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    • 5. 发明授权
    • 디티에노벤조-티에노[3,2-B]티오펜 공중합체 및 고성능 용액 공정 가능한 반도체 중합체로서 이의 용도
    • 二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途
    • KR101780083B1
    • 2017-10-10
    • KR1020127016964
    • 2010-11-29
    • 바스프 에스이막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.
    • 카스틀러마르셀코엘러실케안니카무엘렌클라우스리거랄프
    • C08G61/12C08L65/00H01L51/00H01L51/05
    • H01L51/0043C08G61/126C08G2261/124C08G2261/3223C08G2261/3243C08G2261/414C08G2261/92H01L51/0036H01L51/0558Y02E10/549
    • 화학식 (I)의디티에노벤조-티에노[3,2-b]티오펜-공중합체:상기식에서: pi는 1-4개의 R기로임의로치환된단환식또는다환식부분(moiety)이고, 여기서 R는각각의경우에독립적으로수소또는 a) 할로겐, b) -CN, c) - NO, d) 옥소, e) -OH, f) =C(R), g) C알킬기, h) C알케닐기, i) C알키닐기, j) C알콕시기, k) C알킬티오기, l) C할로알킬기, m) -Y-C시클로알킬기, n) -Y-C아릴기, o) -Y-3-12원(membered) 시클로헤테로알킬기, 또는 p) -Y-5-14원헤테로아릴기이고, 여기서 C알킬기, C알케닐기, C알키닐기, C시클로알킬기, C아릴또는할로아릴기, 3-12원시클로헤테로알킬기, 및 5-14원헤테로아릴기 각각은 1-4개의 R기로임의로치환되며; Y는각각의경우에독립적으로 2가의 C알킬기, 2가의 C할로알킬기, 또는공유결합이고; R, R, R은각각의경우에독립적으로 H, 할로겐, CN, C알킬기, C알케닐기, C할로알킬기, C알키닐기, C알콕시기, C(O)-C알킬기, C(O)-OC알킬기, Y-C시클로알킬기, -Y-3-12원시클로헤테로알킬기이고, 각각은할로겐, -CN, C알킬기, C알콕시기, 및 C할로알킬기, -L-Ar, -L-Ar-Ar, -L-Ar-R, 또는 -L-Ar-Ar-R로부터선택된 1-5개의치환기로임의로치환되며; Y는각각의경우에독립적으로 2가의 C알킬기, 2가의 C할로알킬기, 또는공유결합이고; n은 0, 1, 2이고; o는 1 - 1000 이다.
    • 式(I)的二硫醇无苯并共聚物噻吩并[3,2-b]噻吩:的pI是任选取代的单环或多环doendan部分(部分)基团1-4 R,其中:其中: R各自独立地为氢或a)卤素,b)-CN,c)-NO,d)氧代,e)-OH,f)= C N)-YC芳基,o)具有1至6个碳原子的-Y-3-12元杂芳基, (元)杂芳基环烷基,或p)-Y-5-14元杂芳基,其中C烷基,C链烯基,C炔基,C环烷基,芳基或C的芳基,3-12源是 环杂烷基和5-14元杂芳基任选被1-4个R基团取代; Y在每种情况下独立地为二价C烷基,二价C卤代烷基或共价键; R,R和R各自独立地为H,卤素,CN,C烷基,C烯基,C卤代烷基,C炔基,C烷氧基,C(O) OC烷基,YC环烷基,-Y-3-12环赢得杂芳基,且各自为卤素,-CN,C烷基,C烷氧基,和C卤代烷基,-L-的Ar,-L-AR-的Ar, -L-Ar-R或-L-Ar-Ar-R; Y在每种情况下独立地为二价C烷基,二价C卤代烷基或共价键; n是0,1,2; o是1 - 1000。