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    • 5. 发明授权
      KR101780083B1 디티에노벤조-티에노［3,2-Ｂ］티오펜 공중합체 및 고성능 용액 공정 가능한 반도체 중합체로서 이의 용도 有权
    • 디티에노벤조-티에노［3,2-Ｂ］티오펜 공중합체 및 고성능 용액 공정 가능한 반도체 중합체로서 이의 용도
    • 二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途
    • KR101780083B1
    • 2017-10-10
    • KR1020127016964
    • 2010-11-29
    • 바스프 에스이 , 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.
    • 카스틀러마르셀 , 코엘러실케안니카 , 무엘렌클라우스 , 리거랄프
    • C08G61/12 , C08L65/00 , H01L51/00 , H01L51/05
    • H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0558 , Y02E10/549
    • 화학식 (I)의디티에노벤조-티에노[3,2-b]티오펜-공중합체:상기식에서: pi는 1-4개의 R기로임의로치환된단환식또는다환식부분(moiety)이고, 여기서 R는각각의경우에독립적으로수소또는 a) 할로겐, b) -CN, c) - NO, d) 옥소, e) -OH, f) =C(R), g) C알킬기, h) C알케닐기, i) C알키닐기, j) C알콕시기, k) C알킬티오기, l) C할로알킬기, m) -Y-C시클로알킬기, n) -Y-C아릴기, o) -Y-3-12원(membered) 시클로헤테로알킬기, 또는 p) -Y-5-14원헤테로아릴기이고, 여기서 C알킬기, C알케닐기, C알키닐기, C시클로알킬기, C아릴또는할로아릴기, 3-12원시클로헤테로알킬기, 및 5-14원헤테로아릴기 각각은 1-4개의 R기로임의로치환되며; Y는각각의경우에독립적으로 2가의 C알킬기, 2가의 C할로알킬기, 또는공유결합이고; R, R, R은각각의경우에독립적으로 H, 할로겐, CN, C알킬기, C알케닐기, C할로알킬기, C알키닐기, C알콕시기, C(O)-C알킬기, C(O)-OC알킬기, Y-C시클로알킬기, -Y-3-12원시클로헤테로알킬기이고, 각각은할로겐, -CN, C알킬기, C알콕시기, 및 C할로알킬기, -L-Ar, -L-Ar-Ar, -L-Ar-R, 또는 -L-Ar-Ar-R로부터선택된 1-5개의치환기로임의로치환되며; Y는각각의경우에독립적으로 2가의 C알킬기, 2가의 C할로알킬기, 또는공유결합이고; n은 0, 1, 2이고; o는 1 - 1000 이다.
    • 式（I）的二硫醇无苯并共聚物噻吩并[3,2-b]噻吩：的pI是任选取代的单环或多环doendan部分（部分）基团1-4 R，其中：其中： R各自独立地为氢或a）卤素，b）-CN，c）-NO，d）氧代，e）-OH，f）= C N）-YC芳基，o）具有1至6个碳原子的-Y-3-12元杂芳基， （元）杂芳基环烷基，或p）-Y-5-14元杂芳基，其中C烷基，C链烯基，C炔基，C环烷基，芳基或C的芳基，3-12源是 环杂烷基和5-14元杂芳基任选被1-4个R基团取代; Y在每种情况下独立地为二价C烷基，二价C卤代烷基或共价键; R，R和R各自独立地为H，卤素，CN，C烷基，C烯基，C卤代烷基，C炔基，C烷氧基，C（O） OC烷基，YC环烷基，-Y-3-12环赢得杂芳基，且各自为卤素，-CN，C烷基，C烷氧基，和C卤代烷基，-L-的Ar，-L-AR-的Ar， -L-Ar-R或-L-Ar-Ar-R; Y在每种情况下独立地为二价C烷基，二价C卤代烷基或共价键; n是0,1,2; o是1 - 1000。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明公开
      KR1020110031364A [2,3-Ｄ:2',3'-Ｄ']벤조[1,2-Ｂ:4,5-Ｂ']디티오펜을 베이스로 하는 고성능 용액 가공성 반도체 无效
    • [2,3-Ｄ:2',3'-Ｄ']벤조[1,2-Ｂ:4,5-Ｂ']디티오펜을 베이스로 하는 고성능 용액 가공성 반도체
    • 基于DITHIENO [2,3-D：2'，3'-D'] BENZO [1,2-B：4,5-B']二氢苯的高性能溶液可处理的SEMINCONUCTOR
    • KR1020110031364A
    • 2011-03-25
    • KR1020117002722
    • 2009-06-25
    • 바스프 에스이 , 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.
    • 카스틀러마르셀 , 쾨흘러질케안니카 , 뮐렌클라우스 , 까오펑 , 베크만디르크 , 펑신리앙 , 차오호이녹
    • C07D495/22 , C07D495/12 , H01L51/30
    • H01L51/0074 , C07D495/22 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , G02B2006/12069 , H01L51/0545 , H01L51/5048 , H05B33/10 , H05B33/14 , Y02E10/549
    • 본 발명은 하기 화학식 I의 디티에노벤조디티오펜에 관한 것이다:

      상기 식 중,
      R
      1 내지 R
      6 는 각각 독립적으로 a) H, b) 할로겐, c) -CN, d) -NO
      2 , e) -OH, f) C
      1-20 알킬기, g) C
      2-20 알케닐기, h) C
      2-20 알키닐기, i) C
      1-20 알콕시기, j) C
      1-20 알킬티오기, k) C
      1-20 할로알킬기, l) -YC
      3-10 시클로알킬기, m) -YC
      6-14 아릴기, n) -Y-3-12원 시클로헤테로알킬기 또는 o) -Y-5-14원 헤테로아릴기에서 선택되는데, 상기 C
      1-20 알킬기, C
      2-20 알케닐기, C
      2-20 알키닐기, C
      3-10 시클로알킬기, C
      6-14 아릴기, 3-12원 시클로헤테로알킬기 및 5-14원 헤테로아릴기 각각은 임의로 1∼4개의 R
      7 기로 치환되고, R
      1 과 R
      3 및 R
      2 와 R
      4 는 또한 함께 지방족 환식 부분을 형성할 수 있으며,
      R
      7 은 독립적으로 a) 할로겐, b) -CN, c) -NO
      2 , d) 옥소, e) -OH, f) -NH
      2 , g) -NH(C
      1-20 알킬), h) -N(C
      1-20 알킬)
      2 , i) -N(C
      1-20 알킬)-C
      6-14 아릴, j) -N(C
      6-14 아릴)
      2 , k) -S(O)
      m H, l) -S(O)
      m -C
      1-20 알킬, m) -S(O)
      2 OH, n) -S(O)
      m -OC
      1-20 알킬, o) -S(O)
      m -OC
      6-14 아릴, p) -CHO, q) -C(O)-C
      1-20 알킬, r) -C(O)-C
      6-14 아릴, s) -C(O)OH, t) -C(O)-OC
      1-20 알킬, u) -C(O)-OC
      6-14 아릴, v) -C(O)NH
      2 , w) -C(O)NH-C
      1-20 알킬, x) -C(O)N(C
      1-20 알킬)
      2 , y) -C(O)NH-C
      6-14 아릴, z) -C(O)N(C
      1-20 알킬)-C
      6-14 아릴, aa) -C(O)N(C
      6-14 아릴)
      2 , ab) -C(S)NH
      2 , ac) -C(S)NH-C
      1-20 알킬, ad) -C(S)N(C
      1-20 알킬)
      2 , ae) -C(S)N(C
      6-14 아릴)
      2 , af) -C(S)N(C
      1-20 알킬)-C
      6-14 아릴, ag) -C(S)NH-C
      6-14 아릴, ah) -S(O)
      m NH
      2 , ai) -S(O)
      m NH(C
      1-20 알킬), aj) -S(O)
      m N(C
      1-20 알킬)
      2 , ak) -S(O)
      m NH(C
      6-14 아릴), al) -S(O)
      m N(C
      1-20 알킬)-C
      6-14 아릴, am) -S(O)
      m N(C
      6-14 아릴)
      2 , an) -SiH
      3 , ao) -SiH(C
      1-20 알킬)
      2 , ap) -SiH
      2 (C
      1-20 알킬), aq) -Si(C
      1-20 알킬)
      3 , ar) C
      1-20 알킬기, as) C
      2-20 알케닐기, at) C
      2-2O 알키닐기, au) C
      1-20 알콕시기, av) C
      1-20 알킬티오기, aw) C
      1-20 할로알킬기, ax) C
      3-10 시클로알킬기, ay) C
      6-14 아릴기, az) 할로아릴기, ba) 3-12원 시클로헤테로알킬기, 또는 bb) 5-14원 헤테로아릴기에서 선택되고,
      Y는 독립적으로 2가 C
      1-6 알킬기, 2가 C
      1-6 할로알킬기, 또는 공유 결합에서 선택되며;
      m은 독립적으로 0, 1, 또는 2에서 선택된다.
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