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1. 发明公开

KR1020130083538A 전원 장치 및 전원 회로 无效
标题翻译：电源设备和电源电路
公开(公告)号：KR1020130083538A
公开(公告)日：2013-07-23
申请号：KR1020120004172
申请日：2012-01-13
申请人： 삼성전기주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 이병희 , 김봉철 , 문건우 , 이동욱 , 조규민 , 이선경 , 최영운
IPC分类号： H02M3/28 , H02M1/42
CPC分类号： Y02B70/126 , H02M3/335 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
摘要： PURPOSE: A power supply apparatus and a power supply circuit are provided to increase efficiency of switching operation, by outputting a power signal always regardless of on/off of a switching device. CONSTITUTION: An input circuit (110) includes a primary winding and a switch. A first output circuit (120) includes a secondary winding. The first output circuit constitutes the input circuit and a flyback converter circuit. A second output circuit (130) includes a tertiary winding. The second output circuit constitutes the input circuit and a forward converter circuit.
摘要翻译：目的：提供一种供电装置和电源电路，通过不管开关装置的接通/断开而始终输出电力信号，以提高开关操作的效率。构成：输入电路（110）包括初级绕组和开关。第一输出电路（120）包括次级绕组。第一输出电路构成输入电路和反激转换电路。第二输出电路（130）包括第三绕组。第二输出电路构成输入电路和正激变换器电路。

2. 发明公开

KR1020130030039A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020130030039A
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020110093543
申请日：2011-09-16
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이동욱 , 노승현
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/488
摘要： PURPOSE: A semiconductor package is provided to improve the structural stability and reliability of a semiconductor package by using an underfill resin layer. CONSTITUTION: An outer circuit layer is formed in a base substrate and includes a connection pad(115) and a circuit pattern(117). A solder resist layer(120) is formed on the base substrate. The solder resist layer has an opening part for exposing a part of the circuit pattern. A semiconductor chip(130) is formed on the base substrate. An underfill resin layer(140) is formed between the base substrate and the semiconductor chip.
摘要翻译：目的：提供半导体封装以通过使用底部填充树脂层来改善半导体封装的结构稳定性和可靠性。构成：外部电路层形成在基底衬底中，并且包括连接焊盘（115）和电路图案（117）。在基底基板上形成阻焊层（120）。阻焊层具有露出电路图案的一部分的开口部。半导体芯片（130）形成在基底基板上。在基底基板和半导体芯片之间形成底部填充树脂层（140）。

3. 发明公开

KR1020130028354A 전자파 차폐용 인쇄회로기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：用于屏蔽电磁波的印刷电路板及其制造方法及使用其的半导体
公开(公告)号：KR1020130028354A
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020110091846
申请日：2011-09-09
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 노승현 , 이동욱
IPC分类号： H05K9/00 , H05K1/02 , H01L23/12
摘要： PURPOSE: A printed circuit board for an electromagnetic interference shielding, a manufacturing method thereof, and a semiconductor package using it are provided to use a cap for the electromagnetic interference shielding as the printed circuit board, thereby reduce the process cost. CONSTITUTION: A first substrate(110) forms a through hole(115). The through hole is equipped in an area corresponding to a mounting area of an electronic part. One side of a second substrate(120) is connected to the first substrate. A barrier metal(113) includes the inside of the through hole and is formed on the first substrate. A surface processing layer(114) is formed on the barrier metal.
摘要翻译：目的：提供一种用于电磁干扰屏蔽的印刷电路板，其制造方法和使用它的半导体封装，以使用用于电磁干扰屏蔽的盖作为印刷电路板，从而降低了处理成本。构成：第一衬底（110）形成通孔（115）。通孔配备在与电子部件的安装区域对应的区域中。第二基板（120）的一侧连接到第一基板。阻挡金属（113）包括通孔的内部并形成在第一基板上。在阻挡金属上形成表面处理层（114）。

4. 发明公开

KR1020120037306A 회로기판 제조방법 失效
标题翻译：电路板制造方法
公开(公告)号：KR1020120037306A
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：KR1020100098983
申请日：2010-10-11
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김영곤 , 이동욱 , 노승현 , 이준용
IPC分类号： H05K3/42 , H05K3/18
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a circuit board is provided to form a minute circuit pattern by forming via after selectively plating on a via hole part and preventing thickness increase of the circuit pattern. CONSTITUTION: A via hole is formed on a substrate(S110). The substrate comprises a copper clad laminate. A seed layer is formed in the via hole through electro-less plating. A circuit pattern is formed on the substrate by selectively etching copper of the copper clad laminate(S120). A plating resist which selectively exposes the via hole is laminated and covers the circuit pattern on the substrate(S130). Via is formed by charging the via hole(S140). The plating resist is eliminated(S150). An unnecessary seed layer is flash-etched and eliminated. A solder resist is laminated on the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造电路板的方法，通过在通孔部分上选择性地电镀之后形成通孔以防止电路图案的厚度增加来形成微小的电路图案。构成：在基板上形成通孔（S110）。衬底包括覆铜层压板。在通孔中通过无电镀形成种子层。通过选择性地蚀刻覆铜层压板的铜，在基板上形成电路图案（S120）。选择性地暴露通孔的电镀抗蚀剂层叠并覆盖基板上的电路图案（S130）。通过对通孔进行充电而形成通孔（S140）。消除电镀抗蚀剂（S150）。不必要的种子层被闪光蚀刻并消除。在基板上层叠阻焊层。

5. 发明授权

KR100966335B1 전류 분배 변압기를 이용한 스위칭 전원 장치 有权
标题翻译：开关电源采用并联变压器进行电流共享
公开(公告)号：KR100966335B1
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080023890
申请日：2008-03-14
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 봉상철 , 안태영 , 김돈식 , 김학용 , 성명현 , 나도흥 , 김종필 , 김동중 , 허태원 , 이동욱
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H02M3/33576 , H02M3/28
摘要： 본 발명에 따른 전류 분배 변압기를 이용한 스위칭 전원 장치는, 입력 전압을 스위칭시키는 인버터 스위칭부; 상기 인버터 스위칭부에 연결되고 상기 인버터 스위칭부에 의해 인가되는 전류를 분배시키는 분류용 공유인덕터; 상기 분류용 공유인덕터에 연결된 각각의 1차측이 서로 병렬 연결된 제 1 및 제 2 변압기; 및 상기 제 1 및 제 2 변압기의 2차측에 연결된 정류부;를 포함한다.
스위칭 전원 장치, 분류용 공유인덕터, 정류부, 전류 분배 변압기, 전력변환 효율

6. 发明授权

KR100946002B1 브리지리스 역률 개선 회로 有权
标题翻译：无桥电源校正电路
公开(公告)号：KR100946002B1
公开(公告)日：2010-03-09
申请号：KR1020070140713
申请日：2007-12-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 문건우 , 이동욱 , 조규민 , 최성욱 , 김돈식 , 김종필 , 봉상철 , 김동중 , 허태원
IPC分类号： G05F3/06
CPC分类号： H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
摘要： 본 발명은 정류 브리지 다이오드사용 없이 입력 전원의 위상에 따라 2개의 스위치를 상보적으로 스위칭하여 역률을 개선하는 브리지리스 역률 개선 회로에 관한 것으로, 복수의 스위치를 구비하여 입력 교류 전원을 교번 스위칭하는 스위칭부와, 상기 스위칭부로부터의 스위칭된 전원을 정류 및 평활하는 안정화부와, 상기 입력 전원의 위상에 따라 상기 복수의 스위치의 교번 스위칭을 제어하는 제어부를 포함한다.
브리지리스(Bridgeless), 역률 개선(Power Factor Correction), 부스트 컨버터(Boost Converter)

7. 发明公开

KR1020090098464A 복합 변압기를 이용한 스위칭 전원 장치 有权
标题翻译：使用集成磁电变压器切换电源
公开(公告)号：KR1020090098464A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020080023877
申请日：2008-03-14
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 봉상철 , 안태영 , 김돈식 , 김학용 , 성명현 , 나도흥 , 김종필 , 김동중 , 허태원 , 이동욱
IPC分类号： H02M7/48 , H02M5/10
CPC分类号： Y02B70/1491 , H01F38/08 , H02M1/083 , H02M1/44 , H02M7/521 , H02M7/527 , H02M2001/0054 , H02M2001/0058
摘要： A switching power supply unit is provided to improve an EMI(Electromagnetic Interference) property by performing soft switching or zero voltage switching. An inverter switching part(11) switches an input voltage. A shared inductor(12) for classification is connected to the inverter switching part. The shared inductor for classification includes a first shared inductor and a second shared inductor. The first shared inductor and the second shared inductor distribute a current applied by the inverter switching part. A complex transformer(15) is connected to the shared inductor for classification. A rectifying part(16) is connected to the complex transformer. The complex transformer includes a magnetic core, a first coil, a second coil, a third coil, and a fourth coil. The magnetic core has a first leg, a second leg, and a third leg. The first coil and the second coil are wound in the first leg. The third coil and the fourth coil are wound in the second leg.
摘要翻译：提供开关电源单元以通过执行软开关或零电压切换来提高EMI（电磁干扰）特性。逆变器切换部（11）切换输入电压。用于分级的共享电感器（12）连接到逆变器切换部分。用于分级的共享电感器包括第一共享电感器和第二共享电感器。第一共享电感器和第二共享电感器分配由逆变器开关部分施加的电流。复合变压器（15）连接到共享电感器进行分类。整流部分（16）连接到复合变压器。复合变压器包括磁芯，第一线圈，第二线圈，第三线圈和第四线圈。磁芯具有第一腿，第二腿和第三腿。第一线圈和第二线圈缠绕在第一腿部中。第三线圈和第四线圈缠绕在第二腿中。

8. 发明公开

KR1020090072560A 브리지리스 역률 개선 회로 有权
标题翻译：无桥电源校正电路
公开(公告)号：KR1020090072560A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070140713
申请日：2007-12-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 문건우 , 이동욱 , 조규민 , 최성욱 , 김돈식 , 김종필 , 봉상철 , 김동중 , 허태원
IPC分类号： G05F3/06
CPC分类号： H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
摘要： A bridgeless power factor improvement circuit is provided to reduce the harmonic by complementarily switching two switches according to the phase of the input power source. A bridgeless power factor improvement circuit comprises a switching unit(110), a stabilizing unit(120), and a controller(130). The switching unit has a plurality of switches. The switching unit alternatively switches the input current power source. The stabilizing unit rectifies and flats the power source of the switching unit. The controller is synchronized by the phase of the input power source. The controller controls the switching unit.
摘要翻译：提供无桥功率因数改善电路，通过根据输入电源的相位互补地切换两个开关来降低谐波。无桥功率因数改善电路包括开关单元（110），稳定单元（120）和控制器（130）。开关单元具有多个开关。开关单元交替地切换输入电流电源。稳定单元整流并平坦化开关单元的电源。控制器通过输入电源的相位进行同步。控制器控制开关单元。

9. 发明公开

KR1020090066954A 무손실 역률 개선 회로 有权
标题翻译：无尘功率因数校正电路
公开(公告)号：KR1020090066954A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020070134704
申请日：2007-12-20
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 문건우 , 김종필 , 조규민 , 박기범 , 김돈식 , 김동중 , 허태원 , 이동욱 , 봉상철
IPC分类号： G05F1/70
摘要： A loss-free power factor improvement circuit is provided, which can limit the reverse recovery current by the main part diode by using the snubber inductor having small inductance. The rectified input voltage is inputted to one end of the boost inductor(Lb). The switch(Q) is connected between the other end of the boost inductor and ground. One end of the first coil(Nm) is connected to the other end of the boost inductor. One end of the snubber inductor(Ls) is connected to the other end of the first coil. The anode of the main part diode(Do) is connected to the other end of the snubber inductor. One end of the second coil(Nn) is connected to the other end of the boost inductor. The second coil is combined with the first coil and forms transformer.
摘要翻译：提供了一种无损耗功率因数改善电路，通过使用具有小电感的缓冲电感器，可以限制主要二极管的反向恢复电流。整流输入电压被输入到升压电感器（Lb）的一端。开关（Q）连接在升压电感的另一端和地之间。第一线圈的一端（Nm）连接到升压电感器的另一端。缓冲电感器（Ls）的一端连接到第一线圈的另一端。主体二极管（Do）的阳极连接到缓冲电感的另一端。第二线圈（Nn）的一端连接到升压电感器的另一端。第二线圈与第一线圈组合并形成变压器。

10. 发明授权

KR100674713B1 저손실 역률보상회로 失效
标题翻译：功率因数校正补偿电路用于低损耗
公开(公告)号：KR100674713B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020050059560
申请日：2005-07-04
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박진형 , 조광승 , 이동욱
IPC分类号： H02M7/21
摘要： 본 발명은 저손실 역률보상회로에 관한 것으로, 가포화 코어와 스파이크 저감부 및 턴 오프 손실 저감부를 추가함으로써, 스위칭 반도체 소자의 턴 온 및 턴 오프 손실을 감소시키고 다이오드의 손실을 저감시킬 수 있을 뿐 아니라, 인덕터의 누설 인덕턴스로 인하여 발생되는 전압 스파이크를 저감시켜 심각한 회로의 손상을 억제할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 의한 저손실 역률보상회로는, 입력 교류전원을 정류하여 그에 따른 직류 전압을 출력하는 정류부; 상기 정류부의 출력단에 일단이 연결되는 제 1 인덕터; 상기 정류부의 출력단과 제 1 인덕터의 타단 사이에 연결되는 제 1 스위칭 소자; 상기 제 1 인덕터와 제 1 스위칭 소자가 연결되는 제 1 노드에 일단이 연결되는 제 2 인덕터; 상기 제 2 인덕터의 타단과 연결되는 제 2 노드와 접지단 사이에 연결되는 제 1 캐패시터; 상기 제 2 노드와 직류 전압이 출력되는 제 3 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 소자; 및 상기 제 3 노드와 접지단 사이에 연결되는 제 2 캐패시터;를 포함한다.
역률보상회로, 가포화 코어, 전압 스파이크, 턴 온 및 턴 오프 손실

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