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1. 发明授权

KR101072262B1 직류 전압 인가에 의한 산화아연 나노선의 전자방출능력 향상방법 및 산화아연 나노선을 사용한 디바이스의 전자방출능력 향상방법 有权
标题翻译：用于增强ZnO纳米颗粒的场发射性能的方法以及通过应用直流电压来增强使用ZnO纳米管的器件的场发射性能的方法
公开(公告)号：KR101072262B1
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020090008621
申请日：2009-02-03
申请人： 명지대학교 산학협력단
发明人： 최영진 , 배준호 , 심이레 , 박미나
IPC分类号： B82B3/00 , C01G9/02 , B82Y40/00
摘要： 본발명은산화아연나노선의전자방출능력향상방법및 산화아연나노선을사용한디바이스의전자방출능력향상방법에관한것이다. 본발명은필드이미션전자방출원의소재로활용될수 있는산화아연나노선의제조방법을제공할수 있을뿐만아니라산화아연나노선을사용한디바이스에대해별도의복잡한장치나구성의필요없이낮은직류전압을인가함으로써전자방출능력을효율적이며경제적으로향상시킬수 있는방법을제공할수 있다.

2. 发明授权

KR101070314B1 염산 수용액 내에서 화학적 에칭에 의하여 제조된 산화아연나노콘 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：使用在HCl水溶液中进行湿化学蚀刻制备的ZnO纳米颗粒及其制备方法
公开(公告)号：KR101070314B1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020090006715
申请日：2009-01-28
申请人： 명지대학교 산학협력단
发明人： 최영진 , 배준호 , 심이레 , 박미나
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/16 , B82Y40/00
摘要： 본발명은염산수용액내에서화학적에칭에의한산화아연나노콘의제조방법으로, 기판위에산화아연나노선또는산화아연나노막대를형성하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서산화아연나노선또는나노막대가형성된기판을염산수용액에침적시키는단계(단계 2)를포함하는산화아연나노콘의제조방법을제공한다. 본발명에따른산화아연나노콘의제조방법은간단한공정으로산화아연나노콘을제조할수 있기때문에저비용으로단시간내에산화아연나노콘을대량생산할수 있는효과가있다.

3. 发明公开

KR1020100089397A 직류 전압 인가에 의한 산화아연 나노선의 전자방출능력 향상방법 및 산화아연 나노선을 사용한 디바이스의 전자방출능력 향상방법 有权
标题翻译：用于制备具有增强的场发射性能的ZNO纳米颗粒的方法和用于通过应用直流电压来增强使用ZNO纳米颗粒的器件的场发射性能的方法
公开(公告)号：KR1020100089397A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008621
申请日：2009-02-03
申请人： 명지대학교 산학협력단
发明人： 최영진 , 배준호 , 심이레 , 박미나
IPC分类号： B82B3/00 , C01G9/02 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide nanowires and a method for enhancing an electron emission property are provided to obtain the zinc oxide nanowires which are used as an electron emitter of field emission and to efficiently and economically enhance the electron emission property by applying low DC voltage without to a device using the zinc oxide nanowires. CONSTITUTION: A method for manufacturing zinc oxide nanowires having an enhanced field emission property includes a step of applying DC voltage to the zinc oxide nanowires which are formed on a substrate. The applied DC voltage is 700-1000 bolt(V) and the DC voltage is applied for 12-24 hours. A method for enhancing a field emission property of a device using the zinc oxide nanowires comprises the following steps: mounting the zinc oxide nanowires on the device; comprising an electronic circuit including an anode and a cathode using the zinc oxide nanowires as the cathode; and applying the DC voltage to the electronic circuit.
摘要翻译：目的：提供一种制造氧化锌纳米线的方法和提高电子发射性能的方法，以获得用作场致发射体的电子发射体的氧化锌纳米线，并通过施加低DC来有效且经济地提高电子发射性能而不用使用氧化锌纳米线的器件。构成：具有增强的场致发射特性的氧化锌纳米线的制造方法包括向形成在基板上的氧化锌纳米线施加直流电压的工序。施加的直流电压为700-1000螺栓（V），直流电压施加12-24小时。使用氧化锌纳米线增强器件的场致发射性能的方法包括以下步骤：将氧化锌纳米线安装在器件上; 包括使用氧化锌纳米线作为阴极的包括阳极和阴极的电子电路; 以及将所述DC电压施加到所述电子电路。

4. 发明公开

KR1020100087598A 염산 수용액 내에서 화학적 에칭에 의하여 제조된 산화아연나노콘 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：在HCL水溶液中使用湿化学蚀刻制备的ZNO纳米颗粒及其制备方法
公开(公告)号：KR1020100087598A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：KR1020090006715
申请日：2009-01-28
申请人： 명지대학교 산학협력단
发明人： 최영진 , 배준호 , 심이레 , 박미나
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/16 , B82Y40/00
CPC分类号： C23F1/30 , B82Y40/00 , C23F1/16
摘要： PURPOSE: A ZnO nano cone and a preparation method thereof are provided to enable mass production of nanocone within a short time by employing wet chemical etching using HCl solution. CONSTITUTION: A preparation method of ZnO nanocone comprises the steps of: forming ZnO nanowire or ZnO nanorod on a substrate, dipping the substrate with zinc nanowire or ZnO nanorod in HCl solution, carrying out wet chemical etching by agitating the HCl solution in which the substrate with zinc nanowire or ZnO nanorod is dipped, and separating the substrate from the HCl solution and cleaning with ultra-pure water.
摘要翻译：目的：提供一种ZnO纳米锥及其制备方法，通过使用HCl溶液进行湿化学蚀刻，可以在短时间内大量生产纳米酮。构成：ZnO纳米酮的制备方法包括以下步骤：在衬底上形成ZnO纳米线或ZnO纳米棒，将基底用锌纳米线或ZnO纳米棒浸入HCl溶液中，通过搅拌HCl溶液进行湿化学蚀刻，其中衬底用锌纳米线或ZnO纳米棒浸渍，并将基底与HCl溶液分离并用超纯水清洗。

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