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1. 发明授权

KR100049870B1 바이디렉션래치회로의파워업노이즈억제방법 失效
公开(公告)号：KR100049870B1
公开(公告)日：1992-03-11
申请号：KR1019880008603
申请日：1988-07-11
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： G11C11/40

2. 发明授权

KR100034248B1 내부전원 발생기 失效
标题翻译：内部发电机
公开(公告)号：KR100034248B1
公开(公告)日：1990-07-09
申请号：KR1019870013612
申请日：1987-11-30
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭 , 김문곤
IPC分类号： G05F1/56

3. 发明授权

KR100041850B1 듀얼 슬로프 파형 발생회로 失效
公开(公告)号：KR100041850B1
公开(公告)日：1991-05-17
申请号：KR1019870014053
申请日：1987-12-08
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： H03K4/02

4. 发明公开

KR1019900002322A 바이디렉션래치회로의파워업노이즈억제방법 失效
公开(公告)号：KR1019900002322A
公开(公告)日：1990-02-28
申请号：KR1019880008603
申请日：1988-07-11
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： G11C11/40
摘要： 내용 없음

5. 发明授权

KR1019910008943B1 바이디렉션래치회로의파워업노이즈억제방법 失效
标题翻译：双向锁存电路的上电噪声抑制方法
公开(公告)号：KR1019910008943B1
公开(公告)日：1991-10-26
申请号：KR1019880008603
申请日：1988-07-11
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： G11C11/40
摘要： The method minimises the peak current generating at the power- up, and estimates the initial value so that the error generation is minimised. The threshold voltages are different by regulating the sizes of the pull-up and pull-down transistors forming each directional inverter, then the noise generation at the power-up is reduced.
摘要翻译：该方法使上电时产生的峰值电流最小化，并估计初始值，使误差产生最小化。阈值电压通过调节形成每个定向反相器的上拉和下拉晶体管的尺寸而不同，则上电时的噪声产生减少。

6. 发明公开

KR1019890011209A 듀얼 슬로프 파형 발생회로 失效
标题翻译：双斜坡波形生成电路
公开(公告)号：KR1019890011209A
公开(公告)日：1989-08-14
申请号：KR1019870014053
申请日：1987-12-08
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： H03K4/02
摘要： 내용 없음

7. 发明授权

KR1019900008436B1 듀얼 슬로프 파형 발생회로 失效
标题翻译：双停波形发生电路
公开(公告)号：KR1019900008436B1
公开(公告)日：1990-11-20
申请号：KR1019870014053
申请日：1987-12-08
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭
IPC分类号： H03K4/02
CPC分类号： H03K19/00361 , G11C7/06 , H03K4/00 , H03K19/0013
摘要： 내용 없음.

8. 发明授权

KR1019900001996B1 내부전원 발생기 失效
标题翻译：电源
公开(公告)号：KR1019900001996B1
公开(公告)日：1990-03-31
申请号：KR1019870013612
申请日：1987-11-30
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭 , 김문곤
IPC分类号： G05F1/56
摘要： The supply equipped in IC for providing power suitable to a highly integrated semiconductor device includes a voltage generators (11,12) generating a first and a second bias voltage, a comparator (13) transmitting a certain logic state by comparing the first and the second bias voltage, a first signal generator (14) generating a first signal according to a back bias voltage, a second signal generator (15) generating a second signal when the first and the second voltage are matched, a third signal generator (16) generating a third signal at an active signal, and a regulator (100) transmitting internal power to an output terminal (7) which is clamped by an input voltage.
摘要翻译：配备在用于提供适合于高度集成的半导体器件的电力的IC中的电源包括产生第一和第二偏置电压的电压发生器（11,12），比较器（13），通过比较第一和第二第一信号发生器（14），其根据反向偏置电压产生第一信号;第二信号发生器（15），当所述第一和第二电压匹配时产生第二信号;第三信号发生器（16），产生在活动信号处的第三信号，以及向输入端子（7）发送内部电力的调节器（100），所述输出端子被输入电压钳位。

9. 发明公开

KR1019890008651A 내부전원 발생기 失效
公开(公告)号：KR1019890008651A
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：KR1019870013612
申请日：1987-11-30
申请人： 삼성반도체통신주식회사
发明人： 정형섭 , 김문곤
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 내용 없음

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