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1. 发明授权

KR101569566B1 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도 有权
标题翻译： ----包含铅 - 氧化钛 - 氧化钛的薄膜浆料及其在半导体器件制造中的应用
公开(公告)号：KR101569566B1
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020127031579
申请日：2011-05-04
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 캐롤,앨런,프레데릭 , 행,케네스,워렌 , 로글린,브라이언,제이. , 미케스카,커트,리차드 , 토라디,카민 , 버누이,폴,더글라스
IPC分类号： C03C8/10 , C04B35/01 , H01B1/22 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , B22F1/0059 , B22F1/007 , B22F7/04 , B22F7/08 , B22F2007/047 , C03C8/10 , C03C8/12 , C04B35/01 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/0264 , H01L31/1884 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： 본발명은하나이상의절연층을갖는태양전지소자의전면을인쇄하기위한후막페이스트를제공한다. 후막페이스트는유기매질중에분산된, 전기전도성금속, 및납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池器件的正面的厚膜糊剂。厚膜糊包含分散在有机介质中的导电金属和铅 - 碲氧化物。

2. 发明授权

KR101557536B1 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 有权
标题翻译：电极组合物和使用该电极的电极
公开(公告)号：KR101557536B1
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020120151435
申请日：2012-12-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송대섭 , 김재호 , 박영기 , 양상현 , 최영욱
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/08 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C3/062 , C03C3/122 , C03C8/02 , C03C8/12 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C8/22 , H01B1/22 , Y02E10/50
摘要： 본발명은은(Ag) 분말; PbO를포함하는제1 유리프릿과 VO와 TeO를포함하는제2 유리프릿; 및유기비히클을포함하는태양전지전극용페이스트조성물에관한것으로, 상기태양전지전극용페이스트조성물은 PbO계및 VO-TeO계 2 종의유리프릿을도입하여접촉저항과실리콘태양전지의 pn junction에의한폐해를최소화하였다.

3. 发明公开

KR1020140091091A 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 有权
标题翻译：电极组合物和使用该电极的电极
公开(公告)号：KR1020140091091A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020120151435
申请日：2012-12-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송대섭 , 김재호 , 박영기 , 양상현 , 최영욱
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/08 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C3/062 , C03C3/122 , C03C8/02 , C03C8/12 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C8/22 , H01B1/22 , Y02E10/50 , H01L51/102 , H01B1/08 , H01L31/042
摘要： The present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode, the paste composition comprising: silver (Ag) powder; a first glass frit including PbO and a second glass frit including V_2O_5 and TeO_2; and an organic vehicle. Two PbO-based and V_2O_5-TeO_2-based glass frits are induced in the paste composition for a solar cell electrode, so that damage caused by contact resistance and the pn junction of a silicon solar cell is minimized.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池用电极用糊料组合物，其特征在于，含有银（Ag）粉末，包括PbO的第一玻璃料和包含V_2O_5和TeO_2的第二玻璃料; 和有机车辆。在太阳能电池用电极用糊剂组合物中诱导出两种PbO系和V_2O_5-TeO_2系玻璃料，使得由硅太阳能电池的接触电阻和pn结引起的损伤降到最低。

4. 发明公开

KR1020130043263A 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자 无效
标题翻译：铝粉组合物和使用其的太阳能电池装置
公开(公告)号：KR1020130043263A
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：KR1020110107265
申请日：2011-10-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최형섭 , 이상행 , 이창준 , 임민기
IPC分类号： H01B1/16 , H01L31/04 , H01L31/0224 , C03C8/12
CPC分类号： Y02E10/50 , H01B1/16 , C03C8/12 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: An aluminum paste composition is provided to minimize pores between an aluminum paste layer and a silicon wafer substrate and to have excellent exterior appearance. CONSTITUTION: An aluminum paste composition comprises an aluminum powder with an average particle diameter of 3-6 micron; PbO-based glass frit containing BaO; and an organic vehicle. The amount of the aluminum powder is 60-78 weight%. The amount of the BaO is 0.1-10 mol% included in the PbO-based glass frit. The PbO-based glass frit is PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO-based glass frit and comprises 30-60 mol% of PbO, 1-15 mol% of Al2O3, 20-40 mol% of SiO2, 10-30 mol% of B2O3, 0.5-5 mol% of TiO2, and 0.1-10 mol% of BaO.
摘要翻译：目的：提供铝膏组合物以使铝浆层和硅晶片衬底之间的孔隙最小化并具有优异的外观。构成：铝膏组合物包含平均粒径为3-6微米的铝粉末; 含有BaO的PbO基玻璃料; 和有机车辆。铝粉的量为60-78重量％。包含在PbO系玻璃料中的BaO的量为0.1〜10摩尔％。 PbO基玻璃料为PbO-Al2O3-SiO2-B2O3-TiO2-BaO系玻璃料，含有30-60mol％的PbO，1-15mol％的Al2O3，20-40mol％的SiO2， B2O3为30摩尔％，TiO 2为0.5〜5摩尔％，BaO为0.1〜10摩尔％。

5. 发明公开

KR1020130016346A 납- 및 텔루륨-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 그의 용도 无效
标题翻译：含铅和氧化锆的薄膜胶料及其在半导体器件制造中的应用
公开(公告)号：KR1020130016346A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020127031582
申请日：2011-05-04
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 캐롤,앨런,프레데릭 , 행,케네스,워렌 , 로글린,브라이언,제이. , 미케스카,커트,리차드 , 토라디,카민 , 버누이,폴,더글라스
IPC分类号： C03C8/10 , C04B35/01 , H01B1/22 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022425 , B22F1/0059 , B22F1/007 , B22F7/04 , B22F7/08 , B22F2007/047 , C03C8/10 , C03C8/12 , C04B35/01 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/0264 , H01L31/1884 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 하나 이상의 절연 층을 갖는 태양 전지 디바이스의 전면을 인쇄하기 위한 후막 페이스트를 제공한다. 후막 페이스트는 유기 매질 내에 분산된 전기 전도성 금속, 및 납-텔루륨-산화물을 포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池器件的正面的厚膜糊剂。厚膜糊包含分散在有机介质中的导电金属和铅 - 碲氧化物。

6. 发明公开

KR1020120031084A 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 캐소드를 형성하는 방법 无效
标题翻译：在硅砂的正面形成网状阴极的过程
公开(公告)号：KR1020120031084A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020127001908
申请日：2010-06-28
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 라우디시오,지오바나 , 행,케네스,워른 , 영,리차드,존,쉐필드
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01B1/16 , C03C3/072 , C03C8/12 , C03C8/18 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 캐소드를 제조하는 방법으로, 상기 방법은 금속 페이스트를 전면 그리드 전극 패턴으로 규소 웨이퍼 상에 적용하고 소성하여 시드 그리드 캐소드를 형성하고, 이어서 규소 웨이퍼에 LIP 공정을 거치게 함으로써 행해지며, 여기서 금속 페이스트는 유기 비히클 및 무기 내용물을 포함하며, 무기 내용물은 (a) 니켈, 구리 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택되는 90 내지 98 중량%의 적어도 하나의 전기 전도성 금속 분말, 및 (b) 47.5 내지 64.3 중량%의 PbO, 23.8 내지 32.2 중량%의 SiO
2 , 3.9 내지 5.4 중량%의 Al
2 O
3 , 2.8 내지 3.8 중량%의 TiO
2 및 6.9 내지 9.3 중량%의 B
2 O
3 를 함유하는 유리 프릿들로 이루어진 군으로부터 선택되는 0.25 내지 8 중량%의 적어도 하나의 유리 프릿을 포함한다.

7. 发明公开

KR1020100099212A 내구성 프릿 조성물 및 복합물 및 이를 포함한 장치 无效
标题翻译：耐久性组合物及其复合物及其装置
公开(公告)号：KR1020100099212A
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：KR1020107014137
申请日：2008-11-25
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 마르크,파울로,지.
IPC分类号： C03C3/093 , C03C8/12 , C03C3/085 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00071 , B01J19/2485 , B81B2201/058 , C03C3/093 , C03C8/12 , C03C8/14 , C03C8/24 , Y10T137/2224 , Y10T137/87249
摘要： 알루미나와 같은 내화성 재료와 함께 프릿으로 사용하기에 적합한 지르코늄-및 알루미나-함유 규산염 유리를 개시하며, 상기 규산염 유리는 다음의 몰 퍼센트 (mol %)의 유리 조성물을 포함하며:
2 2 O
3 75 2 3 2 O
3 2 2 9 2 O + K
2 O 0 여기서, SiO
2 , Al
2 O
3 및 ZrO
2 를 모두 합친 총 몰 퍼센트는 82 초과이나 86 미만이며, B
2 O
3 , Na
2 O, K
2 O, 알칼리 토 및 란탄족 원소들을 모두 합친 총 몰 퍼센트는 13 초과이며 18 미만이고, 이러한 유리를 함유한 프릿 (200,600), 복합물 (600) 및 미세유체 장치(12)가 또한 개시된다.

8. 发明公开

KR1020080059119A 알루미늄 후막 조성물, 전극, 반도체 소자 및 이들의 제조방법 无效
标题翻译：铝厚膜组合物（S），电极（S），半导体器件（S）及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080059119A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020080044573
申请日：2008-05-14
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 영,리차드존쉐필드 , 로즈,마이클 , 라비,줄리앤
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01B1/22 , C03C8/10 , C03C8/12 , C03C8/18 , C03C14/006 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , H01L31/0504 , Y02E10/50
摘要： An aluminum thick film composition, an electrode, a semiconductor device, and a manufacturing method thereof are provided to compensate a thermal work for thicker and thinner wafer sources by improving a structure thereof. A thick film conductor composition includes powders including aluminum, one or more glass frit compositions, and an organic medium. The powders including aluminum and the glass frit compositions are dispersed in the organic medium. At least, one of the glass frit compositions has a softening point of 300-460 degrees centigrade. A baking process is performed to bake the thick film conductor composition in order to remove the organic medium. A sintering process is performed to sinter glass frit. A semiconductor device includes an electrode(71,501) having a composition.
摘要翻译：提供铝厚膜组合物，电极，半导体器件及其制造方法，以通过改善其结构来补偿更厚和更薄的晶片源的热作用。厚膜导体组合物包括包括铝，一种或多种玻璃料组合物和有机介质的粉末。包括铝和玻璃料组合物的粉末分散在有机介质中。至少玻璃料组合物之一的软化点为300-460摄氏度。进行烘烤处理以烘烤厚膜导体组合物以除去有机介质。进行烧结工艺以烧结玻璃料。半导体器件包括具有组成的电极（71,501）。

9. 发明公开

KR1020060127810A 알루미늄 후막 조성물, 전극, 반도체 소자 및 이들의 제조방법 失效
标题翻译：铝厚膜组合物（S），电极（S），半导体器件（S）及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060127810A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：KR1020060050981
申请日：2006-06-07
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 영,리차드존쉐필드 , 로즈,마이클 , 라비,줄리앤
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01B1/22
CPC分类号： H01B1/22 , C03C8/10 , C03C8/12 , C03C8/18 , C03C14/006 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , H01L31/0504 , Y02E10/50
摘要： An aluminum thick film composition, a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to enhance an electrical performance without the use of Pb. An aluminum thick film composition contains an aluminum containing powder, at least one or more frit compositions, and an organic medium. The aluminum containing powder and the frit compositions are distributed in the organic medium. The softening points of the frit compositions are in a first predetermined range of 400 ‹C or less. The softening points of the frit compositions are capable of being in a second predetermined range of 300 to 400 ‹C. The aluminum thick film composition further contains an Ag containing powder.
摘要翻译：提供铝厚膜组合物，半导体器件及其制造方法，以在不使用Pb的情况下提高电性能。铝厚膜组合物含有含铝粉末，至少一种或多种玻璃料组合物和有机介质。含铝粉末和玻璃料组合物分布在有机介质中。玻璃料组合物的软化点处于400℃以下的第一预定范围内。玻璃料组合物的软化点能够处于300-400℃的第二预定范围内。铝厚膜组合物还含有含Ag的粉末。

10. 发明公开

KR1020040101031A 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 재료 无效
标题翻译：用于等离子显示面板的介电材料，用于在烧结过程中从电介质层轻松移除气泡
公开(公告)号：KR1020040101031A
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：KR1020040036048
申请日：2004-05-20
申请人： 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
发明人： 하다노가즈오 , 유끼겐 , 시바따쇼지
IPC分类号： H01J11/38 , C04B35/495 , C03C8/20 , H01B3/02
CPC分类号： C03C17/007 , C03C8/12 , C03C8/14 , C03C2217/40
摘要： PURPOSE: A dielectric material used for a plasma display panel is provided to easily remove bubbles from a dielectric layer during a burning process, obtain excellent chemical resistance of the dielectric layer and prevent a silver electrode from being browned. CONSTITUTION: A dielectric material used for a plasma display panel has glass powder that contains PbO of 25 to 55%, B2O3 of 10 to 40%, SiO2 of 1 to 15%, ZnO of 3 to 35%, BaO+CaO+MgO+SrO+Bi2O3 of 2 to 30%, Al2O3 of 0 to 10%, and TiO2+ZrO2 of 0.01 to 10%. The content of TiO2 is 0.01 to 10%. The content of BaO is 1 to 30%. The dielectric material further contains ceramic powder. In this case, the content of the glass powder is 90 to 100weight% and the content of the ceramic powder is 0 to 10weight%.
摘要翻译：目的：提供用于等离子体显示面板的电介质材料，用于在燃烧过程中容易地从电介质层去除气泡，获得优异的电介质层的耐化学性并防止银电极变褐。构成：用于等离子体显示面板的电介质材料具有玻璃粉末，其含有25〜55％的PbO，10〜40％的B 2 O 3，1〜15％的SiO 2，3〜35％的ZnO，3％〜35％的BaO + CaO + MgO + 2〜30％的SrO + Bi2O3，0〜10％的Al2O3，0.01〜10％的TiO2 + ZrO2。 TiO2的含量为0.01〜10％。 BaO含量为1〜30％。电介质材料还含有陶瓷粉末。在这种情况下，玻璃粉末的含量为90〜100重量％，陶瓷粉末的含量为0〜10重量％。

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