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1. 发明公开

KR1020170092439A 디지털 파워 앰프에 기반한 송신기를 위한 사용자 설정 가능한 램프 업 및 램프 다운 진폭 프로파일 审中-实审
标题翻译：基于数字功率放大器的发射机可定制的斜坡和斜坡幅度曲线
公开(公告)号：KR1020170092439A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020160105290
申请日：2016-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 세스시다스 , 바가바툴라베뉴마다브 , 손상원 , 루이반
IPC分类号： H03F1/32 , H04L25/03 , H04L27/08
CPC分类号： H03F3/245 , H03F3/19 , H03F3/217 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H04B1/0475 , H04B2001/0408 , H04L5/22 , H04W72/1263
摘要： 디지털파워앰프에기반한송신기를위한사용자설정가능한램프업 및램프다운진폭프로파일을제공하는방법및 광대역모뎀칩이제공된다. 방법은디지털파워앰프(digital power amplifier)에대하여비단조진폭(non-monotonic amplitude) 출력을생성시키는하나이상의제어입력코드를감지하고, 상기하나이상의제어입력코드에기초하여상기디지털파워앰프에대한단조진폭-제어입력코드(monotonic amplitude-to-control input code) 관계모델(relationship model)을생성하고, 상기단조진폭-제어입력코드관계모델을조정하여단조선형(monotonic and linear) 진폭-제어입력코드관계모델을구성하고, 및상기단조선형진폭-제어입력코드관계모델을저장하는것을포함하되, 상기디지털파워앰프의램프생성동안, 상기저장된단조선형진폭-제어입력코드관계모델이상기제어입력코드가상기디지털파워앰프에입력되기이전에램프업(ramp-up) 및램프다운(ramp-down) 중어느하나의제어코드에적용된다.
摘要翻译：提供了一种方法和宽带调制解调器芯片，用于为基于数字功率放大器的发射机提供用户可配置的斜坡下降和斜降幅度曲线。该方法包括感测产生用于数字功率放大器的非单调幅度输出的至少一个控制输入代码，并且基于至少一个控制输入代码来伪造数字功率放大器振幅控制型码（单调振幅 - 控制输入代码）的关系模型（关系模型）来生成，并通过调整锻造线性（单调和线性）振幅控制输入代码关系次要振幅控制输入代码关系模型并存储伪造的线性幅度控制输入代码关系模型，其中在数字功率放大器的斜坡生成期间，存储的伪造线性幅度控制输入代码关系模型，在输入到功率放大器之前，“加速”和“减速”适用于一个控制代码。

2. 发明公开

KR1020100006952A 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법및 표시 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：光刻胶组合物，使用其形成金属图案的方法以及制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020100006952A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067324
申请日：2008-07-11
申请人： 삼성전자주식회사 , 메르크 퍼포먼스 마테리알즈 고도가이샤
发明人： 박정민 , 이정수 , 정두희 , 이희국 , 강덕만 , 오세태 , 손상원 , 김영진
IPC分类号： G03F7/022
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F7/0226 , G03F7/40 , H01L21/32139 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A photoresist composition is provided to ensure high thermal resistance and etching resistance while forming a clear photoresist pattern, to minimize the damage of an underlayer of a photoresist pattern, and to improve the reliability of the underlayer. CONSTITUTION: A photoresist composition comprises an alkali soluble resin 5-50 weight%, a quinone diazide-based compound 0.5-30 weight%, and extra organic solvent. A formation method of metal pattern comprises the steps of: applying the photoresist composition on a base substrate(110) with a metal layer to form a photoresist layer; patterning the photoresist layer to form a photo pattern(132); forming a baking pattern by heat treating the photopattern; and patterning the metal layer using the baking pattern to form the metal pattern.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物以确保高耐热性和耐蚀刻性，同时形成清晰的光致抗蚀剂图案，以最小化光致抗蚀剂图案的底层的损伤，并提高底层的可靠性。构成：光致抗蚀剂组合物包含5-50重量％的碱溶性树脂，0.5-30重量％的醌二叠氮化物和额外的有机溶剂。金属图案的形成方法包括以下步骤：将光致抗蚀剂组合物涂覆在基底基板（110）上，形成光致抗蚀剂层; 图案化光致抗蚀剂层以形成照片图案（132）; 通过热处理光图案形成烘烤图案; 并使用烘烤图案来图案化金属层以形成金属图案。

3. 发明公开

KR1020170032167A 복수 타입의 신호들을 매칭시키는 프로그램어블 매칭 네트워크 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于匹配多种类型信号的可编程匹配网络设备和方法
公开(公告)号：KR1020170032167A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020160095586
申请日：2016-07-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 바가바툴라,베누마다브 , 베누고팔란,스리람쿠마르 , 세스,시다스 , 루,시우추앙이반 , 손상원
IPC分类号： H03H7/38 , H03H7/01 , H01P1/10
CPC分类号： H03D7/125 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03H11/28 , H03H11/32 , H03K17/691 , H03K17/693
摘要： 장치및 방법이제공된다. 장치는, 제 1 입력단, 제 2 입력단, 제 3 입력단, 출력단을포함하는멀티플렉서; 게이트, 제 1 터미널, 그리고제 2 터미널을포함하는제 1 트랜지스터; 제 1 터미널, 제 2 터미널, 그리고입력단을포함하는제 1 가변커패시터; 제 1 터미널, 그리고제 2 터미널을포함하는제 1 인덕터; 게이트, 제 1 터미널, 그리고제 2 터미널을포함하는제 2 트랜지스터; 제 1 터미널과제 2 터미널을포함하고상기제 1 인덕터와상호연결되는제 2 인덕터; 제 1 입력단, 제 2 입력단, 제 3 입력단, 그리고출력단을포함하는밸룬바이어스스위치; 제 1 터미널, 제 2 터미널을포함하는제 2 커패시터; 그리고제 1 입력단, 제 2 입력단, 제 3 입력단, 그리고출력단을포함하는포트스위치를포함한다.
摘要翻译：提供了设备和方法。该设备包括：多路复用器，其包括第一输入，第二输入，第三输入和输出; 第一晶体管，包括栅极，第一端子和第二端子; 第一可变电容器，包括第一端子，第二端子和输入; 第一电感器，包括第一端子和第二端子; 第二晶体管，包括栅极，第一端子和第二端子; 第二电感器，包括第一端子任务2端子并且与第一电感器互连; 一种平衡 - 不平衡变压器偏置开关，包括第一输入端子，第二输入端子，第三输入端子和输出端子; 第二电容器，包括第一端子和第二端子; 以及包括第一输入端子，第二输入端子，第三输入端子和输出端子的端口开关。

4. 发明公开

KR1020160031416A 동적으로 바이어스되는 기저대역 전류 증폭기를 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于动态偏置基带电流放大器的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160031416A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020150126426
申请日：2015-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 세스,시다스 , 손상원 , 권대현 , 베누고팔란,스리람쿠마르 , 조,토마스
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/02 , H03F3/191
CPC分类号： H03F1/0233 , H03F1/0222 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F3/45197 , H03F2200/102 , H03F2200/153 , H03F2200/381 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03F2200/546 , H03F2200/91 , H03F2203/30036 , H03F2203/45112 , H04B1/04 , H04B2001/0416
摘要： 본발명은동적으로바이어스되는기저대역전류증폭기에관한것이다. 본발명의동적으로바이어스되는기저대역전류증폭기는양의출력및 음의출력을갖는입력인터페이스, 출력버스를갖는제어기, 제1 입력, 제2 입력, 제어입력, 양의출력및 음의출력을갖는가변저항네트워크, 제1 입력, 제2 입력, 제3 입력, 제1 출력, 그리고제2 출력을갖는증폭기스테이지, 제1 입력, 제2 입력, 제3 입력, 그리고출력을갖는하이브리드차동포락선검출기및 전파정류기, 입력, 제1 출력및 제2 출력을갖는트랜스컨덕터, 제1 입력, 제2 입력, 그리고제3 입력을갖는제1 가변트랜지스터, 제1 입력, 제2 입력, 그리고제3 입력을갖는제2 가변트랜지스터, 제1 입력, 제2 입력, 그리고제3 입력을갖는제3 가변트랜지스터, 그리고제1 입력, 제2 입력, 그리고제3 입력을갖는제4 가변트랜지스터를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种动态偏置的基带电流放大器。动态偏置的基带电流放大器包括：具有正输出和负输出的输入接口; 具有输出总线的控制器; 具有第一输入，第二输入，控制输入，正输出和负输出的可变电阻网络; 具有第一输入，第二输入，第三输入，第一输出和第二输出的放大器级; 混合差分包络检测器和具有第一输入，第二输入，第三输入和输出的全波整流器; 具有输入，第一输出和第二输出的跨导体; 具有第一输入，第二输入和第三输入的第一可变晶体管; 具有第一输入，第二输入和第三输入的第二可变晶体管; 具有第一输入，第二输入和第三输入的第三可变晶体管; 以及具有第一输入，第二输入和第三输入的第四可变晶体管。

5. 发明公开

KR1020160029724A 하이브리드 차동 포락선 검출기 및 전파 정류기를 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：混合环境检测器和全波整流器
公开(公告)号：KR1020160029724A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020150126429
申请日：2015-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 세스,시다스 , 손상원 , 조,토마스
IPC分类号： G01R29/08
CPC分类号： H03K3/012 , G01R19/04 , H02M7/217 , H03K5/1532
摘要： 본발명은제 1 및제 2 하이브리드파형검출기및 전파정류기가제공된다. 제 1 하이브리드파형검출기및 전파정류기는제 1 피-채널전계효과트랜지스터(PFET: P-channel Field Effect Transistor), 제 2 PFET, 제 1 엔-채널전계효과트랜지스터(NFET: N-channel Field Effect Transistor), 제 2 NFET, 제 3 NFET, 제 4 NFET, 제 5 NFET, 제어기, 가변트랜지스터, 및가변커패시터를포함한다. 제 2 하이브리드파형검출기및 전파정류기는제 1 NFET, 제 2 NFET, 제 1 PFET, 제 2 PFET, 제 3 PFET, 제 4 PFET, 제 5 PFET, 제어기, 가변트랜지스터, 및가변커패시터를포함한다.
摘要翻译：在本发明中，提供第一和第二混合波形检测器和全波整流器。第一混合波形检测器和全波整流器包括：第一P沟道场效应晶体管（PFET）; 第二个PFET; 第一N沟道场效应晶体管（NFET）; 第二个NFET; 第三个NFET; 第四个NFET; 第五个NFET; 控制器可变晶体管; 和可变电容器。第二混合波形检测器和全波整流器包括：第一NFET; 第二个NFET; 第一个PFET; 第二个PFET; 第三个PFET; 第四个PFET; 第五个PFET; 控制器可变晶体管; 和可变电容器。

6. 发明公开

KR1020160026635A 반송파 결합 및 비반송파 결합을 위한 저잡음 증폭기 및 그것의 방법 审中-实审
标题翻译：低噪声放大器和方法FOF载体聚集和非载体聚集
公开(公告)号：KR1020160026635A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020150049726
申请日：2015-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우,지엔씬 , 유,자이아호 , 손상원 , 알루리,나빈
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/30
CPC分类号： H03F3/193 , H03F3/45188 , H03F2200/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03F2203/45464 , H03F2203/45466 , H03F2203/45548
摘要： 본발명에따른반송파결합및 비반송파결합을위한저잡음증폭기는, 복수의시메트릭하프(symmetric half) 회로들, 상기복수의시메트릭하프회로들각각에연결되는복수의바이어스회로들; 적어도하나의요소반송파(component carrier)를갖는 RF 신호를 AC(alternating current) 연결하기위한상기복수의시메트릭하프회로들각각에연결된복수의캐퍼시터들, 및하나의요소반송파혹은복수의요소반송파들을처리하는상기저잡음증폭기를구성하기위한상기복수의시메트릭하프회로들각각에연결된제어로직회로를포함한다.
摘要翻译：根据本发明，用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器包括：多个对称半电路; 分别连接到对称半电路的多个偏置电路; 分别连接到对称半电路的多个电容器，用于与交流电（AC）耦合具有至少一个分量载波的射频（RF）信号; 以及分别连接到对称半电路以用于配置低噪声放大器来处理一个分量载波或多个分量载波的控制逻辑电路。

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