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1. 发明公开

KR1020110027488A 용액 조성물, 이를 이용한 금속 산화물 반도체 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 형성된 금속 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 无效
标题翻译：溶液组合物，使用其制造金属氧化物半导体的方法，金属氧化物半导体和薄膜晶体管，包括其制造的金属氧化物半导体的方法制造的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020110027488A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090085595
申请日：2009-09-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 김영민 , 김보성 , 장선필 , 정연택 , 최태영 , 조승환 , 배병수 , 서석준 , 황영환
IPC分类号： H01B1/22 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/26 , H01B1/22 , H01L21/02565 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A solution composition is provided to obtain a metal oxide semiconductor which can be formed in a solution type and shows excellent semiconductor characteristics. CONSTITUTION: A solution composition for preparing a metal oxide semiconductor for a thin film transistor comprises aluminum salts and organic salts of metal. The negative ion of organic salts of metal includes acetate. A method for manufacturing a metal oxide semiconductor comprises the steps of: preparing the solution composition; coating the solution composition on a substrate; and heating the solution composition applied on the substrate to form the metal oxide semiconductor containing aluminum metal oxide.
摘要翻译：目的：提供一种溶液组合物，以获得能够形成溶液型并显示优异的半导体特性的金属氧化物半导体。构成：用于制备薄膜晶体管的金属氧化物半导体的溶液组合物包括铝盐和金属的有机盐。金属有机盐的负离子包括乙酸盐。一种制造金属氧化物半导体的方法包括以下步骤：制备溶液组合物; 将溶液组合物涂布在基材上; 并加热施加在基板上的溶液组合物，形成含有金属氧化物的金属氧化物半导体。

2. 发明公开

KR1020100130850A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100130850A
公开(公告)日：2010-12-14
申请号：KR1020090049564
申请日：2009-06-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 김영민 , 김보성 , 정연택 , 최태영 , 장선필 , 조승환 , 안보경 , 배병수 , 서석준
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/7869 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A thin film transistor array panel and a method for fabricating the same are provided to have excellent stability and electronic property and be easily fabricated. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(41) is formed on an insulation substrate(10), and includes a zinc acetate and a metal inorganic salt. A gate electrode(26) is overlapped with the oxide semiconductor layer. A gate insulation layer(30) is exposed between the oxide semiconductor layer and the gate electrode.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，具有优异的稳定性和电子性能，并且易于制造。构成：在绝缘基板（10）上形成氧化物半导体层（41），其包含乙酸锌和金属无机盐。栅电极（26）与氧化物半导体层重叠。栅极绝缘层（30）暴露在氧化物半导体层和栅电极之间。

3. 发明公开

KR1020160096786A 유기 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：有机发光二极管显示
公开(公告)号：KR1020160096786A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018150
申请日：2015-02-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이정규 , 권도현 , 심동환 , 이민정 , 조승환
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3248
摘要： 본발명에따른유기발광표시장치는기판, 상기기판위에형성되어있으며스캔신호를전달하는스캔라인, 상기스캔라인과교차하며데이터전압및 구동전압을각각전달하는데이터라인및 구동전원라인, 상기스캔라인및 상기데이터라인과연결되어있는스위칭트랜지스터, 상기스위칭트랜지스터에연결되어있는구동트랜지스터, 상기구동트랜지스터와전기적으로연결되어있는유기발광다이오드를포함하고, 상기구동전원라인이스토리지캐피시터의스토리지전극을형성한다.
摘要翻译：根据本发明，有机发光显示装置包括：基板; 扫描线，其形成在所述基板上，并传送扫描信号; 与扫描线交叉的数据线和驱动电力线，分别提供数据电压和驱动电压; 连接到扫描线和数据线的开关晶体管; 连接到开关晶体管的驱动晶体管; 以及与驱动晶体管电连接的有机发光二极管。驱动电力线形成存储电容器的存储电极。

4. 发明公开

KR1020160045229A 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基底和有机发光显示器，包括它们
公开(公告)号：KR1020160045229A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020140140173
申请日：2014-10-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 권도현 , 심동환 , 심수연 , 이민정 , 이성은 , 이일정 , 이정규
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3258 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L2227/323 , H01L29/78606 , H01L27/3262 , H01L29/78618
摘要： 본발명은기판상에구비된구동박막트랜지스터, 상기구동박막트랜지스터의구동게이트전극과연결되는제1 전극, 상기제1 전극의상부에구비되며상기제1 전극과절연되는제2 전극, 상기제1 전극과상기제2 전극의사이에형성되는스토리지절연층을포함하는스토리지캐패시터, 상기기판과상기구동게이트전극의사이에구비되어구동게이트전극을절연시키는구동게이트절연막, 상기기판의상부에구비되며상기구동게이트절연막과동일한층에형성되는패턴절연막, 상기제1 배선절연막의상부에구비되며상기구동게이트전극과동일한층에형성되는패턴전극및 상기제1 배선의상부에위치하며상기스토리지절연층과동일한층에형성되는상부층을포함하고, 상기제1 배선절연막, 상기제1 배선및 상기상부층은소정의동일한가로길이를갖도록일괄패터닝되어패턴부를형성하는박막트랜지스터어레이기판을개시한다.
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：设置在基板上的驱动薄膜晶体管; 连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的第一电极; 设置在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘的第二电极; 存储电容器，其具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的存储绝缘层; 驱动栅绝缘膜，设置在所述基板和所述驱动栅电极之间并使所述驱动栅电极绝缘; 设置在所述基板上并形成在与所述驱动栅极绝缘膜相同的层上的图案绝缘膜; 图案电极，设置在第一布线绝缘膜上并形成在与驱动栅电极相同的层上; 以及位于第一布线上并形成在与所述保存绝缘层相同的层上的上层。第一布线绝缘膜，第一布线和上层被共同构图以具有预定的相等的横向长度并形成图案部分。

5. 发明公开

KR1020150084256A 표시패널 审中-实审
标题翻译：显示面板
公开(公告)号：KR1020150084256A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004083
申请日：2014-01-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 강윤호 , 나현재 , 신영기 , 심동환
IPC分类号： G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/66969
摘要： 표시패널은베이스기판, 반도체층, 표시소자, 및적어도하나의박막트랜지스터를포함한다. 상기반도체층은상기베이스기판의일부분상에배치된다. 상기박막트랜지스터는입력전극, 출력전극, 및제어전극을포함한다. 상기반도체층은상기입력전극상에배치된제1 부분, 상기출력전극상에배치된제2 부분, 및상기제어전극에중첩하는제3 부분을포함한다. 상기제3 부분은상기제1 부분과상기제2 부분을연결하고, 상기박막트랜지스터의채널을정의한다.
摘要翻译：显示面板包括基底，半导体层，显示元件和至少一个薄膜晶体管。半导体层布置在基底基板的一部分上。薄膜晶体管包括输入电极，输出电极和控制电极。半导体层包括布置在输入电极上的第一部分，布置在输出电极上的第二部分和与控制电极重叠的第三部分。第三部分连接到第一部分和第二部分，并且限定薄膜晶体管的通道。

6. 发明授权

KR101415560B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101415560B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020070031350
申请日：2007-03-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 김보성 , 송근규 , 최태영 , 노정훈
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0021
摘要： 본 발명은 기판 위에 게이트선 및 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극을 포함한 전면에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막에 제1 개구부를 형성하는 단계, 상기 제1 개구부에 유기 반도체를 형성하는 단계, 상기 절연막 및 상기 유기 반도체 위에 보호막을 형성하는 단계, 그리고 상기 절연막을 패터닝하여 상기 화소 전극을 드러내는 제2 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 반도체, 잉크젯 인쇄, 격벽, 개구율

7. 发明公开

KR1020110116401A 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110116401A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100035789
申请日：2010-04-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김영민 , 김보성 , 장선필 , 조승환 , 조강문
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1345 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1288 , G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368
摘要： 표시 기판은 게이트 라인, 게이트 절연층, 데이터 라인, 스위칭 소자, 보호 절연층, 게이트 패드부 및 데이터 패드부를 포함한다. 게이트 라인은 기판 상에 제1 방향으로 연장된다. 게이트 절연층은 게이트 라인 상에 배치된다. 데이터 라인은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 스위칭 소자는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결된다. 보호 절연층은 스위칭 소자 상에 배치된다. 게이트 패드부는 게이트 절연층에 형성된 제1 홀을 통해 게이트 라인의 단부와 접촉하는 제1 게이트 패드전극 및 보호 절연층에 형성된 제2 홀을 통해 제1 게이트 패드전극와 접촉하는 제2 게이트 패드전극을 포함한다. 데이터 패드부는 보호 절연층에 형성된 제3 홀을 통해 데이터 라인의 단부와 접촉하는 데이터 패드전극을 포함한다.
摘要翻译：显示基板包括栅极线，栅极绝缘层，数据线，开关元件，保护绝缘层，栅极焊盘部分和数据焊盘部分。栅极绝缘层设置在栅极线上。开关元件连接到栅极线和数据线。保护绝缘层设置在开关元件上。栅极焊盘部分包括通过形成在栅极绝缘层上的第一孔与栅极线的端部接触的第一栅极焊盘电极和通过第二栅极焊盘电极与第一栅极焊盘电极接触的第二栅极焊盘电极孔通过保护层形成。数据焊盘部分包括通过形成在保护绝缘层上的第三孔与数据线的端部接触的数据焊盘电极。

8. 发明公开

KR1020110107130A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110107130A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020100026313
申请日：2010-03-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김영민 , 정연택 , 장선필 , 조승환 , 김보성 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/26 , H01L29/66742
摘要： 안정성 및 전기적 특성이 우수하며 제조가 용이한 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성되고 산화아연, 산화주석 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 산화물을 포함하는 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층과 중첩된 게이트 전극과, 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막과, 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하고 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.

9. 发明公开

KR1020080016192A 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：有机薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080016192A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060077988
申请日：2006-08-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 신중한 , 김영민 , 조승환
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L51/0003
摘要： An organic thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same are provided to form a thin insulating layer by using a fine contact printing method. A gate electrode is formed on an upper surface of a substrate(110). A gate insulating layer is formed on the gate electrode and the substrate. A source electrode(133) and a drain electrode(135) are formed on the gate insulating layer. The source electrode and the drain electrode are opposite to each other at both sides of the gate electrode. An insulating layer(140) having a first opening(146) is formed on the source electrode and the drain electrode. An organic semiconductor(154) is positioned in the first opening and comes in contact with the source electrode and the drain electrode. A pixel electrode(191) is connected to the drain electrode. The insulating layer includes fluorine and has a thickness of 10 to 7,000 angstroms.
摘要翻译：提供一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，以通过使用精细接触印刷方法形成薄的绝缘层。栅电极形成在基板（110）的上表面上。在栅电极和基板上形成栅极绝缘层。源电极（133）和漏电极（135）形成在栅极绝缘层上。源电极和漏电极在栅电极的两侧彼此相对。在源电极和漏电极上形成具有第一开口（146）的绝缘层（140）。有机半导体（154）位于第一开口中并与源电极和漏电极接触。像素电极（191）连接到漏电极。绝缘层包括氟并且具有10至7,000埃的厚度。

10. 发明公开

KR1020070106259A 표시장치와 그 제조방법 有权
标题翻译：其显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070106259A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020060038915
申请日：2006-04-28
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 이용욱 , 윤민호
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0005 , H01L51/0562
摘要： A display device is provided to form a display device having a thin film transistor with improved capability by preventing the on/off characteristic and mobility of a thin film transistor from being defective. A source electrode(50) and a drain electrode are formed on an insulation substrate, positioned at both sides of a channel region and separated from each other. A partition(130) defines an open region surrounding the channel region, exposing at least a part of the source electrode and the drain electrode. The channel region is covered with an organic semiconductor layer having first and second sub layers having different grain sizes. The second sub layer can be formed on the first sub layer, and the second sub layer has a greater grain size than that of the first sub layer.
摘要翻译：提供一种显示装置，通过防止薄膜晶体管的导通/截止特性和迁移率的缺陷来形成具有提高的能力的薄膜晶体管的显示装置。源电极（50）和漏电极形成在绝缘基板上，位于沟道区域的两侧并彼此分离。分隔件（130）限定围绕通道区域的开放区域，暴露出源电极和漏电极的至少一部分。沟道区域被具有不同晶粒尺寸的第一和第二子层的有机半导体层覆盖。第二子层可以形成在第一子层上，并且第二子层具有比第一子层更大的晶粒尺寸。

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