiO로부터선택된 1종이상의소결조제와혼합하여혼합물을얻는단계; 상기혼합물을압력하에성형하여성형체를얻는단계; 및상기성형체를 1000도씨내지 1300도씨의온도에서열처리하여소결자석을얻는단계를포함하는소결자석제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种烧结磁体的制造方法。根据本发明，提供了一种制造烧结磁体的方法，包括以下步骤：获得原料混合物; 通过在900〜1350摄氏度的温度下烧结原料混合物获得烧结产品; 通过将烧结产物与选自CoO，Co 2 O 4，Co 3 O 4，Mn 2 O 3，Mn 3 O 4和Bi 2 O 3中的一种或多种烧结助剂混合来获得混合物; 通过在压力下形成混合物获得成形体; 通过在1000〜1300℃的温度下对成形体进行热处理而获得烧结磁体。本发明的一个实施方案涉及制造高密度和改善磁性的六铁氧体烧结磁体的方法。

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