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1. 发明公开

KR1020090022170A 알루미늄 산화물층 형성방법 및 이를 이용한 전하 트랩형메모리 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：形成氧化铝层的方法和使用它的制造电荷捕获存储器件
公开(公告)号：KR1020090022170A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087290
申请日：2007-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최상무 , 설광수 , 신웅철 , 박상진 , 이은하 , 성정헌
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/8247 , H01L27/115 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L21/02178 , H01L21/02263 , H01L21/02356 , H01L21/02362 , H01L21/31604 , H01L21/3162 , H01L21/28141
摘要： A method for forming aluminum oxide layer and a method for manufacturing a charge trap memory device using the same are provided to prevent a defect like the warpage of the substrate by reducing a temperature for forming the aluminum oxide layer by using an auxiliary layer. An amorphous aluminum oxide layer(12a) is formed in a lower layer(10). A crystalline sacrificial layer is formed on the amorphous aluminum oxide layer. The amorphous aluminum oxide layer is crystallized. The lower layer is made of the charge storage material. The amorphous chromium oxide layer forms a chromium oxide layer(14) having an alpha crystal structure by the first thermal processing. The charge storage material is the silicon nitride. The amorphous auxiliary layer is formed on the amorphous aluminum oxide layer. The densification process for the amorphous aluminum oxide layer is performed before the crystalline auxiliary layer is formed.
摘要翻译：提供一种形成氧化铝层的方法以及使用该氧化铝层的电荷阱存储装置的制造方法，通过使用辅助层降低形成氧化铝层的温度来防止像基板的翘曲那样的缺陷。在下层（10）中形成无定形氧化铝层（12a）。在非晶态氧化铝层上形成晶体牺牲层。无定形氧化铝层结晶。下层由电荷存储材料制成。无定形氧化铬层通过第一次热处理形成具有α晶体结构的氧化铬层（14）。电荷存储材料是氮化硅。无定形辅助层形成在无定形氧化铝层上。无定形氧化铝层的致密化处理在形成结晶性辅助层之前进行。

2. 发明公开

KR1020090021067A 결정질 알루미늄 산화물층의 에너지 밴드 갭을 높이는 방법및 에너지 밴드 갭이 높은 결정질 알루미늄 산화물층을포함하는 전하 트랩 메모리 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：增加晶体氧化铝层的能量带隙的方法和包含具有高能带隙的结晶氧化铝层的充电陷阱存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020090021067A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020080039458
申请日：2008-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최상무 , 설광수 , 신웅철 , 박상진 , 성정헌
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L21/0223 , H01L21/0226 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： A method of increasing energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer and a method of manufacturing a charge trap memory device comprising a crystalline aluminum oxide layer having high energy band gap are provided to increase an energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer by forming a crystalline aluminum oxide layer with a wet oxidation process and a thermal process. An amorphous aluminum oxide layer(20b) is formed on an underlayer(18) in order to enhance energy band gap of an aluminum oxide layer. Hydrogen(H) or hydroxyl radical(OH) is introduced within the amorphous aluminum oxide layer. The amorphous aluminum oxide layer is crystallized. The hydrogen or the hydroxyl radical is injected with one method among wet-oxidization, ion implantation and plasma doping. The aluminum oxide layer is heat-treated in 800~1300°C.
摘要翻译：提供一种提高结晶性氧化铝层的能带隙的方法以及制造包含具有高能带隙的结晶氧化铝层的电荷陷阱存储器件的方法，以通过形成结晶氧化铝层来增加结晶氧化铝层的能带隙具有湿氧化工艺和热处理的结晶氧化铝层。在底层（18）上形成无定形氧化铝层（20b），以增强氧化铝层的能带隙。在无定形氧化铝层内引入氢（H）或羟基（OH）。无定形氧化铝层结晶。在湿氧化，离子注入和等离子体掺杂中，用一种方法注入氢或羟基。氧化铝层在800〜1300℃下进行热处理。

3. 发明公开

KR1020080033815A 상변화층의 표면처리공정을 포함하는 상변화 메모리 소자의제조방법 有权
标题翻译：包含相位变化层表面处理过程的相变记忆装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020080033815A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：KR1020060100009
申请日：2006-10-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신웅철 , 조경상 , 최재영 , 강윤선
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
摘要： A method of manufacturing a phase change memory device comprising a surface treatment process of a phase change layer is provided to form the phase change layer with a uniform thickness by attaching a source material of a phase change matter having an alkyl group when forming the phase change layer through the atomic layer deposition method. Before forming the phase change material layer, a coating layer is formed on the surface of a lower layer(62) on which a phase change material layer is to be formed. The coating layer has a chemical composition which facilitates adhesion of a radical of an alkyl group on the lower layer easily. After forming the coating layer, the phase change material layer is formed thereon by using the ALD(Atomic layer Deposition) method. The coating layer is formed by using a dip coating method or a spin coating method.
摘要翻译：提供一种制造包括相变层的表面处理工艺的相变存储器件的方法，以在形成相变时通过连接具有烷基的相变物质的源材料来形成具有均匀厚度的相变层层通过原子层沉积法。在形成相变材料层之前，在要形成相变材料层的下层（62）的表面上形成涂层。涂层具有易于在下层上粘合烷基基团的化学组成。在形成涂层之后，通过使用ALD（原子层沉积）方法在其上形成相变材料层。涂层通过浸涂法或旋涂法形成。

4. 发明授权

KR100695166B1 플러렌층을 구비한 상변화 메모리 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造具有富勒烯层的相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR100695166B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020060000472
申请日：2006-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강윤호 , 이상목 , 노진서 , 신웅철
IPC分类号： H01L27/115

5. 发明授权

KR101263822B1 상변화 메모리 소자의 제조 방법 및 이에 적용된상변화층의 형성방법 失效
标题翻译：相变存储器件的制造方法及其相变层的形成方法
公开(公告)号：KR101263822B1
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：KR1020060102463
申请日：2006-10-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신웅철 , 이재호 , 강윤선
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
摘要： 상변화메모리소자의제조방법및 이에적용된상변화층의형성방법에관해개시되어있다. 여기서, 본발명은상변화층이형성될하부막상에게르마늄(Ge)을포함하는 2가의제1 전구체를공급하는단계를포함하는것을특징으로하는상변화메모리소자의제조방법을제공한다. 상기상변화층은 MOCVD, 싸이클릭-CVD 및 ALD 중어느한 방식으로형성할수 있다. 이때상기상변화층의조성은압력, 증착온도또는반응가스공급량으로조절할수 있고, 압력범위는 0.001torr-10torr, 증착온도의범위는 150℃-350℃, 반응가스의공급량은 0-1slm일수 있다.

6. 发明公开

KR1020090008620A 커패시터리스 디램 및 그의 동작방법 无效
标题翻译：电容式动态随机存取存储器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020090008620A
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：KR1020070071701
申请日：2007-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성정헌 , 설광수 , 신웅철 , 박상진 , 최상무
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L27/108 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L27/108 , G11C11/404 , H01L29/4234 , H01L29/792
摘要： A capacitorless DRAM and an operating method thereof are provided to prevent deterioration of a tunnel insulating layer and to suppress read disturbance by implementing a charge trap type capacitorless DRAM. A gate stack(200) is positioned on a substrate(100). A tunnel insulating layer(10), a first charge trap layer(20), an interlayer insulating layer(30), a second charge trap layer(40), a blocking insulating layer(50) and a gate electrode(60) are laminated on the gate stack successively. A source(300a) and a drain(300b) are formed on the substrate of both sides of the gate stack. The gate stack with the source and the drain comprises the transistor. The gate stack provides a data storage.
摘要翻译：提供无电容DRAM及其操作方法以防止隧道绝缘层的劣化，并通过实施电荷陷阱型无电容器DRAM来抑制读取干扰。栅极堆叠（200）位于衬底（100）上。隧道绝缘层（10），第一电荷陷阱层（20），层间绝缘层（30），第二电荷陷阱层（40），阻挡绝缘层（50）和栅电极（60）依次在门堆上。源极（300a）和漏极（300b）形成在栅极堆叠的两侧的基板上。具有源极和漏极的栅极叠层包括晶体管。门堆栈提供数据存储。

7. 发明授权

KR101275799B1 저온 증착이 가능한 게르마늄 전구체를 이용한 상변화층형성방법 및 이 방법을 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법 失效
标题翻译：使用用于低温沉积的Ge前体形成相变层的方法及使用其制造相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR101275799B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020060115419
申请日：2006-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신웅철 , 이재호 , 강윤선
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/5678 , C23C16/305 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , Y10T428/31678
摘要： 저온 증착이 가능한 게르마늄 전구체를 이용한 상변화층 형성방법 및 이 방법을 이용한 상변화 메모리 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 상변화층이 형성될 하부막 상으로 제1 전구체를 공급하는 단계를 포함하되, 상기 제1 전구체는 게르마늄(Ge)을 포함하고 고리를 갖는 2가의 전구체인 것을 특징으로 하는 상변화층 형성방법과 이 방법을 이용한 메모리 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 제1 전구체는 고리형 저미렌스(cyclic germylenes) 계열 및 거대 고리형 저미렌스(macrocyclic germylenes) 계열 중 어느 하나의 Ge 화합물 또는 Ge-N결합을 포함하는, 고리형 저미렌 계열 및 거대 고리형 저미렌 계열 중 어느 하나의 Ge 화합물일 수 있다. 상기 상변화층은 MOCVD, 싸이클릭-CVD 및 ALD 중 어느 한 방식으로 형성할 수 있다. 이때 상기 상변화층의 조성은 압력, 증착 온도 또는 반응가스 공급량으로 조절할 수 있고, 압력 범위는 0.001torr-10torr, 증착 온도의 범위는 150℃-350℃, 반응가스의 공급량은 0-1slm일 수 있다.

8. 发明授权

KR100896180B1 선택적으로 성장된 상변화층을 구비하는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：相变随机存取存储器包括通过选择生长方法形成的相变材料层及其制造方法
公开(公告)号：KR100896180B1
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：KR1020070007236
申请日：2007-01-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신웅철
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1666 , H01L45/1683
摘要： 선택적으로 성장된 상변화층을 구비하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부전극과 상변화층을 포함하는 스토리지 노드와 이에 연결된 스위칭 소자를 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 하부전극과 상기 상변화층은 동일 콘택홀에 순차적으로 적층되어 상기 콘택홀을 채우고, 상기 상변화층은 상기 하부전극 상에 직접 형성된 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.

9. 发明公开

KR1020090012932A 불휘발성 메모리 장치 및 프로그래밍 방법 失效
标题翻译：非易失性存储器件和编程方法通过一个氧化铅层移动电荷捕捉层之间的电子
公开(公告)号：KR1020090012932A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077175
申请日：2007-07-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성정헌 , 설광수 , 신웅철 , 박상진 , 최상무
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/10 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/7923 , G11C16/3404
摘要： A nonvolatile memory device and a programming method for moving an electron between charge trap layers through a pad oxide layer are provided to prevent deterioration of a tunnel oxide layer and reduce power consumption by performing the programming by the electron shift. A first charge trap layer(150) is positioned on a semiconductor substrate and stores the electrons. A pad oxide layer(160) is positioned in an upper part of the first charge trap layer. A second charge trap layer(170) is positioned in the pad oxide layer and stores the electrons. In a programming mode, the electron is moved between a first edge of a first charge trap layer and the first edge of the second charge trap layer or between a second edge of the first charge trap layer and the second edge of the second charge trap layer through the pad oxide layer.
摘要翻译：提供非易失性存储器件和用于通过焊盘氧化物层在电荷陷阱层之间移动电子的编程方法，以防止隧道氧化物层的劣化，并通过执行电子位移的编程来降低功耗。第一电荷陷阱层（150）位于半导体衬底上并存储电子。衬垫氧化物层（160）位于第一电荷陷阱层的上部。第二电荷陷阱层（170）位于焊盘氧化物层中并存储电子。在编程模式中，电子在第一电荷陷阱层的第一边缘和第二电荷陷阱层的第一边缘之间或第一电荷俘获层的第二边缘和第二电荷俘获层的第二边缘之间移动通过垫氧化层。

10. 发明公开

KR1020080049483A 확산 방지막을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그제조방법 失效
标题翻译：包含扩展障碍物的相位变化随机存取存储器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080049483A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020060120104
申请日：2006-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박종봉 , 신웅철 , 이장호
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/10 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/148 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/51 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： A phase change random access memory including a diffusion barrier and a manufacturing method thereof are provided to reduce defects thereof by preventing diffusion of Ti to a phase change layer. A storage node(S) is connected to a switching element. The storage node includes a lower electrode(30), an upper electrode(40), a phase change layer(38), and a Ti-Te-based diffusion barrier(36). The phase change layer is inserted between the upper electrode and the lower electrode. The Ti-Te-based diffusion barrier is inserted between the upper electrode and the phase change layer. The Ti-Te-based diffusion barrier is a TixTe1-x layer(0
摘要翻译：提供包括扩散阻挡层的相变随机存取存储器及其制造方法，以通过防止Ti向相变层的扩散来减少其缺陷。存储节点（S）连接到开关元件。存储节点包括下电极（30），上电极（40），相变层（38）和Ti-Te类扩散阻挡层（36）。相变层插入在上电极和下电极之间。 Ti-Te基扩散阻挡层插入在上电极和相变层之间。 Ti-Te基扩散阻挡层是TixTe1-x层（0

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