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    • 3. 发明授权
    • 갭-충전 방법
    • 间隙充电方法
    • KR101759896B1
    • 2017-07-20
    • KR1020150094381
    • 2015-07-01
    • 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨롬엔드하스전자재료코리아유한회사
    • 심재환임재봉조정규구봉기슈쳉-바이
    • H01L21/768H01L21/027H01L21/02
    • H01L21/76224H01L21/0276H01L21/31058
    • 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
    • 提供了间隙填充方法。 (A)提供具有浮雕图像的半导体衬底,所述浮雕图像包括在所述衬底的所述表面上以50nm或更小的宽度填充的多个间隙; (b)包含交联基团的第一聚合物,包含发色团的第二聚合物,交联剂,酸催化剂和溶剂,其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同且排列在间隙中, 适用于图片; (c)在第一聚合物自交联和/或与第二聚合物相容的温度下加热间隙填充组合物以形成未固化的聚合物; (d)在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; (e)用光化辐射构图光致抗蚀剂层; (f)显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法在填充半导体器件制造中的抗反射涂层材料标识纵横比间隙方面具有特殊的适用性。
    • 8. 发明公开
    • 갭-충전 방법
    • GAP填充方法
    • KR1020160004945A
    • 2016-01-13
    • KR1020150094381
    • 2015-07-01
    • 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨롬엔드하스전자재료코리아유한회사
    • 심재환임재봉조정규구봉기슈쳉-바이
    • H01L21/768H01L21/027H01L21/02
    • H01L21/76224H01L21/0276H01L21/31058
    • 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
    • 提供了间隙填充方法。 所述方法包括:(a)在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底,其中所述浮雕图像包括要填充的多个间隙,并且所述间隙具有50nm或更小的宽度; (b)在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物,其中所述间隙填充组合物包含包含可交联基团的第一聚合物,包含发色团的第二聚合物,其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同,交联剂,酸 催化剂和溶剂,其中间隙填充组合物布置在间隙中; (c)在一定温度下加热间隙填充组合物以使第一聚合物与第二聚合物自交联和/或交联以形成交联聚合物; (d)在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; (e)将光致抗蚀剂层图形化地曝光于激活辐射; 和(f)显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法特别适用于在半导体器件的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。