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热词
    • 6. 发明公开
    • 전력 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
    • 功率半导体封装及其制造方法
    • KR1020160022121A
    • 2016-02-29
    • KR1020140107800
    • 2014-08-19
    • 삼성전기주식회사
    • 장범식조준형한경호주용휘이석호
    • H01L23/12H01L23/28H01L23/48
    • H01L2224/04105H01L2224/32225H01L2224/32245H01L2224/33181H01L2224/73267H01L2224/92244H01L2924/15156H01L25/0657H01L23/28H01L23/481H01L23/495H01L25/0652
    • 본개시의일 실시예에따른전력반도체패키지는상부에캐비티(cavity)가형성된기판; 상기캐비티의내벽을포함하여상기기판의상부에배치되는제1 회로패턴; 상기캐비티의내부의제1 회로패턴의상부에배치되는제1 반도체소자; 상기캐비티내부에배치되되상기제1 반도체소자를캡슐화하는절연수지; 상기절연수지의상부내측에배치되며상기제1 반도체소자와전기적으로연결되도록형성되는비아; 상기절연수지의상부에배치되며상기비아와연결되는제2 회로패턴; 상기제2 회로패턴의양단에연결된리드프레임; 및상기기판의하면및 상기리드프레임의일부를노출시키고상기기판의상부를밀봉하는봉합수지;를포함할수 있다. 본개시의일 실시형태에따르면, 전력의손실을감소시키면서패키지의사이즈를최소화할수 있는전력반도체패키지및 그의제조방법을제공할수 있다.
    • 根据本公开的实施例的功率半导体封装包括:衬底,其具有形成在其上部的空腔; 第一电路图案,其包括所述空腔的内壁并且设置在所述基板的上部; 第一半导体器件,其设置在所述空腔中的所述第一电路图案的上部; 绝缘树脂,其设置在所述腔中并封装所述第一半导体器件; 通孔设置在绝缘树脂的上部并形成为与第一半导体器件电连接; 第二电路图案,其设置在绝缘树脂的上部并连接到通孔; 引线框架,其连接到第二电路图案的两端; 以及密封树脂,其暴露引线框架的一部分和基板的下表面,并且密封基板的上部。 根据本公开的实施例,可以提供能够最小化封装尺寸同时减少功率损耗的功率半导体封装及其制造方法。
    • 8. 发明公开
    • 파워모듈 패키지
    • 电源模块封装
    • KR1020150049967A
    • 2015-05-08
    • KR1020130131208
    • 2013-10-31
    • 삼성전기주식회사
    • 오정미박성근주용휘
    • H01L23/34
    • H01L2224/48091H01L2224/48137H01L2224/48247H01L2924/181H01L23/3736H01L23/3672H01L23/3675H01L23/495H01L2023/4068H01L2924/00014H01L2924/00012
    • 본발명은파워모듈패키지에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른파워모듈패키지는홀이형성된금속기판, 상기홀에금속기판의재질보다열전도도가높은금속을충진하여형성된내부방열부, 상기금속기판의일면에구비된리드프레임, 상기금속기판의일면에실장되며, 리드프레임과전기적으로연결된반도체다이및 상기금속기판에구비되며, 일단은내부방열부에연결되고, 타단은반도체다이가실장된금속기판의일면에연결된히트스프레드를포함한다. 따라서상기히트스프레드가반도체다이에서발생한열을외부로신속하게전달하여방열함으로써, 열방출을극대화할수 있는효과가있다.
    • 功率模块封装技术领域本发明涉及功率模块封装。 根据本发明实施例的功率模块封装包括: 金属基板,其中形成有孔; 内部散热单元,其通过用导热率高于金属基板的材料的金属填充孔而形成; 引线框架,其形成在所述金属基板的一侧上; 半导体管芯,其安装在所述金属基板的一侧并电连接到所述引线框架; 以及形成在金属基板上的散热。 散热部的一端与内部散热部连接,另一端与金属基板的安装有半导体管芯的一侧连接。 散热迅速地将半导体管芯中产生的热传递到外部并散热。 因此,可以最大限度地发热。