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1. 发明授权

KR100705397B1 저 저항의 텅스텐막 형성 방법 失效
标题翻译：形成低电阻的钨层的方法
公开(公告)号：KR100705397B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050063063
申请日：2005-07-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김락환 , 김영천
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76865 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要： 저 저항의 텅스텐막 형성 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 하지막을 형성한다. 상기 하지막을 부분적으로 에치백하여 하지막의 표면을 매끄럽게 한다. 매끄러운 표면을 갖는 하지막 상에 텅스텐막을 형성한다. 텅스텐막의 하부에 형성되는 접착층이나 장벽층과 같은 하지막의 표면을 에치백 공정을 통해 매끄럽게 만든 후 그 위에 텅스텐막을 증착함으로써, 텅스텐막의 그레인 사이즈를 증가시켜 텅스텐막의 저항을 감소시킬 수 있다.

2. 发明授权

KR100603512B1 폴리사이드막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조방법 失效
标题翻译：多晶硅化物膜形成方法及使用其的半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR100603512B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050049294
申请日：2005-06-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영천 , 황보철 , 김락환 , 이현덕 , 박인선 , 박지순
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8242
摘要： 폴리사이드막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법에서, N형 불순물로 도핑된 예비 폴리실리콘막이 기판 상에 형성된 후, 상기 예비 폴리실리콘막에 부분적으로 P형 불순물이 주입된다. 이어서, 상기 불순물들을 활성화시키기 위한 열처리가 수행되며, 상기 열처리에 의해 상기 예비 폴리실리콘막의 상부 표면 부위에서의 불순물 농도가 상승된다. 상기 상승된 불순물 농도를 갖는 예비 폴리실리콘막의 상부 표면 부위는 아르곤 스퍼터링에 의해 제거되며, 이에 따라 목적하는 두께의 폴리실리콘막이 수득되고, 상기 폴리실리콘막 상에 금속 실리사이드막이 형성된다. 따라서, 상기 상승된 불순물 농도를 갖는 상부 표면 부위에 의해 금속 실리사이드막의 표면 프로파일이 열화되는 것이 방지될 수 있다.
摘要翻译：在形成聚侧膜和使用其的半导体器件制造方法的方法中，在对预喷射部分中的P型杂质，然后多晶硅膜掺杂有在基板上形成N型杂质初步多晶硅膜。接下来，进行用于活化杂质的热处理，并且通过热处理来提高预备多晶硅膜的上表面部分处的杂质浓度。上述具有多晶硅膜的预上表面区域的升高的杂质浓度通过氩溅射来去除，从而获得期望的厚度的多晶硅膜，形成在多晶硅膜的金属硅化物膜。因此，可以防止具有提高的杂质浓度的上表面部分恶化金属硅化物膜的表面轮廓。

3. 发明授权

KR100506209B1 이더넷 수동 광 가입자망에서 다중 서비스를 고려한 동적대역폭 할당방법 失效
标题翻译：考虑到以太网被动光网络的多种服务的动态带宽分配方法
公开(公告)号：KR100506209B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020030038883
申请日：2003-06-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오호일 , 이민효 , 김수형 , 김영석 , 오윤제 , 박태성 , 김영천 , 박혁규 , 안계현 , 한경은
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04Q11/0067 , H04Q11/0066 , H04Q2011/0064
摘要： 본 발명은 이더넷 수동 광 가입자망(Ethernet Passive Optical Network: EPON)에 있어서 OLT와 ONU(Optical Network Unit)에서의 대역폭(bandwidth) 동적 할당 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 OLT의 스케줄러는 ONU로부터 전송된 REPORT 메시지 내의 다중 큐 요청 정보를 기반으로 스케줄링을 한 후 단일의 ONU에 대해 통합된 스케줄링 결과를 게이트 메시지를 통해 전송한다. 또한 본 발명에 따라 ONU의 스케줄러는 OLT로부터 할당받은 대역폭을 기반으로 스케줄링을 수행하고 자신에게 속해있는 각 큐에게 전송 대역폭을 할당한다.

4. 发明公开

KR1020050011788A 이더넷 기반 수동형 광 가입자망의 하향 트래픽 제어 방법및 그 장치 失效
标题翻译：用于控制以太网被动光网络中的下行链路业务的方法和装置，特别用于监视和控制与订户签约的银行
公开(公告)号：KR1020050011788A
公开(公告)日：2005-01-31
申请号：KR1020030050768
申请日：2003-07-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오호일 , 김수형 , 이민효 , 김영석 , 오윤제 , 박태성 , 안계현 , 강동국 , 박혁규 , 조충건 , 김영천
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04L47/10 , H04B10/27 , H04L47/215
摘要： PURPOSE: A method and apparatus for controlling downlink traffic in an EPON(Ethernet Passive Optical Network) are provided to control impartiality among ONUs(Optical Network Units) by transmitting downlink data by a token allocated to each ONU and accordingly guaranteeing a contracted band of each ONU. CONSTITUTION: The different number of tokens are generated according to a contracted transmission rate of each ONU(S100). The certain number of tokens for guaranteeing a minimum transmission rate of each ONU is stored separately(S200). When downlink data is generated(S300), the downlink data is transmitted to a target ONU by applying a certain downlink traffic control algorithm(S400).
摘要翻译：目的：提供一种用于控制EPON（以太网无源光网络）中的下行流量的方法和装置，通过分配给每个ONU的令牌发送下行链路数据来控制ONU（Optical Network Unit）之间的公正性，从而保证每个ONU的收缩频带 ONU。构成：根据每个ONU的合同传输速率生成不同数量的令牌（S100）。分别存储用于保证每个ONU的最小传输速率的一定数量的令牌（S200）。当生成下行链路数据时（S300），通过应用一定的下行链路业务量控制算法将下行链路数据发送到目标ONU（S400）。

5. 发明公开

KR1020020001314A 반도체 장치의 금속 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020020001314A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020000035892
申请日：2000-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송원상 , 박인선 , 구경범 , 김영천
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76852 , H01L21/76856 , H01L21/76867
摘要： PURPOSE: A method for forming a metal pattern of a semiconductor device is provided to improve quality of a semiconductor device by enhancing stability and adhesion in a metal pattern formation process. CONSTITUTION: An insulating layer(210) having an opening is formed on a semiconductor substrate(200). A Ti layer(221c) is formed on the insulating layer(210) by using a sputtering method or a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. A metal layer is formed on the Ti layer(221c) by using the CVD method or the sputtering method. A SiN layer is formed on the metal layer. A photo-resist pattern is formed by applying and etching the photo-resist. The photo-resist pattern is removed. A TiN layer is formed by performing a thermal process. A SiN is applied thereon by performing an LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) method. A SiN spacer(225) is formed by performing an etch-back process.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的金属图案的方法，以通过提高金属图案形成工艺中的稳定性和粘附性来改善半导体器件的质量。构成：在半导体衬底（200）上形成具有开口的绝缘层（210）。通过使用溅射法或CVD（化学气相沉积）法在绝缘层（210）上形成Ti层（221c）。通过使用CVD法或溅射法在Ti层（221c）上形成金属层。在金属层上形成SiN层。通过施加和蚀刻光致抗蚀剂形成光刻胶图案。去除光刻胶图案。通过进行热处理形成TiN层。通过执行LPCVD（低压化学气相沉积）法施加SiN。通过执行回蚀处理形成SiN间隔物（225）。

6. 发明授权

KR100630064B1 기가비트 이더넷 수동 광 가입자망시스템에서의 광가입자망장치 추가등록 방법 및 그 이더넷 프레임 구조 失效
标题翻译：在以太网被动光网络及其以太网帧结构中的ONU注册方法
公开(公告)号：KR100630064B1
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020020013047
申请日：2002-03-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재연 , 강병창 , 김영천 , 김아정 , 원신희 , 한경은 , 박혁규 , 노선식 , 이민효 , 김수형
IPC分类号： H04L12/24
摘要： 본 발명은, OLT(Optical Line Termination)와 수동 소자인 광스플리터로 구성되는 ODN(Optical Distribution Network)와, 복수개의 ONU(Optical Network Unit)들을 적어도 구비하는 기가비트 이더넷 수동 광가입자 망 시스템에서의 광 가입자망장치(ONU) 추가등록 방법에 있어서, 상기 OLT는 기존에 등록된 ONU들이 요구한 데이터 전송 대역폭에 대한 스케쥴링을 수행하는 과정과, 상기 스케쥴링 후 OLT에서의 가용대역폭과 기존 등록된 ONU들에 의해 할당 요구된 대역폭을 비교하고 상기 가용 대역폭과 할당 요구된 대역폭의 차이가 미리 설정된 기준 값보다 크면 추가 등록을 위한 기회할당 프레임을 OLT가 ONU들에게 하향 전송하는 과정으로 이루어진다.
GE-PON(Gigabit Ethernet - Passive Optical Network), ONU 추가 등록

7. 发明授权

KR100594023B1 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망에서의 암호화 방법 失效
标题翻译： GIGABIT以太网被动光网络加密方法
公开(公告)号：KR100594023B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020020026463
申请日：2002-05-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김수형 , 송재연 , 김영천 , 김아정 , 노선식 , 한경은 , 박혁규 , 이민효
IPC分类号： H04L9/30
摘要： 가. 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 초고속 수동형 광 가입자망인 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망에 관한 것으로, 특히 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망의 암호화 방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명의 목적은 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망에서의 암호화 방법을 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 하나의 광선로 종단장치와 적어도 하나의 광 가입자망 장치로 구성되는 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망에서, 발전된 암호화 표준 및 양방향 방식을 이용한 암호화 방법에 있어서, 광 가입자망 장치의 광선로 종단장치에 대한 등록과정과, 상기 등록과정에서 등록이 이루어진 광 가입자망 장치의 광선로 종단장치에 대한 인증과정과, 광선로 종단장치가 상기 인증과정에서 획득한 광 가입자망 장치의 공개키 값과 생성한 의사난수 값을 이용하여 세션키를 생성하는 과정과, 광선로 종단장치가 상기 의사난수 값을 광 가입자망 장치로 송신하는 과정과, 상기 의사난수 값을 수신한 광 가입자망 장치가 상기 인증과정에서 획득한 광선로 종단장치의 공개키 값과 상기 의사난수 값을 이용하여 세션키를 생성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 기가비트 이더넷 광 가입자망의 암호화 방법을 제안한다.
라. 발명의 중요한 용도
기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망의 보안유지를 위해 사용된다.
기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망(Gigabit Ethernet-Passive Optical Network, GE-PON), 암호화, 키, 스케줄링

8. 发明公开

KR1020060002105A 반도체 장치의 콘택 형성 방법 无效
公开(公告)号：KR1020060002105A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020040051017
申请日：2004-07-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김락환 , 김영천
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02178 , H01L21/76882
摘要： 반도체 장치의 콘택 형성 방법에서, 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후, 절연막의 소정 부위를 식각하여 콘택홀을 형성한다. 60℃이상의 온도에서 콘택홀의 표면 및 절연막 상에 티타늄 등을 포함하는 웨팅막을 형성한다. 이후, 웨팅막 상에 화학 기상 증착 방법 및 물리 기상 증착 방법을 순차적으로 사용하여 콘택홀을 매립하는 알루미늄 막 등의 금속막을 형성한다. 화학기상증착 방법에 의한 알루미늄의 이상성장을 최소화함으로써 반도체 장치의 불량 및 신뢰성 저하를 최소화할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020030088643A 기가비트 이더넷 수동형 광 가입자망에서의 암호화 방법 失效
标题翻译：数字以太网被动光网络中的编码方法
公开(公告)号：KR1020030088643A
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：KR1020020026463
申请日：2002-05-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김수형 , 송재연 , 김영천 , 김아정 , 노선식 , 한경은 , 박혁규 , 이민효
IPC分类号： H04L9/30
CPC分类号： H04L9/0656 , H04Q11/0067
摘要： PURPOSE: A coding method in a gigabit ethernet-passive optical network is provided to improve the efficiency of encryption by including the exchange and manage of an encryption key into a scheduling procedure of the gigabit ethernet-passive optical network. CONSTITUTION: An optical line terminal(100) of an optical network unit(120) is registered(801,803,805). The optical line terminal(100) of optical network unit(120) is authenticated(807,809,811). The optical line terminal(100) generates a session key using an obtained public key of the optical network unit(120) in the authentication process, and the pseudo-random values. The optical line terminal(100) transmits the pseudo-random values to the optical network unit(120). The optical network unit(120), which receives the pseudo-random values, generates a session key using the received pseudo-random values and the public key of the optical line terminal(100).
摘要翻译：目的：提供千兆以太网无源光网络中的编码方法，通过将加密密钥的交换和管理纳入吉比特以太网无源光网络的调度过程来提高加密效率。构成：注册光网络单元（120）的光线路终端（100）（801,803,805）。光网络单元（120）的光线路终端（100）被认证（807,809,811）。光线路终端（100）在认证处理中使用所获得的光网络单元（120）的公开密钥和伪随机值来生成会话密钥。光线路终端（100）将伪随机值发送到光网络单元（120）。接收伪随机值的光网络单元（120）使用所接收的伪随机值和光线路终端（100）的公开密钥来生成会话密钥。

10. 发明公开

KR1020030073472A 기가비트 이더넷 수동 광 가입자망에서 동적 대역폭할당방법 失效
标题翻译：在数字无源光网络中动态分配带宽的方法
公开(公告)号：KR1020030073472A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020013045
申请日：2002-03-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재연 , 강병창 , 김영천 , 원신희 , 박혁규 , 노선식 , 이민효 , 김수형
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04Q11/0067 , H04Q11/0066 , H04Q2011/0064 , H04Q2011/0086
摘要： PURPOSE: A method for dynamically allocating bandwidths in a GE-PON(Gigabit Ethernet Passive Optical Network) is provided to improve the utilization coefficient of network resources in consideration of the bandwidths requested from ONUs(Optical Network Units). CONSTITUTION: An OLT(Optical Line Termination) divides BW_TOT_AVAIL, a total available bandwidth, by N and obtains the average of the bandwidths requested from ONUs(100). Then the OLT appoints the first ONU among the ONUs that have requested bandwidths(102), and compares RW_REQi, a requested bandwidth, with the average BW_AVG(104). In case that RW_REQi is larger than BW_AVG, the OLT allocates the bandwidth of BW_AVG only(108). However, if RW_REQi is equal to or smaller than BW_AVG, the OLT allocates the whole of the requested bandwidth RW_REQi as BW_ALLOCi, an allocation bandwidth. Then the OLT adds BW_AVG-BW_REQi, the difference between BW_AVG and BW_REQi, to BW_REMAIN(106).
摘要翻译：目的：提供一种在GE-PON（千兆以太网无源光网络）中动态分配带宽的方法，以考虑从ONU（光网络单元）请求的带宽来提高网络资源的利用系数。规定：OLT（光线路终端）将BW_TOT_AVAIL（总可用带宽）除以N，并获得从ONU（100）请求的带宽的平均值。然后，OLT在请求带宽的ONU中指定第一ONU（102），并将所请求的带宽的RW_REQi与平均BW_AVG（104）进行比较。在RW_REQi大于BW_AVG的情况下，OLT仅分配BW_AVG的带宽（108）。然而，如果RW_REQi等于或小于BW_AVG，则OLT将整个请求带宽RW_REQi分配为BW_ALLOCi（分配带宽）。然后，OLT将BW_AVG-BW_REQi（BW_AVG和BW_REQi之间的差别）添加到BW_REMAIN（106）。

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