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1. 发明公开

KR1019950011415A 나프틸 에테르 이의 제조 방법 이를 함유하는 조성물 및 이의 용도 无效
标题翻译：制备萘嵌苯醚的方法和含有该组合物的组合物
公开(公告)号：KR1019950011415A
公开(公告)日：1995-05-15
申请号：KR1019940025822
申请日：1994-10-10
申请人： 바스프 에스이
发明人： 바실리오스그라메노스 , 라인하르트키르스트겐 , 하르트만쾨니히 , 클라우스오베르도르프 , 휘베르트자우터 , 기젤라로렌츠 , 에베르하르트암메르만
IPC分类号： C07D233/96
摘要： 하기 일반식(Ⅰ)의 나프틸 에테르, 이의 제조 방법, 이를 함유하는 조성물 및 해충 또는 해로운 진균을 방제하기 위한 용도가 기술되어 있다.

상기 식에서, A는 탄소 고리원 이외에 추가의 고리원으로서 1 내지 3개의 질소 원자 또는 1 또는 2개의 질소 원자 및 산소 또는 황 원자, 또는 산소 또는 황 원자를 함유하 수 있는 비치환되거나 또는 치환된 페닐 또는 비치환 되거나 치환된 5-내지 6-원 헤테로아릴이며; n은 0 또는 1이고; x는 산소, 황 또는 질소이며, 이때 질소 원자는 수소, C
1 -C
4 -알킬, C
1 -C
4 -알콕시, C
3 -C
6 -시클로알킬, 비치환되거나 또는 치환된 페닐 또는 비치환되거나 또는 치환된 벤질기 중 어느 하나를 함유할 수 있고; Y는 산소이거나, 또는 Z가 NOCH
3 인 경우에는, 산소 또는 질소이며, 이때 질소 원자는 수소, C
1 -C
4 -알킬 또는 C
1 -C
4 -알콕시기 중 어느 하나를 함유할 수 있고: Z는 CHOCH
3 , NOCH
3 , CHCH
3 또는 CHCH
2 CH
3 이고; R
1 은 C
1 -C
4 -알킬이고; R2는 비치환되거나 또는 치환된 C
1 -C
6 -알킬, C
3 -C
6 -시클로알킬, C
2 -C
6 -알케닐 또는 C
3 -C
6 -알키닐; 비치환되거나 또는 치환된 페닐; 탄소 고리원이외에 추가의 고리원으로서 1 내지 3개의 질소 원자 또는 1 또는 2개의 질소 원자 및 산소 또는 황 원자를 함유하는 비치환되거나 또는 치환된 5-또는 6-원 헤테로아일; 또는 n이 0인 경우 상기에서 정의된 기이외에 추가로 할로겐, C
1 -C
6 -알콕시, C
1 -C
4 -알킬설폭실 또는 페닐설폭실(이때 페닐 고리는 또한 치환체를 함유할 수 있다)이다.

2. 发明授权

KR100214191B1 페닐글리옥실산 에스테르의 이-옥심 에테르의 제조 방법 失效
标题翻译：从苯丙酸酯制备电子零件的方法
公开(公告)号：KR100214191B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019910025541
申请日：1991-12-30
申请人： 바스프 에스이
发明人： 호르스트빙게르트 , 베른트볼프 , 레미베노아 , 후베르트사우터 , 미하일헤프 , 바실리오스그라메노스 , 토마스쿠에켄호에흐너
IPC分类号： C07C251/48
CPC分类号： C07C317/24 , C07C51/09 , C07C51/367 , C07C65/24 , C07C69/738 , C07C235/34 , C07C249/08 , C07C251/48 , C07C253/14 , C07C255/17 , C07C65/21
摘要： 본 발명은 (a) 하기 일반식(II)의 페놀을 희석제 존재하에 염기를 사용하여 페놀레이트로 전환시키고,
[일반식 II]

(b) 이 페놀레이트를 하기 일반식(III)의 락톤과 혼합하고,
[일반식 III]

(c) 희석제를 증류에 의하여 제거하고 이 혼합물을 50 내지 250℃에서 용융 상태로 반응시키고, (d) 여전히 액채인 용융물을 물에 용해시키고, 산성화시키고 생성된 하기 일반식(IV)의 2-페녹시메틸벤조산을
[일반식 IV]

(e) 통상적인 방법으로 포스겐 또는 염화티오닐을 사용하여 대응하는 하기 일반식(V)의 2-페녹시메틸 벤조일 클로라이드로 전환시키고,
[일반식 V]

(f) 2-페녹시메틸벤조일 클로라이드(5)를, 필요하다면 시안화수소산 존재하에, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 시안화물과 반응시키고, (g) 생성된 하기 일반식(VI)의 2-페녹시메틸벤조일 시안화물을 산 존재하에 메탄올과 반응시키고,
[일반식 VI]

(h) 필요하다면, 하기 일반식(VIIb)의 케토 카르복실산 에스테르 디메틸 아세탈 부산물을 산성 조건 하에서 절단시키고, 필요하다면 부산물인 하기 일반식(VIIc)의 α-케토 카르복스아미드를 다시 단계(g)에서와 같이 반응시키거나,
[일반식 VIIb]

[일반식 VIIc]

(식 중, R은 수소 또는 아실임), 또는 (i) 하기 일반식(Va)의 o-페녹시메틸벤조산 에스테르를 염기존재하에 디메틸 술폭시드와 반응시키고, 생성된 하기 일반식(VIa)의 β-케토 술폭시드를 할로겐화제와 혼합하고, 이 혼합물을 산 존재 하에서 메탄올과 반응시키고,
[일반식 Va]

[일반식 VIa]

(식 중, R은 C
1 -C
4 -알킬임)
(k) 생성된 하기 일반식(VIIa)의 메틸 2-페녹시메틸글리옥실 레이트 또는 하기 일반식(VIIb)의 아세탈 또는 화합물(VIIa) 및 (VIIb)의 혼합물을 o-메틸히드록실아민 또는 그의 산 부가염 중 1종과 반응시키고, 동시에 또는 후속하여 산으로 처리하는 것
[일반식 VIIa]

[일반식 VIIb]

으로 이루어진, 페닐글리옥실산 에스테르의 E-옥심 에테르(I)의 제조 방법에 관한 것이다.
[일반식 I]

식 중, X 및 Y는 각각 할로겐, C
1 -C
4 -알킬, C
1 -C
4 -알콕시 또는 트리플루오로메틸이고, m은 0 내지 4의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이다.

3. 发明公开

KR1019920012013A 페닐글리옥실산 에스테르의 이-옥심 에테르의 제조 방법 失效
标题翻译：制备苯基乙醛酸酯的1-肟醚的方法
公开(公告)号：KR1019920012013A
公开(公告)日：1992-07-25
申请号：KR1019910025541
申请日：1991-12-30
申请人： 바스프 에스이
发明人： 호르스트빙게르트 , 베른트볼프 , 레미베노아 , 후베르트사우터 , 미하일헤프 , 바실리오스그라메노스 , 토마스쿠에켄호에흐너
IPC分类号： C07C251/48
摘要： 내용 없음

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