专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100665118B1 유기금속 화학기상증착 장치 失效
标题翻译：金属有机化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR100665118B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050013987
申请日：2005-02-21
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 신영철 , 조수행
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/00
摘要： 서로 다른 공정 온도와 공정 분위기를 정확하고 용이하게 구현할 수 있는 유기금속 화학기상증착 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착 장치는, 서로 다른 공정 조건을 구현할 수 있는 제1 공정 챔버 및 제2 공정 챔버와; 상기 제1 공정 챔버와 제2 공정 챔버 사이에 배치되어 상기 제1 공정 챔버와 제2 공정챔버 간에 기판이 이동할 수 있도록 통로를 제공하는 로드락 챔버를 포함한다. 상기 제1 및 제2 공정 챔버 각각에는 소스 가스를 공급하기 위한 하나 이상의 가스 도입 라인이 연결되어 있다. 상기 제1 및 제2 공정 챔버 내에는, 기판이 안치되는 서셉터와, 기판을 가열하는 히터와, 상기 가스 도입 라인에 연결되어 기판 상에 소스 가스를 분사하는 가스 분사 부재가 설치되어 있다.
유기금속 화학기상증착, 챔버, 반응로

2. 发明公开

KR1020060093530A 개선된 스템 구조를 갖는 반도체 레이저 패키지 无效
标题翻译：具有改进的STEM结构的半导体激光器封装
公开(公告)号：KR1020060093530A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050014426
申请日：2005-02-22
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이창윤 , 조수행
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02208 , H01S3/06704 , H01S3/0941 , H01S5/02469
摘要： 레이저 다이오드 칩이 스템상에서 정확하게 광축이 정렬된 상태로 안착된 반도체 레이저 패키지가 제공된다.
본 발명의 개선된 스템 구조를 갖는 반도체 레이저 패키지는, 고출력 반도체 레이저 빔을 조사시키기 위한 반도체 레이저 패키지에서, 레이저 빔을 조사하기 위한 레이저 다이오드 칩; 상기 레이저 다이오드 칩이 상부면에 안착되는 가이드 홈을 형성한 스템;및 상기 스템의 일측에 고정되어 레이저 다이오드 칩을 감싸고, 일측으로는 상기 레이저 빔이 통과하는 렌즈를 구비한 덮개;를 포함하고, 상기 가이드 홈은 상기 레이저 다이오드 칩의 광축 방향으로 형성된다.
본 발명에 의하면, 스템의 상부면에 반도체 레이저 다이오드 칩이 배치되어지는 가이드 홈을 형성함으로써 항상 정해진 위치에 정확하게 고정되어 레이저 빔의 조사 성능이 향상되고, 조립과정에서 불량품의 발생이 방지되며, 별도의 광축 정렬과정을 거치지 않게 되어 패키지 조립작업의 생산성이 크게 향상되는 개선된 효과가 얻어진다.
스템, 반도체 레이저 패키지, 레이저 빔, 반도체 다이오드 칩, 광축 방향 정렬

3. 发明授权

KR100657938B1 반도체 레이저 다이오드 失效
标题翻译：半导体激光二极管
公开(公告)号：KR100657938B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040108030
申请日：2004-12-17
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/2072 , H01S5/34326
摘要： 반도체 레이저 다이오드가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드는, 기판 상에 형성된 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 상의 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 수직방향으로 돌출된 리지가 형성된 상부 클래드층;을 구비하며, 상부 클래드층에서, 상기 리지의 양측에는 고차 횡모드 (lateral mode) 발진을 억제하는 불순물이 확산된 불순물층이 형성된 것을 특징으로 한다. 상기 불순물은 베이컨시 (Vacancy) 또는 Zn 이온이다.
摘要翻译：公开了一种半导体激光二极管。所公开的半导体激光二极管包括：形成在基板上的下部包层; 下覆层上的有源层; 和形成在有源层上，所述上部包层具有脊在垂直方向突出形成;以及具有在所述上部包层，所述脊部的两侧上，所述高次横模式（横向模式）是一个扩散掺杂剂杂质以抑制振荡层形成。杂质是空位或Zn离子。

4. 发明公开

KR1020050103066A 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050103066A
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020040028468
申请日：2004-04-24
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/3004 , H01S3/09415 , H01S5/0205
摘要： 반도체 레이저다이오드에 관해 개시된다. 본 발명의 레이저 소자는 기판에 대해 수직이 방향으로 연장되는 상호 나란한 경면을 가지며, 활성층은 양측 경면 중 적어도 어느 하나의 가까운 부분에서 그 두께가 다른 부분에 비해 감소된 구조를 가진다. 이러한 본 발명에 따르면 경면에서의 광흡수가 감소되고 따라서 COD(Catastrophic Optical Damage)가 방지된다.

5. 发明授权

KR100856280B1 반도체 레이저 다이오드 패키지 有权
标题翻译：半导体激光二极管封装
公开(公告)号：KR100856280B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020040037323
申请日：2004-05-25
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/022 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/02212 , H01S5/024 , H01S5/1039
摘要： 반도체 레이저 다이오드 패키지가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드 패키지는, 소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 관통공이 형성된 스템과; 관통공 주위에 스템의 일면으로부터 돌출되어 마련되는 히트싱크와; 히트싱크 상에 부착되는 반도체 레이저 다이오드와; 반도체 레이저 다이오드의 후방에 마련되는 것으로, 상기 관통공의 내부에 상기 스템의 두께보다 얇은 두께로 채워지는 충진부재를; 구비한다.

6. 发明公开

KR1020060095270A 고출력 단일모드 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高功率单模半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060095270A
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020050016780
申请日：2005-02-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김범준 , 조수행
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/1028 , H01S5/1237
摘要： 본 발명은 고출력 단일모드 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 도전형 클래드층과, 상기 제1 도전형 클래드층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며, 상부를 향해 돌출된 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 포함하며, 상기 리지부 양측에 위치한 상기 제2 도전형 클래드층 상면 영역에 고차모드 발진이 억제되도록 광을 산란시키는 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자를 제공한다.
반도체 레이저(semiconductor laser), 단일모드(single mode), 요철(concavo-concave)

7. 发明公开

KR1020050110902A 반도체 레이저 다이오드 无效
标题翻译：半导体激光二极管
公开(公告)号：KR1020050110902A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：KR1020040035864
申请日：2004-05-20
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S2301/18
摘要： 반도체 레이저 다이오드가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드는, 활성층과; 활성층의 상부에 형성되는 상부클래드층과; 활성층의 하부에 형성되는 제1 하부클래드층과; 제1 하부클래드층의 하부에 형성되는 제2 하부클래드층과; 제2 하부클래드층의 하부에 형성되는 기판을; 구비하며, 제1 하부클래드층의 굴절률은 상부클래드층의 굴절률과 같고, 제2 하부클래드층의 굴절률 보다 작은 것을 특징으로 한다.

8. 发明公开

KR1020050099715A 발광소자 및 이를 갖춘 발광소자 조립체 无效
标题翻译：发光装置及其组装
公开(公告)号：KR1020050099715A
公开(公告)日：2005-10-17
申请号：KR1020040024890
申请日：2004-04-12
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01L23/367
CPC分类号： H01L33/642 , H01L23/367 , H01L33/644
摘要： 발광소자 및 이를 갖춘 발광소자 조립체에 관해 개시된다. 발광소자는 기판 상에 형성되는 것으로 중앙의 활성층과 그 상하의 반도체물질층을 갖추는 반도체적층구조물; 을 구비하며, 상기 상부 반도체 물질층의 상부에는, 상기 활성층으로의 전류 주입을 위한 중앙의 전류 주입 리지와; 리지의 양측에 마련되는 것으로 그 표면에 표면적 확장을 위한 요철 구조가 형성되는 지지용 리지;가 마련되어 있는 구조를 가진다. 이러한 본 발명은 새로운 공정의 추가 없이 본딩 메탈의 요철화를 통해 접촉 면적 확대를 통해 열적 전이 효과 증대에 따른 광소자 열특성 향상과 접착력 증가로 얻어지는 발광소자 패키지의 내구성 향상을 달성한다.

9. 发明授权

KR100891795B1 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100891795B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020040028468
申请日：2004-04-24
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 반도체 레이저다이오드에 관해 개시된다. 본 발명의 레이저 소자는 기판에 대해 수직이 방향으로 연장되는 상호 나란한 경면을 가지며, 활성층은 양측 경면 중 적어도 어느 하나의 가까운 부분에서 그 두께가 다른 부분에 비해 감소된 구조를 가진다. 이러한 본 발명에 따르면 경면에서의 광흡수가 감소되고 따라서 COD(Catastrophic Optical Damage)가 방지된다.
반도체, 레이저, 소자, COD, 광흡수, 경면

10. 发明授权

KR100674836B1 고출력 단일모드 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高功率单模半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100674836B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050016780
申请日：2005-02-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김범준 , 조수행
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/1028 , H01S5/1237
摘要： 본 발명은 고출력 단일모드 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 도전형 클래드층과, 상기 제1 도전형 클래드층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며, 상부를 향해 돌출된 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 포함하며, 상기 리지부 양측에 위치한 상기 제2 도전형 클래드층 상면 영역에 고차모드 발진이 억제되도록 광을 산란시키는 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자를 제공한다.
반도체 레이저(semiconductor laser), 단일모드(single mode), 요철(concavo-concave)

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式