基本信息:
- 专利标题: 가스 처리 시스템
- 专利标题(英):Gas treatment systems
- 申请号:KR1020147001151 申请日:2008-01-11
- 公开(公告)号:KR101464227B1 公开(公告)日:2014-11-21
- 发明人: 미트로빅보잔 , 구래리알렉스 , 아모르에릭에이.
- 申请人: 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
- 申请人地址: * Terminal Drive, Plainview, NY *****, U.S.A.
- 专利权人: 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
- 当前专利权人: 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: * Terminal Drive, Plainview, NY *****, U.S.A.
- 代理人: 유미특허법인
- 优先权: US60/880,243 2007-01-12
- 国际申请: PCT/US2008/000402 2008-01-11
- 国际公布: WO2008088743 2008-07-24
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205
摘要:
회전 디스크 반응기(10) 등의 MOCVD 반응기는 인접한 가스 유입구 사이에 배치된 확산기(129)를 갖는 가주 주입기 헤드가 구비된다. 확산기는 하류 방향으로 테이퍼된다. 주입기 헤드는 반경 방향의 행으로 배치된 금속 알킬 등의 제1 가스를 위한 유입구(117)를 갖는 것이 바람직하며, 이 유입구는 반응기 벽부 상에의 반응물의 침적을 최소화하기 위해 반응기로부터 반경 방향으로 안쪽에서 종료한다. 주입기 헤드는 또한 제1 가스 유입구의 행들 사이의 필드에 배치된 암모니아 등의 제2 가스를 위한 유입구(125)와, 회전축과 동축인 제2 가스를 위한 중앙 유입구(135)를 갖는 것이 바람직하다.
摘要(英):
MOCVD reactor such as a rotating disk reactor (10) is provided with a California injector head having a diffuser 129 disposed between adjacent gas inlet. Diffuser is tapered in a downstream direction. Injector head preferably has an inlet 117 for a first gas, such as a metal alkyl arranged in a radial row, the inlet is inside in the radial direction of the reactor in order to minimize the deposition of the reaction on the reactor wall It ends at. Injector head is also preferred to have the second central inlet port 135 and an inlet 125 for gas, for a second gas, the rotational axis is coaxial with the ammonia, and the like disposed in the field between the first rows of the gas inlets.
公开/授权文献:
- KR1020140011429A 가스 처리 시스템 公开/授权日:2014-01-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长 |
----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积 |