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1. 发明授权

KR101464228B1 가스 처리 시스템 有权
标题翻译：气体处理系统
公开(公告)号：KR101464228B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020147001152
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.

2. 发明公开

KR1020160021186A 열 균일성-증대 특성을 갖는 개선된 웨이퍼 캐리어 审中-实审
标题翻译：具有热均质增强特性的改进型散热器
公开(公告)号：KR1020160021186A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：KR1020167000191
申请日：2014-06-05
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 아무르에릭 , 크리스낭산딥 , 장알렉스 , 미트로빅보잔 , 그레리알렉산더
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01L21/324 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B25/105 , Y10T29/49826
摘要： 화학기상층착공정(CVD)에의하여적어도하나의웨이퍼상에에피택셜층을성장시키기위한시스템의용도로이용되는웨이퍼캐리어어셈블리로서, 웨이퍼캐리어어셈블리는, 중심축에대하여대칭적으로형성되고, 중심축에대하여수직적으로배치된대체로평탄한탑 표면및 탑표면에대하여평행하며평탄한바닥표면을구비하는웨이퍼캐리어몸체를포함한다. 적어도하나의웨이퍼유지포켓은탑 표면으로부터웨이퍼캐리어몸체내에리세스된다. 각웨이퍼유지포켓은플로어표면(floor surface) 및플로어표면을둘러싸며주변을정의하는주변벽표면(peripheral wall surface)을포함한다. 적어도하나의열 제어특징부는웨이퍼캐리어몸체내에형성된내부캐비티또는보이드를포함하고, 웨이퍼캐리어몸체의내부표면에의하여정의된다.
摘要翻译：一种晶片载体组件，用于通过化学气相沉积（CVD）在一个或多个晶片上生长外延层的系统中，所述晶片载体组件包括围绕中心轴对称地形成的晶片载体主体，并且包括大致平坦的顶表面，垂直于中心轴定位，平面底面平行于顶面。至少一个晶片保留袋从顶表面凹陷在晶片载体主体中。所述至少一个晶片保留袋中的每一个包括底板表面和围绕所述地板表面并限定所述晶片保持袋的周边的周壁表面。至少一个热控制特征包括形成在晶片载体主体中并由晶片载体主体的内表面限定的内腔或空隙。

3. 发明公开

KR1020140011429A 가스 처리 시스템 有权
标题翻译：气体处理系统
公开(公告)号：KR1020140011429A
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020147001151
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.

4. 发明授权

KR101483522B1 가스 처리 시스템 有权
标题翻译：气体处理系统
公开(公告)号：KR101483522B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020097016411
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.
반응 챔버, 웨이퍼, 웨이퍼 캐리어, 에피택셜 성장, 주입기 헤드

5. 发明授权

KR101464227B1 가스 처리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101464227B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020147001151
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.

6. 发明公开

KR1020140015625A 가스 처리 시스템 有权
标题翻译：气体处理系统
公开(公告)号：KR1020140015625A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020147001152
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.
摘要翻译：诸如旋转盘式反应器10的MOCVD反应器配备有具有设置在相邻气体入口之间的扩散器129的小腿注射器头。扩散器在下游方向逐渐变细。喷射器头优选具有用于第一气体（例如烷基金属）的入口117，该入口117以径向排放置，该径向排从反应器径向向内以最小化反应物在反应器壁上的沉积 Lt。喷射头还优选具有用于诸如氨的第二气体的入口125，其布置在第一气体入口的排之间的区域中，以及用于与旋转轴线同轴的第二气体的中央入口135。

7. 发明公开

KR1020090117724A 가스 처리 시스템 有权
标题翻译：气体处理系统
公开(公告)号：KR1020090117724A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020097016411
申请日：2008-01-11
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： An MOCVD reactor such as a rotating disc reactor (10) is equipped with a gas injector head having diffusers (129) disposed between adjacent gas inlets. The diffusers taper in the downstream direction. The injector head desirably has inlets (117) for a first gas such as a metal alkyl disposed in radial rows which terminate radially inward from the reactor wall to minimize deposition of the reactants on the reactor wall. The injector head desirably also has inlets (125) for a second gas such as ammonia arranged in a field between the rows of first gas inlets, and additionally has a center inlet (135) for the second gas coaxial with the axis of rotation.
摘要翻译：诸如旋转盘式反应器（10）的MOCVD反应器装备有具有布置在相邻气体入口之间的扩散器（129）的气体注入头。扩散器沿下游方向逐渐变细。喷射头理想地具有用于第一气体的入口（117），例如以径向排排列的金属烷基，其从反应器壁径向向内终止，以最小化反应物在反应器壁上的沉积。喷射头理想地还具有用于第二气体（例如布置在第一气体入口排之间的场中的氨）的入口（125），并且还具有用于与旋转轴线共轴的第二气体的中心入口（135）。

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