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热词
    • 2. 发明公开
    • 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체
    • 处理液体供应装置,处理液体供应方法和储存介质
    • KR1020160102126A
    • 2016-08-29
    • KR1020160018598
    • 2016-02-17
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 노가미츠요시
    • H01L21/02H01L21/67H01L21/66H01L21/683
    • G05D7/0635
    • 처리액의공급을행하면서, 처리액의물성또는처리액공급부의특성에따라처리액의유량조절기구를동작시키는조작량을적절히조절하는기술을제공한다. 기판(W)에처리액을공급하는처리액공급장치에있어서, 처리액공급부는, 조작량에따라처리액의유량을조절하는유량조절기구(402)를개재하여기판(W)을향해처리액을토출공급하고, 유량검출부(403)는기판(W)에공급되는처리액의유량을검출한다. 시스템동정부(181)는, 상기처리액공급부의시스템모델에따른시스템파라미터의결정을행하고, 유량제어부(182)는상기시스템파라미터를이용하여유량조절기구의새로운조작량을결정한다.
    • 本发明提供了一种用于在提供处理液的同时,根据处理液的物理特性或处理液供给单元的特性来适当地调整用于驱动流量调节工具的处理液的控制量的技术。 用于将处理液体供给到基板(W)的处理液供给装置包括:处理液供给单元,其配置有用于根据控制量调节处理液的流量的流量调整工具(402) 并将处理液供给到基板(W); 流量检测单元(403),其检测供给到所述基板(W)的处理液的流量; 系统操作单元,其根据所述处理液供给单元的系统模型确定所述系统的参数; 以及流量控制单元(182),其使用所述系统参数来确定所述流量调节工具(402)的新的控制量。
    • 4. 发明公开
    • 가열처리장치
    • 热处理装置
    • KR1020020057811A
    • 2002-07-12
    • KR1020020000145
    • 2002-01-03
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 시라카와에이이치푸쿠오카테츠오노가미츠요시
    • H01L21/027
    • F28D15/02F27D2019/0037F28D15/06H01L21/67103H01L21/67109H01L21/67248
    • PURPOSE: A heat processing apparatus is provided to heat a substrate at a uniform temperature all over its surface. CONSTITUTION: The heat processing apparatus(HP) includes a disk-like hot plate(51) in a casing(50). The hot plate(51) is made of aluminum and the surface thereof is provided with proximity pins(52) on which the wafer is placed in the proximity of the hot plate surface. There are arranged under the back surface of the hot plate(51) a plurality of ring heaters(53) in a concentric manner. The heaters(53) is heated by electric currents, thereby heating the hot plate(51) and the wafer(W). In this case, the electric current in each heater(53) may preferably be controlled independently. The hot plate(51) is supported by a hollow support member(54). Three through holes(55) through each of which a pin(56) is provided for ascending and descending the wafer(W).
    • 目的:提供一种热处理设备,以在整个表面上以均匀的温度加热基底。 构成:热处理装置(HP)包括在壳体(50)中的盘状加热板(51)。 热板(51)由铝制成,其表面设置有接近销(52),晶片被放置在热板表面附近。 在热板(51)的后表面上以同心方式布置有多个环形加热器(53)。 加热器(53)被电流加热,从而加热热板(51)和晶片(W)。 在这种情况下,每个加热器(53)中的电流可以优选地被独立地控制。 热板(51)由中空的支撑构件(54)支撑。 三个通孔(55),每个通孔(56)设置有用于上升和下降晶片(W)的销(56)。