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1. 发明授权

KR1019940011383B1 디램의 쎌 캐패시터의 제조방법 失效
标题翻译： DRAM单元电容器的制造方法
公开(公告)号：KR1019940011383B1
公开(公告)日：1994-12-07
申请号：KR1019860010849
申请日：1986-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호 , 유재안 , 오영선
IPC分类号： H01L27/00
摘要： The method improves the capacitance in the storage capacitors by forming a shallow hole on the surface of the substrate and injecting the field ions. The method comprises (A) forming an oxide layer (21) on the P- substrate (20) and forming a nitride layer (22) by using CVD; (B) forming a photoresist (23) on the nitride layer and forming a window (24) by using photolithography; (C) forming an ion injection region (25), a field oxide layer (26), and a highly doped P+ field ion injection region (27); (D) etching the oxide layer (21) and masking the photoresist; (E) forming ion injection regions (30,31); (F) forming an oxide layer (34), an N+ region (32), and a doped polysilicon layer (35) by using CVD.
摘要翻译：该方法通过在衬底的表面上形成浅孔并注入场离子来改善存储电容器中的电容。该方法包括：（A）在P-基底（20）上形成氧化物层（21）并通过CVD形成氮化物层（22）; （B）在氮化物层上形成光致抗蚀剂（23）并通过光刻形成窗口（24）; （C）形成离子注入区（25），场氧化物层（26）和高掺杂P +场离子注入区（27）; （D）蚀刻氧化物层（21）并掩蔽光刻胶; （E）形成离子注入区域（30,31）; （F）通过使用CVD形成氧化物层（34），N +区域（32）和掺杂多晶硅层（35）。

2. 发明授权

KR100073424B1 금속배선막 형성방법 失效
公开(公告)号：KR100073424B1
公开(公告)日：1994-05-10
申请号：KR1019910016898
申请日：1991-09-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호
IPC分类号： H01L21/04

3. 发明公开

KR1019930015035A 반도체 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR1019930015035A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：KR1019910024485
申请日：1991-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정병홍 , 송주호 , 장태규 , 장현근
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명에 의하면 반도체 기판상에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층상에 실리콘을 형성한 후, 상기 실리콘층상에 레지스트를 도포하여 레지스트 패턴을 형성시키고, 반도체 기판의 전면에 금속층을 형성시킨 후, 상기 레지스트를 제거하고, 반도체 전면을 산화시킴을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 쇼트채널의 드레인 영역에서 발생하는 고온캐리어에 의한 반도체 장치의 특성열화를 방지할 수 있고, 종래에 비해 스피드가 개선된 반도체장치를 수득할 수 있다.

4. 发明授权

KR1019920006755B1 반도체 메모리 소자의 제조방법 失效
标题翻译：生产半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR1019920006755B1
公开(公告)日：1992-08-17
申请号：KR1019880012876
申请日：1988-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안태혁 , 송주호
IPC分类号： H01L21/00 , H01L27/108
摘要： forming a silicon nitride film (2) and a CVD oxide film (3) on a Si substrate (1) to form a trench pattern by using a photomasking process; performing a reactive trench etching process on a mask with the trench pattern, forming a thermal oxide film (14) on the sidewall of the trench to apply a polysilicon film (5) thereon; etching the polysilicon film (5) to leave the lowr remaining polysilicon (6) formed on the V-shaped portion of the lower trench; removing the thermal oxide film (14) to form a P+ doping region thereon; and forming a dielectric film (15) for capacitor on the trench to form a polysilicon layer thereon to flat the surface of the trench; thereby forming an insulating layer on the edge of the V-shaped portion of the lower trench to prevent the capacitor dielectrics from deteriorating.
摘要翻译：在Si衬底（1）上形成氮化硅膜（2）和CVD氧化物膜（3）以通过光掩模工艺形成沟槽图案; 在具有沟槽图案的掩模上进行反应沟槽蚀刻工艺，在沟槽的侧壁上形成热氧化膜（14），以在其上施加多晶硅膜（5）; 蚀刻多晶硅膜（5）以留下形成在下沟槽的V形部分上的较低残留多晶硅（6）; 去除所述热氧化膜（14）以在其上形成P +掺杂区域; 以及在所述沟槽上形成用于电容器的电介质膜（15）以在其上形成多晶硅层以使所述沟槽的表面平坦化; 从而在下沟槽的V形部分的边缘上形成绝缘层，以防止电容器电介质劣化。

5. 发明公开

KR1019900005555A 반도체 메모리 소자의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019900005555A
公开(公告)日：1990-04-14
申请号：KR1019880012876
申请日：1988-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안태혁 , 송주호
IPC分类号： H01L21/00 , H01L27/108
摘要： 내용 없음

6. 发明授权

KR100408147B1 스마트 배터리와 세트사이의 통신 방법 失效
标题翻译： 스마트배터리와세트사이의통신방법
公开(公告)号：KR100408147B1
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：KR1020010059070
申请日：2001-09-24
申请人： 주식회사 이랜텍 , 삼성전자주식회사
发明人： 이희범 , 송주호
IPC分类号： H04L5/16
摘要： PURPOSE: A method for communicating a smart battery and a set is provided to remove the problem of space limitation during the design of a device such as a portable communication device by one communication line between the smart battery and the set. CONSTITUTION: A method for communicating a smart battery and a set includes the steps of: connecting(100) the battery and the set and turning on the power, determining(110) whether the communication line is high level in the operation of the master controlling block or not, if the level of the master controlling block is low, setting(120) the communication line as a high level by the master controlling block, the level of the master controlling block is high, setting(130) the communication line as a low level by the master controlling block, determining(140) whether or not the operation of the slave control block is passed at a predetermined time, if the result is no, going back to the step(140), if the determined result is yes, determining(150) whether or not the communication line is low, if the determined result is yes, automatically pulling(160) up the communication line and determining(170) whether or not the rising edge is detected.
摘要翻译：目的：提供一种用于传送智能电池和机组的方法，以通过智能电池和机组之间的一条通信线路在设计诸如便携式通信设备的设备期间消除空间限制的问题。用于传送智能电池和一组智能电池的方法包括以下步骤：连接（100）电池和机组并打开电源，在主控制器的操作中确定（110）通信线路是否为高电平如果主控制块的电平低，则通过主控制块将通信线路设置为高电平，主控制块的电平为高，将通信线路设置为（130）为如果结果为否，则确定（140）从控制块的操作是否在预定时间通过，如果所确定的结果是（140），则返回步骤（140）是的，如果确定结果为是，则确定（150）通信线路是否低，自动地拉动（160）通信线路并确定（170）是否检测到上升沿。

7. 发明公开

KR1020030026079A 스마트 배터리와 세트사이의 통신 방법 失效
标题翻译：智能电池和通信方法
公开(公告)号：KR1020030026079A
公开(公告)日：2003-03-31
申请号：KR1020010059070
申请日：2001-09-24
申请人： 주식회사 이랜텍 , 삼성전자주식회사
发明人： 이희범 , 송주호
IPC分类号： H04L5/16
摘要： PURPOSE: A method for communicating a smart battery and a set is provided to remove the problem of space limitation during the design of a device such as a portable communication device by one communication line between the smart battery and the set. CONSTITUTION: A method for communicating a smart battery and a set includes the steps of: connecting(100) the battery and the set and turning on the power, determining(110) whether the communication line is high level in the operation of the master controlling block or not, if the level of the master controlling block is low, setting(120) the communication line as a high level by the master controlling block, the level of the master controlling block is high, setting(130) the communication line as a low level by the master controlling block, determining(140) whether or not the operation of the slave control block is passed at a predetermined time, if the result is no, going back to the step(140), if the determined result is yes, determining(150) whether or not the communication line is low, if the determined result is yes, automatically pulling(160) up the communication line and determining(170) whether or not the rising edge is detected.
摘要翻译：目的：提供一种用于通信智能电池和一组的方法，用于通过智能电池和组之间的一条通信线在诸如便携式通信设备的设备的设计期间消除空间限制的问题。构成：用于通信智能电池和组的方法包括以下步骤：连接（100）电池和组并打开电源，在主控制的操作中确定（110）通信线路是否高电平如果主控制块的电平低，则通过主控制块将通信线路设置为高电平（120），主控制块的电平为高，将通信线路设置为（130）为如果结果为否，返回到步骤（140），如果所确定的结果是（1），则确定（140）是否在预定时间内通过从控制块的操作是的，确定（150）通信线路是否为低，如果确定的结果是是，则自动地拉（160）通信线路，并确定（170）是否检测到上升沿。

8. 发明授权

KR100325247B1 휴대용 충전장치 失效
标题翻译：便携式充电器
公开(公告)号：KR100325247B1
公开(公告)日：2002-03-04
申请号：KR1019990019446
申请日：1999-05-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황보상무 , 곽동욱 , 송주호 , 서정우 , 최해완
IPC分类号： H01M10/42
CPC分类号： H02J7/0044
摘要： 본발명은충전장치에관한것으로서, 적어도한개이상의슬롯을구비하여배터리팩이부착된단말기나배터리팩 단독으로거치되어충전시킬수 있는충전장치에있어서, 마주보는내벽과, 상기내벽사이에위치한천정벽및 적어도한개이상의개방단을구비하며, 상기내벽과천정벽에둘러쌓인장착공간을구비하며, 적어도한쌍이상의단자와, 상기단자가접속된보드를포함하는충전하우징; 선단과후단, 두개의측단및 적어도한개이상의상단을가지며, 상기장착공간에결합되며, 상기충전하우징의장착공간에서착탈가능한충전유니트; 상기충전하우징에충전유니트를수평방향으로결합시키기위한가이드수단; 및상기충전하우징과충전유니트를전기적으로연결시키는연결수단으로구성된다.

9. 发明公开

KR1019880008449A 디램의 쎌 캐패시터의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019880008449A
公开(公告)日：1988-08-31
申请号：KR1019860010849
申请日：1986-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호 , 유재안 , 오영선
IPC分类号： H01L27/00
摘要： 내용 없음.

10. 发明授权

KR100721831B1 배터리 팩 失效
公开(公告)号：KR100721831B1
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR1020050097784
申请日：2005-10-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최귀용 , 옥금명 , 송주호 , 김성규 , 이세용 , 김상용
IPC分类号： H01M2/10 , H01M2/02 , H01M2/34
摘要： 제조를 용이하게 할 수 있고, 소형화 및 박형화할 수 있으며, 보호회로모듈을 확실히 보호할 수 있도록 한 배터리 팩을 개시한다. 이 배터리 팩은 충전된 전원을 공급하며 상부에 음극단자와 양극단자를 갖춘 배터리 셀과, 배터리 셀의 상부에 설치되며 음극 및 양극단자와 각각 단자판을 통하여 전기적으로 연결되는 보호회로모듈과, 상부에 보호회로모듈을 수용한 상태에서 배터리 셀 상부에 장착되는 보호회로케이스와, 배터리 셀의 하부에 결합되는 하부커버와, 보호회로케이스와 배터리 셀 상단 일부를 덮는 형태로 배터리 셀의 상부에 결합되는 상부커버와, 상부 및 하부커버와 배터리 셀의 외면에 접착되는 접착테이프를 포함한다.

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