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    • 1. 发明公开
    • 소재의 플라즈마 세정장치 및 방법
    • 소재의플라즈마세정장치및방법
    • KR1020030007457A
    • 2003-01-23
    • KR1020027011906
    • 2001-04-23
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 리우리안준
    • H01L21/304
    • H01L21/02046B08B7/00C23C14/022C23C16/0245H01J37/321H01J37/32733H01L21/67028H01L21/67069
    • 내부영역(30)을 가지는 플라즈마세정 챔버(20)에서 소재를 플라즈마세정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 그 방법은, 플라즈마 세정챔버 내부 영역으로 소재를 적재하는 제 1 단계를 포함하여 구성된다. 다음 단계는, 주변 기체를 수소로 하여 플라즈마 세정챔버 내부영역을 소정의 압력까지 펌핑하여 내리는 단계이다. 그 다음 단계는, 10
      10 내지 10
      13 ㎝
      -3 의 범위, 바람직하게는 10
      12 ㎝
      -3 이상인 이온 밀도와, 30eV 미만, 바람직하게는 10 내지 15eV의 범위인 이온 에너지를 가지는 플라즈마(36)를 수소가스로부터 형성하는 단계이다. 마지막 단계는 소정의 시간동안 소재를 플라즈마에 노출하는 단계이다. 본 발명의 장치는, 바람직하게는 제 1 및 제 2 진공처리챔버(20 및 120)을 포함하며, 제 1 챔버는 본 발명의 방법에 따라 소재의 플라즈마세정을 실행하며, 제 2 챔버는, 예를 들면 금속을 증착하는 등 추가적인 처리단계를 실행한다.
    • 一种用于在具有内部区域(30)的等离子体清洁室(20)中等离子体清洁工件(W)的方法和设备。 该方法包括以下步骤:首先将工件装载到等离子体清洁腔室内部区域中。 下一步是将等离子体清洁室内部区域向下泵送至预定压力,氢气作为环境气体。 接下来的步骤是从氢气形成具有在10 10至10 13 cm -3范围内的离子密度和低于30 eV的离子能量的等离子体(36)。最后一步 将工件暴露于等离子体预定时间。 本发明的设备优选包括第一和第二真空处理室(20和120),其中第一室根据本发明的方法执行工件的等离子体清洁,并且第二室执行另外的处理步骤,例如 ,存放金属。