专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101828114B1 전극 고정 플래튼 및 그것을 통합한 전극 연마 어셈블리 有权
标题翻译：并入它的电极固定台板和电极抛光组件
公开(公告)号：KR101828114B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020137011480
申请日：2011-11-01
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 라크루아클리프 , 아보얀아멘 , 아웃카듀안 , 저우캐서린 , 시홍
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30 , B24B41/061
摘要： 일실시형태에서, 전극연마어셈블리는전극고정플래튼, 복수의전극위치결정패스너들, 및전극을포함할수도있다. 전극위치결정패스너들의각각은전극이격숄더, 전극이격숄더로부터연장되는변량상쇄숄더, 변량상쇄숄더로부터연장되는나사형플래튼클램핑부, 및나사형플래튼클램핑부와결합되는나사형넛트를포함할수도있다. 전극위치결정패스너들은, 나사형넛트와전극이격숄더사이에전극고정플래튼을클램핑한다. 변량상쇄숄더는적어도부분적으로전극고정플래튼의복수의변량상쇄통로들중 하나내에있다. 최소포지션스택-업은최소통로사이즈마이너스최대숄더사이즈와동일하다. 최대포지션스택-업은최대통로사이즈마이너스최소숄더사이즈와동일하다. 최대포지션스택-업은최소포지션스택-업보다크다.
摘要翻译：在一个实施例中，电极抛光组件可以包括电极固定台板，多个电极定位紧固件和电极。每个紧固件的电极定位也能包括螺纹螺母与方差偏移肩，螺纹压板夹紧单元，mitna扫描压板夹紧部分从所述电极延伸的方差偏移肩间隔肩部延伸，电极间距肩接合有。电极定位紧固件将电极固定板夹在螺母和电极间隔的肩部之间。可变偏移肩部至少部分地位于电极固定台板的多个可变偏移通道中的一个内。最小位置堆叠等于最小路径尺寸减去最大肩部尺寸。最大位置堆叠等于最大路径尺寸减去最小肩部尺寸。最大位置叠加大于最小位置叠加。

2. 发明授权

KR101467599B1 본딩된 실리콘 전극의 세정 有权
标题翻译：粘结硅电极的清洁
公开(公告)号：KR101467599B1
公开(公告)日：2014-12-02
申请号：KR1020097022728
申请日：2008-03-27
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 아웃카듀안 , 어거스티노제이슨 , 아보얀아멘 , 휘튼스티븐 , 시홍 , 팡옌
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01J37/32862
摘要： 플라즈마프로세싱챔버컴포넌트를세정하는방법은, 세정액과컴포넌트의표면에접촉시키면서세정액에의한컴포넌트의다른표면또는영역의손상을피하는단계를포함한다. 세정되는예시적인플라즈마프로세싱챔버컴포넌트는플라즈마-노출된실리콘표면을갖는실리콘부재, 배킹부재, 및실리콘표면과배킹부재사이의엘리스토머본딩재료를갖는엘라스토머-본딩된전극어셈블리이다.

3. 发明公开

KR1020140032012A 플라즈마 챔버 재료로서의 산화이트륨의 수명 연장 有权
标题翻译：作为等离子体腔室材料延长氧化钇使用寿命
公开(公告)号：KR1020140032012A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020147004295
申请日：2008-01-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 시홍 , 아웃카듀안 , 리우센지앙 , 도허티존
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J9/24 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , Y10T29/4973
摘要： 플라즈마 챔버 재료로서의 산화이트륨의 수명을 연장하는 2 개의 방법이 제공된다. 제 1 방법은, 제 1 층은 세라믹 입자들을 포함하고 제 2 층은 산화이트륨 입자들을 포함하는 2 층 그린 바디를 동시 소결함으로써 플라즈마 처리 챔버의 3 층 컴포넌트를 제조하는 단계를 포함한다. 2 개의 층들은 소결 프로세스 동안에 밀접된다. 바람직한 실시형태에서, 3 층 컴포넌트는 산화이트륨 외부층, YAG 중간층 및 알루미나 제 2 외부층을 포함한다. 옵션으로, 디스크들이 소결 프로세스 동안에 함께 프레스된다. 3 층 컴포넌트 결과물은 공극률이 매우 낮다. 바람직하게는, 산화이트륨 외부층, YAG 중간층 및 알루미나 제 2 외부층 중 어떠한 것도 공극률이 3 % 미만이다. 제 2 방법은 컴포넌트의 모든 산화이트륨 표면들에 밀봉제를 브러쉬함으로써 컴포넌트에 50 cP 미만의 실온 점도를 갖는 액체 무산소성 밀봉제를 도포하는 단계, 컴포넌트를 습윤 세정하는 단계, 습윤 세정된 컴포넌트를 N
2 환경에서 적어도 150℃ 온도로 2 시간 이상 경화하는 단계 및 제 1 코팅을 도포하는데 사용된 프로시저를 반복하여 경화된 기판에 제 2 밀봉제 코팅을 도포하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：提供两种方法来延长作为等离子体室材料的氧化钇的寿命。第一种方法包括通过共烧结双层生坯体来制造等离子体处理室的三层部件，其中第一层包含陶瓷颗粒并且第二层包含氧化钇颗粒。在烧结过程中两层紧密接触。在一个优选的实施方案中，三层组分包含氧化钇外层，YAG中间层和第二氧化铝外层。可选地，在烧结过程中将这些盘压在一起。三层组件导致孔隙度非常低。优选地，氧化钇外层，YAG中间层和氧化铝第二外层都没有孔隙率小于3％。第二种方法包括通过在部件的所有氧化钇表面上刷上密封剂，湿部件清洁，将室温粘度小于50cP的液体缺氧密封剂施加到部件上，

4. 发明公开

KR1020100016072A 본딩된 실리콘 전극의 세정 有权
标题翻译：粘结硅电极的清洁
公开(公告)号：KR1020100016072A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097022728
申请日：2008-03-27
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 아웃카듀안 , 어거스티노제이슨 , 아보얀아멘 , 휘튼스티븐 , 시홍 , 팡옌
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01J37/32862
摘要： Methods of cleaning plasma processing chamber components include contacting surfaces of the components with a cleaning solution, while avoiding damage of other surfaces or areas of the components by the cleaning solution. An exemplary plasma processing chamber component to be cleaning is an elastomer bonded electrode assembly having a silicon member with a plasma-exposed silicon surface, a backing member, and an elastomer bonding material between the silicon surface and the backing member.
摘要翻译：清洁等离子体处理室部件的方法包括将部件的表面与清洁溶液接触，同时避免清洁溶液损坏其它表面或部件区域。要清洁的示例性等离子体处理室部件是具有硅构件的弹性体接合电极组件，其具有等离子体暴露的硅表面，背衬构件和在硅表面和背衬构件之间的弹性体接合材料。

5. 发明授权

KR101787139B1 가스 전달 시스템의 코팅 방법 有权
标题翻译：输气系统的涂装方法
公开(公告)号：KR101787139B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020127030655
申请日：2011-04-15
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 켄워시이안 , 아웃카듀안 , 하오팡리 , 샤플레스레오나르드 , 두이쥔
IPC分类号： C23C16/50 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： F17D5/005 , B05D1/30 , B05D7/222 , F17D1/04 , H01J37/3244 , H01J37/32495 , H01J2237/3341 , H01L21/67069 , Y10T137/8593
摘要： 플라즈마식각시스템과같은플라즈마프로세스시스템에대한가스전달시스템의가스통로들의내면들을코팅하는방법은, (a) 상기가스통로들을통해내부식성재료의유체성전구체를유입시키고가스통로들의상기내면들을코팅하도록유체성전구체의층을성막하는단계; (b) 내면들로부터초과유체성전구체를제거하는단계; (c) 내부식성재료코팅을형성하도록성막된유체성전구체의층을경화하는단계를포함한다.
摘要翻译：气体输送系统汽缸的等离子体处理系统的内表面上涂覆诸如等离子体刻蚀系统的方法中，（a）至通过所述气体通道和所述气体流路的内表面的涂层引入所述耐腐蚀材料制成的流体寺庙具体实例沉积一层流体太阳穴球体; （b）从内表面去除多余的流体镜腿球体; （c）固化流体镜腿的层以形成耐腐蚀材料涂层。

6. 发明授权

KR101555735B1 멀티-컴포넌트 전극을 재컨디셔닝하는 프로세스 有权
标题翻译： - 多组分电极的重构方法
公开(公告)号：KR101555735B1
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020117002393
申请日：2009-06-23
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 아보얀아멘 , 팡옌 , 아웃카듀안 , 시홍 , 휘튼스티븐
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/32559
摘要： 전기적도전성백킹플레이트에본딩된실리콘전극을포함하는멀티-컴포넌트전극을재컨디셔닝하는프로세스가제공된다. 이프로세스는, (ⅰ) 황산, 과산화수소, 및물을포함하는실질적인무알코올 DSP 용액에서멀티-컴포넌트전극을소킹 (soaking) 하고탈이온수로멀티-컴포넌트전극을린싱함으로써멀티-컴포넌트전극으로부터금속이온을제거하는단계; (ⅱ) 상기제거단계로부터의금속이온의제거에후속하여멀티-컴포넌트전극의하나이상의표면을연마하는단계; 및 (ⅲ) 연마된멀티-컴포넌트전극을플루오르화수소산, 질산, 아세트산, 및물을포함하는혼합된산성용액으로처리하고, 처리된멀티-컴포넌트전극을탈이온수로린싱함으로써멀티-컴포넌트전극의실리콘표면으로부터오염물질을제거하는단계를포함한다. 더넓거나더 좁은범위의추가의실시형태가예상된다.

7. 发明授权

KR101482504B1 플라즈마 챔버 재료로서의 산화이트륨의 수명 연장 有权
公开(公告)号：KR101482504B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020147004279
申请日：2008-01-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 시홍 , 아웃카듀안 , 리우센지앙 , 도허티존
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J9/24 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , Y10T29/4973
摘要： 플라즈마 챔버 재료로서의 산화이트륨의 수명을 연장하는 2 개의 방법이 제공된다. 제 1 방법은, 제 1 층은 세라믹 입자들을 포함하고 제 2 층은 산화이트륨 입자들을 포함하는 2 층 그린 바디를 동시 소결함으로써 플라즈마 처리 챔버의 3 층 컴포넌트를 제조하는 단계를 포함한다. 2 개의 층들은 소결 프로세스 동안에 밀접된다. 바람직한 실시형태에서, 3 층 컴포넌트는 산화이트륨 외부층, YAG 중간층 및 알루미나 제 2 외부층을 포함한다. 옵션으로, 디스크들이 소결 프로세스 동안에 함께 프레스된다. 3 층 컴포넌트 결과물은 공극률이 매우 낮다. 바람직하게는, 산화이트륨 외부층, YAG 중간층 및 알루미나 제 2 외부층 중 어떠한 것도 공극률이 3 % 미만이다. 제 2 방법은 컴포넌트의 모든 산화이트륨 표면들에 밀봉제를 브러쉬함으로써 컴포넌트에 50 cP 미만의 실온 점도를 갖는 액체 무산소성 밀봉제를 도포하는 단계, 컴포넌트를 습윤 세정하는 단계, 습윤 세정된 컴포넌트를 N
2 환경에서 적어도 150℃ 온도로 2 시간 이상 경화하는 단계 및 제 1 코팅을 도포하는데 사용된 프로시저를 반복하여 경화된 기판에 제 2 밀봉제 코팅을 도포하는 단계를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020140111997A 플라즈마 챔버 부품 상의 내식성 알루미늄 코팅 审中-实审
标题翻译：在等离子体室组件上的耐腐蚀铝涂层
公开(公告)号：KR1020140111997A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020140029243
申请日：2014-03-12
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 도허티존 , 시홍 , 서린 , 아마디오앤서니 , 오닐로버트지. , 홀랜드피터 , 라마나탄시바카미 , 김태원 , 아웃카듀안 , 컨스존마이클 , 카스틸로소니아
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , C23C16/06
CPC分类号： H01J37/32477 , C22C21/00 , C22C21/08 , C23C24/04 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , Y10T428/12764 , Y10T428/218 , Y10T428/24355 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
摘要： Components of semiconductor material processing chambers are disclosed, which may include a substrate and at least one corrosion-resistant coating formed on a surface thereof. The at least one corrosion-resistant coating is a high purity metal coating formed by a cold-spray technique. An anodized layer can be formed on the high purity metal coating. The anodized layer comprises a process-exposed surface of the component. Semiconductor material processing apparatuses including one or more of the components are also disclosed, and the components are selected from the group consisting of a chamber liner, an electrostatic chuck, a focus ring, a chamber wall, an edge ring, a plasma confinement ring, a substrate support, a baffle, a gas distribution plate, a gas distribution ring, a gas nozzle, a heating element, a plasma screen, a transport mechanism, a gas supply system, a lift mechanism, a load lock, a door mechanism, a robotic arm and a fastener. Methods of making the components and methods of plasma processing using the components are also disclosed.
摘要翻译：公开了半导体材料处理室的部件，其可以包括基板和在其表面上形成的至少一个耐腐蚀涂层。至少一种耐腐蚀涂层是通过冷喷涂技术形成的高纯金属涂层。阳极氧化层可以在高纯金属涂层上形成。阳极氧化层包括组分的工艺暴露表面。还公开了包括一个或多个部件的半导体材料处理设备，并且组件选自室衬垫，静电吸盘，聚焦环，室壁，边缘环，等离子体限制环，基板支撑件，挡板，气体分配板，气体分配环，气体喷嘴，加热元件，等离子体屏幕，输送机构，气体供应系统，升降机构，装载锁定器，门机构，机器手臂和紧固件。还公开了使用这些部件制造等离子体处理的部件和方法的方法。

9. 发明公开

KR1020110028529A 멀티-컴포넌트 전극을 재컨디셔닝하는 프로세스 有权
标题翻译：用于重新组装多组分电极的方法
公开(公告)号：KR1020110028529A
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020117002393
申请日：2009-06-23
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 아보얀아멘 , 팡옌 , 아웃카듀안 , 시홍 , 휘튼스티븐
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/32559 , H05H1/34 , C23G1/00
摘要： 전기적 도전성 백킹 플레이트에 본딩된 실리콘 전극을 포함하는 멀티-컴포넌트 전극을 재컨디셔닝하는 프로세스가 제공된다. 이 프로세스는, (ⅰ) 황산, 과산화수소, 및 물을 포함하는 실질적인 무알코올 DSP 용액에서 멀티-컴포넌트 전극을 소킹 (soaking) 하고 탈이온수로 멀티-컴포넌트 전극을 린싱함으로써 멀티-컴포넌트 전극으로부터 금속 이온을 제거하는 단계; (ⅱ) 상기 제거 단계로부터의 금속 이온의 제거에 후속하여 멀티-컴포넌트 전극의 하나 이상의 표면을 연마하는 단계; 및 (ⅲ) 연마된 멀티-컴포넌트 전극을 플루오르화수소산, 질산, 아세트산, 및 물을 포함하는 혼합된 산성 용액으로 처리하고, 처리된 멀티-컴포넌트 전극을 탈이온수로 린싱함으로써 멀티-컴포넌트 전극의 실리콘 표면으로부터 오염물질을 제거하는 단계를 포함한다. 더 넓거나 더 좁은 범위의 추가의 실시형태가 예상된다.

10. 发明授权

KR102218717B1 플라즈마 챔버 부품 상의 내식성 알루미늄 코팅 有权
公开(公告)号：KR102218717B1
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：KR1020140029243
申请日：2014-03-12
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 도허티존 , 시홍 , 서린 , 아마디오앤서니 , 오닐로버트지. , 홀랜드피터 , 라마나탄시바카미 , 김태원 , 아웃카듀안 , 컨스존마이클 , 카스틸로소니아
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , C23C16/06
摘要： 반도체재료처리챔버의부품이개시되고, 부품은기판및 기판의표면상에형성된적어도하나의내식성코팅을포함할수도있다. 적어도하나의내식성코팅은저온-스프레이기술에의해형성된고순도금속코팅이다. 양극산화된층은고순도금속코팅상에형성될수 있다. 양극산화된층은부품의처리-노출된표면을포함한다. 일이상의부품을포함하는반도체재료처리장치또한개시되고, 부품은챔버라이너, 정전척, 포커스링, 챔버벽, 에지링, 플라즈마한정링, 기판지지부, 배플, 가스분배플레이트, 가스분배링, 가스노즐, 가열엘리먼트, 플라즈마스크린, 이송메커니즘, 가스공급시스템, 리프트메커니즘, 로드록, 도어메커니즘, 로봇식암 및패스너로구성된그룹으로부터선택된다. 또한, 부품을제작하는방법및 부품을이용하여플라즈마처리하는방법이개시된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式