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1. 发明授权

KR100505328B1 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：蚀刻解决方案和去除多晶硅多晶硅的莫来石残留的方法
公开(公告)号：KR100505328B1
公开(公告)日：2005-07-29
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： 과산화수소수, 유기산, 인산염 (phosphate), 질소 (N) 을 포함하는 첨가제 두 종류, 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액을 제공한다. 더 구체적으로는, 조성물 총중량에 대하여 5 내지 30 중량% 의 과산화수소수, 0.5 내지 5 중량% 의 유기산, 0.2 내지 5 중량% 의 인산염, 0.2 내지 5 중량% 의 질소를 포함하는 첨가제 두 종류, 0.01 내지 1.0 중량%의 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 혹은 구리 몰리브덴막의 식각 용액 및 그 식각 방법을 제공한다.
이와 같은 식각용액 및 식각방법을 통하여, 저저항 금속배선을 구현함과 더불어, 식각 속도의 조절이 쉽고, 테이프 프로파일이 양호하며, 패턴의 직선성이 우수하고, 많은 수의 기판을 식각하여도 식각 특성이 변하지 않아 공정상에서 큰 마진을 가지며, 특히 구리 몰리브덴 막에서 몰리브덴이 잔사로 남아 불량을 야기시킬 수 있는 문제를 제거할 수 있어 차세대 반도체 및 TFT-LCD 회로 제작에 널리 이용할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020040051502A 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：能够从铜层中去除钼析出的蚀刻溶液及其蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020040051502A
公开(公告)日：2004-06-18
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： PURPOSE: An etching solution capable of removing molybdenum debris from a copper molybdenum layer and an etching method thereof are provided to easily control etching rate, improve tape profile, enhance the linearity of a pattern, constantly conserve the same etching characteristics, and increase the maintenance time of the etching solution. CONSTITUTION: An etching solution of a copper molybdenum layer contains a hydrogen peroxide solution of 5-30 weight%, organic acid of 0.5-5 weight%, and phosphate salt of 0.2-5 weight%. The etching solution further includes the first addictive of 0.2-5 weight%, the second addictive of 0.2-5 weight%, a fluorine compound of 0.01-1.0 weight% and deionized water.
摘要翻译：目的：提供能够从铜钼层除去钼屑的蚀刻溶液及其蚀刻方法，以便容易地控制蚀刻速率，改善胶带轮廓，增强图案的线性，同时保持相同的蚀刻特性，并增加维护蚀刻溶液的时间。构成：铜钼层的蚀刻溶液含有5-30重量％的过氧化氢溶液，0.5-5重量％的有机酸和0.2-5重量％的磷酸盐。蚀刻溶液还包括0.2-5重量％的第一上瘾剂，0.2-5重量％的第二成瘾剂，0.01-1.0重量％的氟化合物和去离子水。

3. 发明授权

KR100419071B1 구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 有权
标题翻译： 구리 - 티타늄막의식각용액및그식각방법
公开(公告)号：KR100419071B1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020010035127
申请日：2001-06-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 송형수 , 김기섭 , 박민춘 , 김성수
IPC分类号： C23F1/18
摘要： PURPOSE: An etching solution for copper titanium layer is provided, which has excellent taper profile against copper layer while etching copper layer and titanium layer at the same time, and has decreased attack against glass substrate and lower silicon layer, thus it is applicable to TFT LCD manufacture process. CONSTITUTION: The etching solution comprises 0.1 to 5 wt.% of inorganic oxidizers selected from the group consisting of CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Al(NO3)3, Al2(SO4)3, FeCl3, Fe2(SO4)3 and Fe(Cl4)3; 0.5 to 10 wt.% of inorganic acid or their salts; 0.05 to 0.5 wt.% of fluorine; and a balance of deionized water, and optionally 0.005 wt.% or more of additives selected from the group consisting of pyrrolidine, pyrrolin, pyrrol, indole, pyrazol, imidazol, pyrimidine, purine, pyrimidine and their derivatives.
摘要翻译：目的：提供一种铜钛层的蚀刻液，它在对铜层和钛层同时进行蚀刻的同时对铜层具有优良的锥形轮廓，并且对玻璃基板和下层硅层的侵蚀减少，因此适用于TFT LCD制造工艺。组成：蚀刻溶液包含0.1-5重量％的选自CuCl 2，Cu（NO 3）2，CuSO 4，Al（NO 3）3，Al 2（SO 4）3，FeCl 3，Fe 2（SO 4）3 和Fe（Cl4）3; 0.5至10重量％的无机酸或其盐; 0.05至0.5重量％的氟; 和余量的去离子水以及任选的0.005重量％或更多的选自吡咯烷，吡咯啉，吡咯，吲哚，吡唑，咪唑，嘧啶，嘌呤，嘧啶及其衍生物的添加剂。

4. 发明公开

KR1020020097348A 구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 有权
标题翻译：铜层蚀刻解决方案及其蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020020097348A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035127
申请日：2001-06-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 송형수 , 김기섭 , 박민춘 , 김성수
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/44 , C23F1/18 , C23F1/38
摘要： PURPOSE: An etching solution for copper titanium layer is provided, which has excellent taper profile against copper layer while etching copper layer and titanium layer at the same time, and has decreased attack against glass substrate and lower silicon layer, thus it is applicable to TFT LCD manufacture process. CONSTITUTION: The etching solution comprises 0.1 to 5 wt.% of inorganic oxidizers selected from the group consisting of CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Al(NO3)3, Al2(SO4)3, FeCl3, Fe2(SO4)3 and Fe(Cl4)3; 0.5 to 10 wt.% of inorganic acid or their salts; 0.05 to 0.5 wt.% of fluorine; and a balance of deionized water, and optionally 0.005 wt.% or more of additives selected from the group consisting of pyrrolidine, pyrrolin, pyrrol, indole, pyrazol, imidazol, pyrimidine, purine, pyrimidine and their derivatives.
摘要翻译：目的：提供铜钛层蚀刻溶液，同时对铜层和钛层进行蚀刻时具有优异的锥形曲线，同时对玻璃基板和硅层的侵蚀减少，因此适用于TFT LCD制造工艺。构成：蚀刻液含有0.1〜5重量％的选自CuCl 2，Cu（NO 3）2，CuSO 4，Al（NO 3）3，Al 2（SO 4）3，FeCl 3，Fe 2（SO 4）3 和Fe（Cl4）3; 0.5〜10重量％的无机酸或其盐; 0.05〜0.5重量％的氟; 和余量的去离子水，和任选0.005重量％或更多的选自吡咯烷，吡咯啉，吡咯，吲哚，吡唑，咪唑，嘧啶，嘌呤，嘧啶及其衍生物的添加剂。

5. 发明公开

KR1020030084397A 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 有权
标题翻译：用于CU单层或多层多层的蚀刻方法及其制备方法
公开(公告)号：KR1020030084397A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：KR1020020023091
申请日：2002-04-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김기섭 , 김성수 , 오금철
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/44 , C23F1/02
摘要： PURPOSE: Etching solutions for Cu monolayer or Cu-molybdenum multilayers comprising deionized water and two types of additives comprising hydrogen peroxide water, organic acid, phosphate and nitrogen, and an etching method are provided. CONSTITUTION: The etching solutions comprises first additive comprising 8 to 20 wt.% of hydrogen peroxide water for the total weight of composition, 1 to 5 wt.% of organic acid for the total weight of composition, 0.2 to 5 wt.% of phosphate for the total weight of composition and 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; second additive comprising 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; and a balance of deionized water for the total weight of composition. The etching method comprises first step of depositing copper/molybdenum layer on a substrate; second step of selectively leaving photoresist on the copper/molybdenum layer; and third step of etching the copper/molybdenum layer using the etching solution, wherein the copper/molybdenum layer is a double film in which copper film(14) is formed on molybdenum layer(12), wherein thickness of the copper layer is thicker than that of the molybdenum layer, wherein the substrate is a glass substrate(10) for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display), and wherein the copper layer is a source/drain wiring.
摘要翻译：目的：提供包含去离子水和包含过氧化氢水，有机酸，磷酸盐和氮气的两种添加剂的Cu单层或Cu-钼多层的蚀刻溶液和蚀刻方法。构成：蚀刻溶液包含第一添加剂，其包含8至20重量％的组合物总重量的过氧化氢水，占组合物总重量的1至5重量％的有机酸，0.2至5重量％的磷酸盐对于组合物的总重量和组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 第二添加剂，其占组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 以及组合物总重量的去离子水的余量。蚀刻方法包括在基板上沉积铜/钼层的第一步骤; 选择性地将光致抗蚀剂留在铜/钼层上的第二步骤; 以及使用蚀刻溶液蚀刻铜/钼层的第三步骤，其中铜/钼层是在钼层（12）上形成铜膜（14）的双层膜，其中铜层的厚度比钼层的特征在于，所述基板是用于TFT LCD（薄膜晶体管液晶显示器）的玻璃基板（10），所述铜层是源极/漏极配线。

6. 发明授权

KR100459271B1 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 有权
标题翻译：美国职业棒球协会
公开(公告)号：KR100459271B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020020023091
申请日：2002-04-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김기섭 , 김성수 , 오금철
IPC分类号： C23F1/18
摘要： PURPOSE: Etching solutions for Cu monolayer or Cu-molybdenum multilayers comprising deionized water and two types of additives comprising hydrogen peroxide water, organic acid, phosphate and nitrogen, and an etching method are provided. CONSTITUTION: The etching solutions comprises first additive comprising 8 to 20 wt.% of hydrogen peroxide water for the total weight of composition, 1 to 5 wt.% of organic acid for the total weight of composition, 0.2 to 5 wt.% of phosphate for the total weight of composition and 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; second additive comprising 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; and a balance of deionized water for the total weight of composition. The etching method comprises first step of depositing copper/molybdenum layer on a substrate; second step of selectively leaving photoresist on the copper/molybdenum layer; and third step of etching the copper/molybdenum layer using the etching solution, wherein the copper/molybdenum layer is a double film in which copper film(14) is formed on molybdenum layer(12), wherein thickness of the copper layer is thicker than that of the molybdenum layer, wherein the substrate is a glass substrate(10) for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display), and wherein the copper layer is a source/drain wiring.
摘要翻译：目的：提供包含去离子水和包含过氧化氢水，有机酸，磷酸盐和氮的两种添加剂的铜单层或铜钼多层膜的蚀刻溶液以及蚀刻方法。组成：蚀刻溶液包含第一添加剂，其包含组合物总重量的8至20重量％的过氧化氢水，组合物总重量的1至5重量％的有机酸，0.2至5重量％的磷酸盐对于组合物的总重量和组合物总重量为0.2-5重量％的氮; 第二添加剂，其包含组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 余量的去离子水用于组合物的总重量。该蚀刻方法包括在基底上沉积铜/钼层的第一步骤; 第二步，在铜/钼层上选择性地留下光刻胶; 以及使用所述蚀刻溶液蚀刻所述铜/钼层的第三步骤，其中所述铜/钼层是在钼层（12）上形成铜膜（14）的双层膜，其中所述铜层的厚度比其中基板是用于TFT LCD（薄膜晶体管液晶显示器）的玻璃基板（10），并且其中铜层是源极/漏极布线。

7. 发明授权

KR101800647B1 전기영동 표시장치와 이의 제조방법 有权
标题翻译：电泳显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101800647B1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：KR1020100099865
申请日：2010-10-13
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 유영준 , 권오남
IPC分类号： G02F1/167
CPC分类号： G02F1/167 , G02F2001/1672
摘要： 본발명의실시예에따른전기영동표시장치는하부기판에형성된화소전극을둘러싸도록형성되어복수의화소영역을정의하는격벽; 특정컬러를표시하도록착색된복수의대전입자를포함하여상기화소영역에충진되는전기영동분산액; 상기화소영역을노출시키는복수의홀패턴을포함하여상기격벽상부에배치되는멤브레인레이어; 및상기멤브레인레이어를사이에두고상기하부기판과합착되는상부기판;을포함하고, 상기복수의홀패턴은화소영역내부의공기를외부로배출시키는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的电泳显示装置包括：形成为围绕形成在下基板上并限定多个像素区域的像素电极的障肋; 一种电泳分散液，填充在像素区域中，该像素区域包括多个着色成显示特定颜色的带电粒子; 膜层，其包括暴露所述像素区域并设置在所述障肋上的多个孔图案; 以及上基板，经由所述膜层与所述下基板接合，其中，所述多个孔图案将所述像素区域内的空气排出到外部。

8. 发明公开

KR1020170051667A 폴더블 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：可折叠显示设备
公开(公告)号：KR1020170051667A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150151734
申请日：2015-10-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 권오남
IPC分类号： G09F9/30 , G09F9/00 , H01L51/00 , G02F1/1333
摘要： 폴딩과언폴딩이반복되는사용환경에서신뢰성을확보할수 있는폴더블디스플레이장치에관하여개시한다. 본발명에따른폴더블디스플레이장치는폴딩가능한디스플레이패널과, 디스플레이패널에신호를인가하는회로부를포함하며, 디스플레이패널이접히는폴딩라인이상기회로부에간섭되지않도록상기회로부를폴딩라인과나란한상기디스플레이패널의일측변에연결한다. 본발명에따른폴더블디스플레이장치는회로부가폴딩라인과간섭되지않는영역에배치되므로사용환경에서회로부의내구성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：公开了一种能够在重复折叠和折叠的使用环境中确保可靠性的可折叠显示装置。在根据本发明的可折叠显示面板，包括夹块显示装置：用于将信号施加到所述显示面板的电路，所述显示面板为平行于电路部分中的显示面板，从而不与所述折叠的折叠线移相电路和折叠线干扰连接到一边。根据本发明的可折叠显示装置可以提高电路部件在使用环境中的耐用性，因为电路部件设置在不干扰折叠线的区域中。

9. 发明公开

KR1020170049777A 플렉서블 디스플레이 패널, 플렉서블 디스플레이 디바이스 및 그 구동 방법 审中-实审
标题翻译：柔性显示面板，柔性显示装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020170049777A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150150411
申请日：2015-10-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 권오남
IPC分类号： G09G3/20 , G06F3/01 , G06F3/041
摘要： 본실시예들은, 플렉서블디스플레이기술에관한것으로서, 더욱상세하게는, 단면발광구조를갖는제1영역과양면발광구조를갖는제2영역으로이루어지고이러한제1영역과제2영역의경계지점에서벤딩가능한플렉서블디스플레이패널과, 이러한플렉서블디스플레이패널의벤딩상태에따라플렉서블디스플레이패널을다양한방식으로구동할수 있는플렉서블디스플레이디바이스및 그구동방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明实施例涉及柔性显示技术，更具体地说，涉及一种柔性显示技术，该柔性显示技术由具有截面发射结构的第一区域和具有双面发射结构的第二区域构成，本发明涉及能够根据柔性显示面板的弯曲状态以各种方式驱动柔性显示面板的柔性显示装置及其驱动方法。

10. 发明公开

KR1020170045773A 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：背光单元和包括其的显示装置
公开(公告)号：KR1020170045773A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150145289
申请日：2015-10-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 권오남
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1333
摘要： 본발명은백라이트유닛및 이를포함하는디스플레이장치에관한것이다. 본발명에따른백라이트유닛은면광원형태의광원부및 투명전극과상부기판사이에, 그리드선과슬릿이교대로배열되는메탈그리드편광자를포함함으로써, 경량박형의백라이트유닛을구현할뿐만아니라, 면광원으로부터생성된빛의대부분을재편광하여광효율을극대화할수 있다. 또한, 이를디스플레이장치에적용함으로써, 장치의무게와두께를감소시킴과동시에, 향상된시인성및 균일하고우수한휘도를부여할수 있다.
摘要翻译：背光单元和包括其的显示装置技术领域本发明涉及背光单元和包括该背光单元的显示装置。通过根据本发明的此背光单元包括在所述光源和所述透明电极和上基板，栅格线和狭缝移位形式的表面光源之间布置在金属栅型偏振器，以及实现的背光单元中的轻，薄，从面光源产生大部分发射的光可以被重新极化以最大化光效率。此外，通过将其应用于显示装置，可以减小装置的重量和厚度，并且提供增强的可见度和均匀且优异的亮度。

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