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1. 发明授权

KR102006524B1 5-(C1~C4 알킬) 테트라졸의 합성방법 有权
公开(公告)号：KR102006524B1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：KR1020160063541
申请日：2016-05-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 주식회사 천보
发明人： 최한영 , 임대성 , 김상태 , 박영철 , 이근수 , 최용석 , 이상율 , 김경철 , 정윤성 , 김형준 , 박영철 , 심검
IPC分类号： C07D257/04 , B01J31/02 , C07B41/08

2. 发明公开

KR1020170143297A 5-(C1~C4 알킬) 테트라졸의 합성방법 审中-实审
标题翻译： 5-（C1-C4烷基）四唑的合成
公开(公告)号：KR1020170143297A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160077356
申请日：2016-06-21
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 주식회사 천보
发明人： 최한영 , 임대성 , 김상태 , 박영철 , 이근수 , 최용석 , 이상율 , 김경철 , 정윤성 , 김형준 , 박영철 , 심검
IPC分类号： C07D257/04 , B01J31/02
摘要： 본발명은 C1~C4 알킬나이트릴과아지드화합물을아세트산아연및 황산아연중에서선택되는 1종이상의촉매하에반응시키는것을특징으로하는 5-(C1~C4 알킬) 테트라졸의합성방법의제조방법에관한것이다. 상기방법에의하면수율이향상되어제조원가를절감할수 있다.
摘要翻译：本发明是C1〜C4烷基腈和叠氮化物-5-（C1〜C4烷基），以在从硫酸锌中选择的一个构件上的催化剂，其特征在于反应的化合物的合成的制造方法，和醋酸锌的四唑它涉及。根据上述方法，可以提高产量并降低制造成本。

3. 发明公开

KR1020170111062A 5-알킬테트라졸의 제조방법 审中-实审
标题翻译：生产5-烷基四唑的方法
公开(公告)号：KR1020170111062A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160035818
申请日：2016-03-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 주식회사 천보
发明人： 최한영 , 임대성 , 김상태 , 박영철 , 이근수 , 최용석 , 이상율 , 김경철 , 김형준 , 박영철 , 심검
IPC分类号： C07D257/04 , C07C255/03 , C23F1/32
摘要： 본발명은유기산의존재하에서니트릴화합물과히드라진또는그의염을반응시키고, 아질산또는그의염을부가하여반응시킨다음, 염기를부가하여반응시키는단계를포함하는 5-알킬테트라졸의제조방법을제공한다. 본발명의제조방법에따르면, 5-알킬테트라졸을온화한반응조건에서고수율로제조할수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于生产腈化合物和肼或它的盐和，亚硝酸或其盐反应，然后加入到反应，5-烷基四氢包括通过在有机酸溶胶的存在下加入碱反应的步骤。根据本发明的制造方法，可以在温和的反应条件下以高收率制造5-烷基四唑。

4. 发明公开

KR1020170132537A 5-(C1~C4 알킬) 테트라졸의 합성방법 审中-实审
标题翻译： 5-（C1-C4烷基）四唑的合成
公开(公告)号：KR1020170132537A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160063541
申请日：2016-05-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 주식회사 천보
发明人： 최한영 , 임대성 , 김상태 , 박영철 , 이근수 , 최용석 , 이상율 , 김경철 , 정윤성 , 김형준 , 박영철 , 심검
IPC分类号： C07D257/04 , B01J31/02 , C07B41/08
摘要： 본발명은 C1~C4 알킬나이트릴과아지드화합물을 C1~C4 알킬카르복실산촉매하에반응시키는것을특징으로하는 5-(C1~C4 알킬) 테트라졸의합성방법에관한것이다. 상기방법에의하면, 고압반응기같은고가의제조설비가불필요하며, 촉매의제거가용이하며, 수율이우수하여제조원가를크게절감할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及合成5-（C1-C4烷基）四唑的方法，其特征在于C1-C4烷基腈和叠氮化合物在C1-C4烷基羧酸催化剂下反应。根据该方法，不需要昂贵的生产设备如高压反应器，催化剂的除去容易，并且由于产率得到改善，生产成本可以大大降低。

5. 发明公开

KR1020170128111A 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 그의 응용 审中-实审
标题翻译：蚀刻剂组成的铜基金属薄膜及其应用
公开(公告)号：KR1020170128111A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020170058219
申请日：2017-05-10
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 전현수 , 김상태 , 임대성 , 최용석
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , C23F1/18 , C23F1/34 , C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본발명은구리계금속막의식각액조성물및 그의응용에관한것이다. 상기구리계금속막의식각액조성물은, 조성물총 중량에대하여과산화수소 5 내지 30 중량%, 함불소화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 고리형아민화합물 0.1 내지 5 중량%, 인산염화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 한분자내에질소원자와카르복실기를갖는수용성화합물 0.1 내지 5 중량%, 다가알코올형계면활성제 0.1 내지 5.0 중량%, 부식전위조절제 0.5 내지 10.0중량% 및잔량의물을포함하며, 상기조성물에서측정한몰리브덴또는몰리브덴합금부식전위가 -0.8V 내지 -0.2V인것을특징으로한다.
摘要翻译：铜基金属膜的蚀刻剂组合物及其应用技术领域本发明涉及铜基金属膜的蚀刻剂组合物及其应用。该铜基的金属膜，蚀刻液体组合物，过氧化氢，5至30％以重量计所述组合物水枪重量的0.01〜1.0％（重量）的含氟化合物，0.1至5％（重量）的环状胺化合物，磷酸酯化合物0.1〜5.0重量％，和1分钟椅子的在包含由所述组合物测得的重量钼或钼的具有羧基，多元醇型表面活性剂，0.1％至5.0％（重量），水的腐蚀电位调节剂0.5〜10.0％，残余量的氮原子，和0.1％至5％（重量）的水溶性化合物而合金的腐蚀电位为-0.8V至-0.2V。

6. 发明公开

KR1020170015703A 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用该薄膜薄膜晶体管基板的蚀刻和制造方法
公开(公告)号：KR1020170015703A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150108146
申请日：2015-07-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 안수민 , 김영준 , 박홍식 , 국인설 , 박영철 , 유인호 , 이승수 , 이종문 , 임대성
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/16 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L27/1259 , H01L29/76
摘要： 본발명의일 실시예는, 식각액조성물에관한것으로서, 상기조성물의총 중량에대하여, 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형아민화합물 0.5 내지 5 중량%, 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, 지방족술폰산 0.1 내지 10 중량%, 유기산또는유기산염 1 내지 20 중량% 및잔량의물을포함할수 있다.
摘要翻译：蚀刻剂组合物包括蚀刻剂组合物，其包含约0.5重量％至约20重量％的过硫酸盐，约0.01重量％至约2重量％的氟化合物，约1重量％至约10重量％的无机酸，约约0.5重量％至约5重量％的环胺化合物，约0.1重量％至约5重量％的氯化合物，约0.1重量％至约10重量％的脂族磺酸，约1重量％至约20重量％重量％的有机酸或有机酸盐，以及基于蚀刻剂组合物的总重量的水。

7. 发明公开

KR1020150108202A 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-实审
标题翻译：晶体蚀刻溶液的组成和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020150108202A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020140031098
申请日：2014-03-17
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임대성 , 홍형표 , 박면규
IPC分类号： C09K13/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/02 , H01L21/30604 , H01L31/02363
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알칼리 화합물, 화학식 1의 화합물 및 다당류를 포함함으로써, 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 실리콘 결정 방향에 대한 에칭 속도의 차이를 제어하여 알칼리 화합물에 의한 과에칭을 방지함으로써 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시키는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及晶体蚀刻溶液组合物和晶体硅晶片的纹理蚀刻方法。更具体地说，本发明涉及结晶硅晶片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法，其中纹理蚀刻溶液组合物含有碱性化合物，化学式1的化合物和多糖。因此，纹理蚀刻溶液组合物在结晶硅晶片的表面上形成微锥体结构时，根据硅晶体取向控制蚀刻速度差，以防止碱化合物的过度蚀刻并且使纹理质量最小化由位置变化，从而提高光学效率。

8. 发明公开

KR1020130043805A 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자 无效
标题翻译：铝粉组合物和使用其的太阳能电池装置
公开(公告)号：KR1020130043805A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110107920
申请日：2011-10-21
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최형섭 , 임민기 , 조백현 , 임대성
IPC分类号： H01B1/16 , H01L31/04 , H01L31/0224 , C03C8/12
CPC分类号： Y02E10/50 , H01B1/16 , C03C8/12 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: An aluminum paste composition is provided to provide an electrode which has an excellent outer tube by suppressing generation of bumps on the surface thereof in plasticity and having less bending of a silicon wafer substrate. CONSTITUTION: An aluminum paste composition comprises aluminum powder; PbO group glass frit which contains BaO and for which a difference between a curing temperature and a glass transition temperature (Ts-Tg) is 40-80°C; and an organic vehicle. The PbO group glass frit is a PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO group glass frit which has a glass transition temperature (Tg) of 400-460 °C. The PbO group glass frit comprises 30-60 mol% of PbO, 1-15 mol% Al2O3, 20-40 mol% of SiO2, 10-30 mol% of B2O3, 0.5-5 mol% of TiO2, and 0.1-10 mol% of BaO.
摘要翻译：目的：提供一种铝糊剂组合物，通过抑制其表面上的凸起的产生而具有优异的外管的电极，并且具有较小的硅晶片衬底的弯曲。构成：铝浆组合物包含铝粉; 含有BaO且固化温度与玻璃化转变温度（Ts-Tg）之差为40-80℃的PbO组玻璃料; 和有机车辆。 PbO基玻璃料是玻璃化转变温度（Tg）为400-460℃的PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO族玻璃料。 PbO基玻璃料含有30-60mol％的PbO，1-15mol％的Al2O3，20-40mol％的SiO2，10-30mol％的B2O3，0.5-5mol％的TiO2和0.1-10mol ％的BaO。

9. 发明公开

KR1020130043051A 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 无效
标题翻译：晶体蚀刻溶液的组成和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020130043051A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020120080780
申请日：2012-07-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 홍형표 , 박면규 , 임대성
IPC分类号： C09K13/02 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , C09K13/02 , H01L21/30604
摘要： PURPOSE: A texture etchant composition is provided to improve light efficiency by minimizing the quality deviation of a texture every location on a crystalline silicon wafer and to reduce reflectivity. CONSTITUTION: A texture etchant composition for crystalline silicon wafers comprises a polymer polymerized of C4-10 cyclic compound-substituted monomer which contains at least one or more nitrogen atom. The monomer additionally comprises one or more of an oxygen atom and sulfur atom in a cyclic structure. The weight average molecular weight of the polymer is 1,000-1,000,000 and the boiling point is 100>=. The comprised amount of the polymer is 10^(-12) - 1 weight% based on the total weight of the etchant composition. The composition additionally comprises alkali compounds and/or polysaccharides.
摘要翻译：目的：提供纹理蚀刻剂组合以通过最小化结晶硅晶片上每个位置的纹理的质量偏差并降低反射率来提高光效率。构成：晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物包含聚合有含有至少一个或多个氮原子的C 4-10环状化合物取代的单体的聚合物。单体还包含环状结构中的一个或多个氧原子和硫原子。聚合物的重均分子量为1,000-1,000,000，沸点为100> =。基于蚀刻剂组合物的总重量，聚合物的包含量为10 ^（ - 12）-1重量％。该组合物另外包含碱性化合物和/或多糖。

10. 发明公开

KR1020130042756A 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자 无效
标题翻译：铝粉组合物和使用其的太阳能电池装置
公开(公告)号：KR1020130042756A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106821
申请日：2011-10-19
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최형섭 , 이상행 , 이창준 , 임대성
IPC分类号： H01B1/16 , H01L31/04 , H01L31/0224 , C03C8/12
CPC分类号： Y02E10/50 , H01B1/16 , C03C8/12 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: An aluminum paste composition is provided to minimize the generation of bumps on the surface thereof at sintering, thereby providing an electrode with excellent exterior appearance. CONSTITUTION: An aluminum paste composition contains aluminum powder; a glass frit containing BaO with a glass transition temperature(Tg) of 400-460>=; and organic vehicle. The amount of the BaO in the glass frit is 0.1-10 mol%. The PbO-based glass frit is PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO-based glass frit. The amount of the aluminum powder is 60-78 weight%. The comprised amount of the PbO-based glass frit is 0.01-5 weight%. The organic vehicle is 20-35 weight%.
摘要翻译：目的：提供一种铝膏组合物，用于最小化烧结时其表面上的凸块的产生，从而提供具有优异外观的电极。构成：铝浆组合物含有铝粉; 含有玻璃化转变温度（Tg）为400-460℃的BaO的玻璃料; 和有机车。玻璃料中的BaO的量为0.1-10摩尔％。 PbO基玻璃料为PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO系玻璃料。铝粉的量为60-78重量％。 PbO基玻璃料的含量为0.01-5重量％。有机载体为20-35重量％。

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