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1. 发明授权

KR101772582B1 음전압을 제공하는 비휘발성 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR101772582B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020110066943
申请日：2011-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심상원 , 곽판석 , 박기태 , 최윤희
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/06 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/30
摘要： 본발명에따른비휘발성메모리장치는, 메모리블록들; 프리디코딩신호들에응답하여상기메모리블록들중 어느하나를선택하는로우디코더; 및어드레스를디코딩하여프리디코딩신호들을발생하는프리디코더를포함하고, 상기프리디코더는상기프리디코딩신호들각각에대응하고, 접지전압의디코딩신호를음전압의프리디코딩신호로변환하는음 레벨쉬프터들을포함한다.

2. 发明公开

KR1020170110768A 페이지 버퍼를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件，包括页面缓冲器及其编程验证方法
公开(公告)号：KR1020170110768A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160034795
申请日：2016-03-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임봉순 , 윤석민 , 심상원
IPC分类号： G11C16/34 , G11C29/02
CPC分类号： G11C16/3459 , G06F11/2094 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26
摘要： 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치는셀 어레이, 제 1 페이지버퍼, 제 2 페이지버퍼를포함할수 있다. 셀어레이는복수의메모리셀을포함할수 있다. 제 1 페이지버퍼는셀 어레이의제 1 메모리셀에연결되고, 프로그램검증동작수행시, 제 1 메모리셀의프로그램완료여부를센싱하여생성한제 1 센싱데이터를저장할수 있다. 제 2 페이지버퍼는셀 어레이의제 2 메모리셀에연결되고, 프로그램검증동작수행시, 제 2 메모리셀의프로그램완료여부를센싱하여생성한제 2 센싱데이터를기초로제 1 검증데이터를생성하여저장하고, 제 1 센싱데이터를제 1 페이지버퍼로부터전송받고, 제 1 센싱데이터및 제 1 검증데이터를누적하여생성한제 2 검증데이터를저장할수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的非易失性存储器件可以包括单元阵列，第一页面缓冲器和第二页面缓冲器。单元阵列可以包括多个存储单元。第一页缓冲器连接到单元阵列的第一存储器单元，并且当执行编程验证操作时，可以通过感测第一存储器单元的编程完成来存储第一页数据。第二页缓冲器连接到单元阵列的第二存储单元，当执行编程验证操作时，第二页缓冲器基于通过感测第二存储单元的程序是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储1个验证数据，从第一页面缓冲器接收第一感应数据，并且可以存储通过累积第一感应数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。

3. 发明公开

KR1020170047655A 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的存储器系统
公开(公告)号：KR1020170047655A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148025
申请日：2015-10-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태현 , 임봉순 , 심상원 , 최윤희
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3459 , G06F11/1068 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/52
摘要： 본개시에따른메모리장치는메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이, 메모리셀들에대한검증독출결과에따른페이지버퍼신호들을생성하는페이지버퍼그룹, 제1 기준전류를기초로페이지버퍼신호들로부터페일비트개수에대응하는디코더출력신호를생성하는페이지버퍼디코딩부, 제1 기준전류의 M배(M은양의정수)에대응하는제2 기준전류를기초로디코더출력신호로부터페일비트개수에대응하는카운트결과를출력하는슬로우비트카운터, 그리고, 카운트결과를기초로메모리셀들에대한프로그램패스여부를판단하여패스신호또는페일신호를출력하는패스/페일체킹부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的存储器装置是根据用于存储器单元缓冲器组验证读取结果从所述存储单元阵列中，页面生成页缓冲器信号失败位，基于包括所述存储器单元中的第一参考电流缓冲信号页计数结果对应于从基于对应于所述解码器输出的第二参考电流的解码器输出信号中的故障位的数字信号的页缓冲器解码器，用于产生第一第一参考电流的M倍（M从eunyang的整数）相对应的数并且它输出慢位计数器包括在内，并且基于计数结果来确定程序是否通过到存储单元来传递信号或故障信号通过/失败检查的一个输出。

4. 发明公开

KR1020170017407A 전자 장치 및 전자 장치의 알림 제공 방법 审中-实审
标题翻译：提供通知的装置和方法
公开(公告)号：KR1020170017407A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150111258
申请日：2015-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심상원
IPC分类号： G08B21/18 , G08B5/22 , G08B3/10 , G08B6/00 , G08B21/02 , A61B5/024
CPC分类号： H04W4/12 , H04B1/385 , H04L41/0645 , H04L43/10
摘要： 전자장치가개시된다. 본발명의다양한실시예에따른전자장치는디스플레이, 스피커또는모터(vibrator) 중적어도하나, 및디스플레이, 스피커또는모터중 적어도하나를이용하여지정된정보에대한알림을제공하는프로세서를포함하고, 프로세서는지정된정보의현재값을획득하고, 현재값과타깃값(target value)을비교하고, 현재값이타깃값에대해서지정된범위내에있는경우제1 타입의알림을제공하도록설정될수 있다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.
摘要翻译：电子设备包括显示器，扬声器，振动器，用于存储信息的存储器和用于执行的指令，以及耦合到显示器，扬声器，振动器和存储器的处理器，其中处理器被配置为提供通知与存储在存储器中的信息相关联。处理器被配置为获得信息的当前值，以将当前值与信息的目标值进行比较，并且当当前值在内部时通过显示器，扬声器或振动器提供第一类型的通知目标值的范围，不等于目标值。

5. 发明公开

KR1020150031778A 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR1020150031778A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111390
申请日：2013-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상원 , 심동교 , 박기태 , 심상원
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/06
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C8/08 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要： 본 발명은 시간 제어 유닛을 포함한 비휘발성 메모리 장치에 관한것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 메모리 장치는 데이터를 저장하는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 제 1 워드 라인이 제공되고, 제 1 워드 라인에 제공되는 전압을 발생하는 전압 발생기를 포함한다. 그리고, 비휘발성 메모리 장치는 전압 발생기를 제어하는 컨트롤 로직을 포함하고, 컨트롤 로직은 제 1 워드 라인에 제공되는 제 1 전압 및 제 2 전압 값의 차이에 기초하여, 제 2 전압의 워드 라인 세트 업(set up) 시간을 가변적으로 설정하는 시간 제어 유닛(time control unit)을 더 포함한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够提高操作速度的非易失性存储装置及其操作方法。本发明涉及包括时间控制单元的非易失性存储装置。根据本发明的实施例，非易失性存储器件包括：连接到存储数据的多个存储器单元的第一字线; 电压发生器，被配置为产生提供给所述第一字线的电压; 以及配置为控制所述电压发生器的控制逻辑，其中所述控制逻辑包括时间控制单元，其被配置为基于提供给所述电压发生器的第一电压和所述第二电压之间的差异来确定与第二电压相对应的字线建立时间第一个字线。

6. 发明授权

KR102233810B1 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드라인 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR102233810B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140012171
申请日：2014-02-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상원 , 박기태 , 심상원
IPC分类号： G11C16/08
摘要： 본발명에따른기판에수직한방향으로형성되고, 비트라인들과공통소스라인사이에연결된복수의스트링들을갖는복수의메모리블록들을포함하는비휘발성메모리장치의워드라인구동방법은: 워드라인설정시간을단축하기위하여소정의시간동안옵셋펄스를워드라인으로인가하는단계; 및상기소정의시간이후에상기옵셋펄스의레벨보다낮거나높은타겟펄스를상기워드라인으로인가하는단계를포함한다.

7. 发明授权

KR101733620B1 기판에 적층된 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 有权
标题翻译：包括堆叠在衬底上的多个存储单元的非易失性存储器
公开(公告)号：KR101733620B1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020110049681
申请日：2011-05-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심상원 , 이두섭 , 곽동훈 , 윤치원
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/30
CPC分类号： G11C5/147 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C16/3418 , H01L27/11582
摘要： 본발명의목적은, 워드라인에인가되는구동신호의라이징슬롭을조절함으로써, 프로그램동작및 읽기동작시에향상된신뢰성을제공하는불휘발성메모리를제공하는것이다. 본발명의실시예에따른불휘발성메모리는각각복수의전류통로들을이용하여복수의워드라인들중 비선택된워드라인들에인가되는구동신호들을각각발생하도록구성되는복수의패스전압발생기들, 그리고구동신호들각각의발생에이용되는전류통로들의수를조절하도록구성되는전압제어회로를포함한다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种非易失性存储器，其通过调节施加到字线的驱动信号的上升斜率而在编程操作和读取操作中提供改进的可靠性。根据本发明实施例的非易失性存储器包括：多个通过电压发生器，被配置为使用多个电流通路产生分别施加到多个字线的未选字线的驱动信号; 以及电压控制电路，被配置为调整用于产生每个信号的电流路径的数量。

8. 发明公开

KR1020150091667A 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드라인 구동 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020150091667A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012171
申请日：2014-02-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상원 , 박기태 , 심상원
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G11C8/08 , G11C5/02 , G11C7/04 , G11C8/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C16/32
摘要： 본 발명에 따른 기판에 수직한 방향으로 형성되고, 비트라인들과 공통 소스 라인 사이에 연결된 복수의 스트링들을 갖는 복수의 메모리 블록들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 워드라인 구동 방법은: 워드라인 설정 시간을 단축하기 위하여 소정의 시간 동안 옵셋 펄스를 워드라인으로 인가하는 단계; 및 상기 소정의 시간 이후에 상기 옵셋 펄스의 레벨보다 낮거나 높은 타겟 펄스를 상기 워드라인으로 인가하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：一种非易失性存储器件的字线驱动方法，包括垂直形成在衬底上并包括连接在公共源极线和位线之间的多个串的多个存储块，包括以下步骤：施加偏移脉冲到字线预设的一段时间，以减少字线设置时间; 以及在预设时间之后将高于或低于偏移脉冲的电平的目标脉冲施加到字线。

9. 发明公开

KR1020140104186A 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 审中-实审
标题翻译：记忆系统及其编程方法
公开(公告)号：KR1020140104186A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020130018062
申请日：2013-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심상원 , 남상완 , 박기태
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3459
摘要： The presented memory system comprises at least one non-volatile memory device which includes memory blocks where multiple strings connected to one bit line are vertically formed on a substrate; and a memory controller which controls at least one of the non-volatile memory devices. At least one of the non-volatile memory devices includes a free pulse controller which controls a free pulse according to information on the mode of the free pulse.
摘要翻译：所呈现的存储器系统包括至少一个非易失性存储器件，其包括其中连接到一个位线的多个串在衬底上垂直形成的存储器块; 以及控制至少一个非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件中的至少一个包括自由脉冲控制器，其根据关于自由脉冲的模式的信息来控制自由脉冲。

10. 发明授权

KR102067755B1 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 제어 방법 有权
公开(公告)号：KR102067755B1
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：KR1020130015011
申请日：2013-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안양노 , 남상완 , 심상원
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/32

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