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1. 发明授权

KR102128526B1 분리된 정션 컨택을 갖는 그래핀 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102128526B1
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：KR1020130139321
申请日：2013-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재호 , 변경은 , 송현재 , 신현진 , 이민현 , 유인경 , 박성준
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

2. 发明授权

KR102046100B1 그래핀을 전하 트랩층으로 이용한 메모리 소자 및 구동방법 有权
公开(公告)号：KR102046100B1
公开(公告)日：2019-11-18
申请号：KR1020130016595
申请日：2013-02-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재호 , 정현종 , 박성준 , 변경은 , 서형석 , 송현재 , 허진성
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247

3. 发明授权

KR102037469B1 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102037469B1
公开(公告)日：2019-10-28
申请号：KR1020120000304
申请日：2012-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이창승 , 김상욱 , 박성준 , 서형석 , 윤영준 , 이영희
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明授权

KR101919420B1 그래핀 스위칭 소자를 이용한 메모리 어레이 有权
公开(公告)号：KR101919420B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020120111379
申请日：2012-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서형석 , 김호정 , 정현종 , 박성준 , 변경은 , 송현재 , 허진성
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242

5. 发明授权

KR101919425B1 그래핀 채널을 포함한 터널링 전계효과 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR101919425B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120112087
申请日：2012-10-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진성 , 박성준 , 변경은 , 서형석 , 송현재 , 이재호 , 정현종
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 그래핀채널을포함한터널링전계효과트랜지스터가개시된다. 개시된터널링전계효과트랜지스터는, 기판상의제1전극, 상기제1전극상의반도체층, 상기반도체층상에서상기제1전극과이격된제1영역으로연장된그래핀채널, 상기제1영역상에서상기그래핀채널상의제2전극, 상기그래핀채널을덮는게이트절연층, 상기게이트절연층상의게이트전극을구비한다. 상기제1전극및 상기그래핀채널은제2영역에서상기반도체층을마주보고배치된다.

6. 发明授权

KR101878737B1 트렌치를 이용한 그래핀 전사방법 및 그래핀 전사 대상 기판 有权
公开(公告)号：KR101878737B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110083054
申请日：2011-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서형석 , 허진성 , 정현종 , 양희준 , 박성준 , 송현재
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/786
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L21/2007 , Y10T156/10 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612
摘要： 트렌치를이용한그래핀전사방법및 그래핀전사대상기판이개시된다. 개시된트렌치를이용한그래핀전사방법은, 기판을패터닝하여기판의상면에트렌치를형성하는단계와, 상기기판상으로점착액을적신그래핀층을배치하는단계와, 상기그래핀층을상기기판상으로가압하는단계와, 상기기판을건조하여상기점착액을제거하는단계를구비한다.

7. 发明授权

KR101813181B1 튜너블 배리어를 포함하는 그래핀 전계효과 트랜지스터를 구비한 인버터 논리소자 有权
标题翻译：具有包括可调谐屏障的石墨烯场效应晶体管的反相器逻辑元件
公开(公告)号：KR101813181B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110085818
申请日：2011-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진성 , 박성준 , 정현종 , 송현재 , 양희준 , 서형석
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/66045 , H01L29/78684
摘要： 튜너블배리어를포함하는그래핀전계효과트랜지스터를구비한인버터논리소자가개시된다. 개시된인버터논리소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된제1 그래핀층및 제2 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에서이격된제1전극및 제1 반도체층와, 상기제2 그래핀층상에서이격된제2전극및 제2 반도체층과, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층에연결되며상기제1 그래핀층및 상기제2 그래핀층과마주보는출력전극을구비한다. 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층은각각 n형불순물및 p형불순물중 서로다른불순물로도핑된다.
摘要翻译：公开了一种具有包括可调栅栏的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件。公开的逆变器逻辑元件返回到栅基片上的栅氧化层，所述彼此隔开的栅极氧化物，第一是被钉扎层和第二是被钉扎层和第一电极和第一是被钉扎层上间隔开的第一半导体cheungwa，其中 2所以所述第二电极和所述被钉扎层和所述第一半导体层上分隔开并连接到所述第二半导体层具有钉扎层和面对钉扎第二是一个输出电极的第二半导体层和所述第一是。第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质的不同杂质。

8. 发明公开

KR1020170062301A 무선 침입 방지 시스템에서의 접속 차단 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于阻止无线入侵防御系统中的访问的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170062301A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167947
申请日：2015-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최대성 , 박성준 , 황철훈
IPC分类号： H04W12/08 , H04W12/12 , H04W24/00 , H04W88/02
CPC分类号： H04W12/08 , H04W12/12 , H04W24/00 , H04W88/02
摘要： 본발명은무선침입방지시스템(wireless intrusion prevention system) 내전자장치의접속차단방법에관한것으로, 제 1 통신모듈을통해, 복수의채널에서순차적으로무선프레임을모니터링하는단계; 상기모니터링결과수신된적어도하나의무선프레임에기반하여제 1 차단메시지를생성하고, 상기적어도하나의무선프레임중 소정무선네트워크기술이적용된제 1 무선프레임에기반하여제 2 차단메시지를생성하는단계; 및제 2 통신모듈을통해, 상기제 1 또는제 2 차단메시지중 적어도하나를전송하는단계를포함한다. 다만, 상기실시예에한정되지않으며다른실시예가가능하다.
摘要翻译：本发明包括在多个信道的监测无线电帧中序列的步骤，即，通过第一通信模块的方法用于阻止在所述电子装置中的无线入侵防御系统（无线入侵防御系统）连接; 其中，所述监测结果产生基于所接收的至少一个无线帧上的第一阻挡消息，并且生成所述第一无线帧，其特征在于，施加所述无线电帧的至少一个预定无线电网络技术的基础上的第二中断消息; 并且通过第二通信模块发送第一阻塞消息和第二阻塞消息中的至少一个。然而，本发明不限于上述实施例，并且其他实施例是可能的。

9. 发明公开

KR1020170014870A 확산방지층을 포함하는 다층구조체 및 이를 구비하는 소자 审中-实审
标题翻译：包括扩散阻挡层在内的多层结构和包括其的装置
公开(公告)号：KR1020170014870A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108864
申请日：2015-07-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송현재 , 남승걸 , 박성준 , 신건욱 , 신현진 , 이재호 , 이창석 , 조연주
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L23/485 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L29/45
摘要： 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.
摘要翻译：多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。第二材料层连接到第一材料层。第二材料层与第一材料层间隔开。扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。

10. 发明公开

KR1020170011796A 2차원 물질 하드마스크와 그 제조방법 및 하드 마스크를 이용한 물질층 패턴 형성방법 审中-实审
标题翻译： 2二维材料硬掩模制造方法及使用硬掩模形成材料层图案的方法
公开(公告)号：KR1020170011796A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150105075
申请日：2015-07-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신건욱 , 설민수 , 신현진 , 김상원 , 박성준
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/02118 , H01L21/02274
摘要： 2차원물질하드마스크와그 제조방법및 2차원물질하드마스크를이용한물질층패턴형성방법에관해개시되어있다. 개시된 2차원물질하드마스크는수소(H)와산소(O)를포함하고, 층상의결정구조를갖는 2차원물질층을포함한다. 상기 2차원물질층은탄소구조체(예, 그래핀시트)를포함하는물질층일수 있다. 상기 2차원물질층은비탄소구조체를포함하는물질층일수 있다.
摘要翻译： 2D材料硬掩模包括氢，氧和具有层状晶体结构的2D材料层。 2D材料层可以是包括碳结构（例如，石墨烯片）和非碳结构之一的材料层。

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