专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100558130B1 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트패턴 형성방법 有权
标题翻译：正型抗蚀剂组合物和使用其形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR100558130B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020037010213
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 에스테르 측쇄부에 다환식 기 함유 산 해리성 용해억제기를 함유하고 (메타)아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 주쇄에 포함하는, 산의 작용에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 수지 성분 (A)와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)와, 유기용제 (C)를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서,
상기 (A) 성분이 메타크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위와 아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물. 상기 레지스트 조성물로, 에칭시의 표면조도, 라인 엣지 러프니스가 적고 해상성이 우수하며 초점 심도 폭이 넓은 레지스트 패턴이 형성된다.
摘要翻译：多环基的酸解离性溶解并含有抑制（甲基）和树脂成分（A）的酸的作用下增加的碱溶解性，包括由丙烯酸酯主链衍生它们的结构单元，在暴露于酯侧链部（B）和有机溶剂（C）通过酸产生剂（B）产生酸，

2. 发明公开

KR1020050112133A 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴형성방법 失效
公开(公告)号：KR1020050112133A
公开(公告)日：2005-11-29
申请号：KR1020057020546
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/027 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin ingredient which has ester side chains having an acid-dissociating dissolution-inhibitive group containing a polycyclic group and has structural units derived from a (meth)acrylic ester in the main chain and which comes to have enhanced alkali solubility by the action of an acid, (B) an acid generator ingredient which generates an acid upon exposure to light, and (C) an organic solvent, the composition being of the chemical amplification type wherein the ingredient (A) has both structural units derived from a (meth) acrylic ester and structural units derived from an acrylic ester. This resist composition gives a resist pattern which is reduced in surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range.

3. 发明授权

KR100561902B1 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴형성방법 有权
标题翻译：正型抗蚀剂组合物和使用其形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR100561902B1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020057020545
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 에스테르 측쇄부에 다환식 기 함유 산 해리성 용해억제기를 함유하고 (메타)아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 주쇄에 포함하는, 산의 작용에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 수지 성분 (A)와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)와, 유기용제 (C)를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서,
상기 (A) 성분이 메타크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위와 아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물. 상기 레지스트 조성물로, 에칭시의 표면조도, 라인 엣지 러프니스가 적고 해상성이 우수하며 초점 심도 폭이 넓은 레지스트 패턴이 형성된다.
포지티브형 레지스트 조성물, 메타크릴산 에스테르, 아크릴산 에스테르
摘要翻译：多环基的酸解离性溶解并含有抑制（甲基）和树脂成分（A）的酸的作用下增加的碱溶解性，包括由丙烯酸酯主链衍生它们的结构单元，在暴露于酯侧链部（B）和有机溶剂（C）通过酸产生剂（B）产生酸，

4. 发明公开

KR1020050106414A 레지스트용 미정제 수지의 정제 방법 有权
标题翻译：精炼酚醛树脂的方法
公开(公告)号：KR1020050106414A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020057014347
申请日：2004-01-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 하다히데오 , 이와이다케시 , 미야이리미와 , 무로이마사아키 , 아츠치고타 , 도미다히로아키
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F6/06 , C08F6/12
摘要： A process for refining a crude resin for a resist is provided, which is capable of effectively removing by-products such as polymers and oligomers contained within the crude resin. The process provides a refining process for the crude resin of a resist resin (A) used in a photoresist composition comprising at least the resist resin (A) and an acide generator (B) dissolved in a first organic solvent (C1), wherein if the concentration of the component (A) in the photoresist composition is labeled X, and the crude resin concentration of the component (A) in a crude resin solution comprising the crude resin of the component (A) dissolved in a second organic solvent (C2) is labeled Y, then (i) the crude resin solution is prepared so that Y is smaller than X, and (ii) the crude resin solution is subsequently filtered.
摘要翻译：提供了用于精制抗蚀剂粗树脂的方法，其能够有效地除去粗树脂中所含的聚合物和低聚物等副产物。该方法为至少包含溶解在第一有机溶剂（C1）中的抗蚀剂树脂（A）和酰化发生剂（B））的光致抗蚀剂组合物中用于抗蚀剂树脂（A）的粗树脂提供精制方法，其中如果将光致抗蚀剂组合物中组分（A）的浓度标记为X，并将包含溶解在第二有机溶剂（C2）中的组分（A）的粗树脂的粗树脂溶液中的组分（A）的粗树脂浓度）标记为Y，然后（i）制备粗树脂溶液使得Y小于X，和（ii）随后过滤粗树脂溶液。

5. 发明授权

KR100711542B1 레지스트 패턴, 포지티브 레지스트 조성물 및 적층물을형성시키는 방법 有权
标题翻译：形成电阻图案，阳性电阻组合物和层状产品的方法
公开(公告)号：KR100711542B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020057009825
申请日：2003-12-01
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 하다히데오 , 미야이리미와 , 구보타나오타카 , 이와이다케시
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 패턴 크기 조절이 우수한 레지스트 패턴 형성을 가능하게 하는 레지스트 패턴 형성 방법, 뿐만 아니라 상기 방법에 사용된 포지티브 레지스트 조성물 및 상기 포지티브 레지스트 조성물을 사용하여 형성시킨 적층물이 제공된다. 상기 방법에서, 하기 나타낸 일반식 (I) 로 표시되는 (메트)아크릴레이트 에스테르에서 유래한 구조단위 (a1) 를 함유하고 산의 작용하에서 증가된 알칼리 용해도를 나타내는 레진 성분 (A), 및 노광시 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B) 를 포함한 포지티브 레지스트 조성물을 기판에 적용하고, 예비소성을 수행하고, 상기 레지스트 조성물을 선택적으로 노광시키고, 노광 후 소성 (PEB) 을 수행한 후, 알칼리 현상 (alkali developing) 을 사용하여 레지스트 패턴을 형성시키고, 이렇게 수득한 레지스트 패턴의 패턴 크기를 열 처리로 축소시킨다.
레지스트 패턴, 포지티브 레지스트 조성물, 노광

6. 发明授权

KR100593230B1 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴형성방법 失效
公开(公告)号：KR100593230B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020057020547
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 에스테르 측쇄부에 다환식 기 함유 산 해리성 용해억제기를 함유하고 (메타)아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 주쇄에 포함하는, 산의 작용에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 수지 성분 (A)와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)와, 유기용제 (C)를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서,
상기 (A) 성분이 메타크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위와 아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물. 상기 레지스트 조성물로, 에칭시의 표면조도, 라인 엣지 러프니스가 적고 해상성이 우수하며 초점 심도 폭이 넓은 레지스트 패턴이 형성된다.
포지티브형 레지스트 조성물, 메타크릴산 에스테르, 아크릴산 에스테르

7. 发明公开

KR1020050084068A 레지스트 패턴, 포지티브 레지스트 조성물 및 적층물을형성시키는 방법 有权
标题翻译：形成电阻图案，阳性电阻组合物和层状产品的方法
公开(公告)号：KR1020050084068A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020057009825
申请日：2003-12-01
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 하다히데오 , 미야이리미와 , 구보타나오타카 , 이와이다케시
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： There are provided a method of forming a resist pattern that enables the resist pattern to be formed with good control of the pattern size, as well as a positive resist composition used in the method, and a layered product formed using the positive resist composition. In the above method a positive resist composition comprising a resin component (A), which contains a structural unit (al) derived from a (meth)acrylate ester represented by a general formula (I) shown below, and displays increased alkali solubility under action of acid, and an acid generator component (B) that generates acid on exposure is applied to a substrate, a prebake is conducted, the resist composition is selectively exposed, post exposure baking (PEB) is conducted, alkali developing is then used to form a resist pattern, and the pattern size of the thus produced resist pattern is then narrowed by heat treatment.
摘要翻译：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其能够形成对图案尺寸的良好控制，以及该方法中使用的正性抗蚀剂组合物和使用正性抗蚀剂组合物形成的层叠体。在上述方法中，含有含有由下述通式（I）表示的（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元（a1））的树脂成分（A）的正型抗蚀剂组合物在作用下显示出增加的碱溶解性的酸，并且在基材上产生酸的酸发生剂组分（B）施加到基材上，进行预烘烤，选择性地暴露抗蚀剂组合物，进行曝光后烘烤（PEB），然后用碱显影形成抗蚀剂图案，然后通过热处理使由此制得的抗蚀剂图案的图案尺寸变窄。

8. 发明公开

KR1020050112131A 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴형성방법 失效
公开(公告)号：KR1020050112131A
公开(公告)日：2005-11-29
申请号：KR1020057020544
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin ingredient which has ester side chains having an acid-dissociating dissolution-inhibitive group containing a polycyclic group and has structural units derived from a (meth)acrylic ester in the main chain and which comes to have enhanced alkali solubility by the action of an acid, (B) an acid generator ingredient which generates an acid upon exposure to light, and (C) an organic solvent, the composition being of the chemical amplification type wherein the ingredient (A) has both structural units derived from a (meth) acrylic ester and structural units derived from an acrylic ester. This resist composition gives a resist pattern which is reduced in surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range.

9. 发明公开

KR1020040048876A 포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트패턴 형성방법 有权
标题翻译：正型抗蚀剂组合物和使用其形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR1020040048876A
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：KR1020037010213
申请日：2002-11-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이와이다께시 , 구보따나오따까 , 후지무라사또시 , 미야이리미와 , 하다히데오
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 에스테르 측쇄부에 다환식 기 함유 산 해리성 용해억제기를 함유하고 (메타)아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 주쇄에 포함하는, 산의 작용에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 수지 성분 (A)와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)와, 유기용제 (C)를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서,
상기 (A) 성분이 메타크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위와 아크릴산 에스테르에서 유도되는 구성 단위를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물. 상기 레지스트 조성물로, 에칭시의 표면조도, 라인 엣지 러프니스가 적고 해상성이 우수하며 초점 심도 폭이 넓은 레지스트 패턴이 형성된다.

10. 发明授权

KR100702376B1 레지스트용 미정제 수지의 정제 방법 有权
标题翻译：精炼酚醛树脂的方法
公开(公告)号：KR100702376B1
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020057014347
申请日：2004-01-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 하다히데오 , 이와이다케시 , 미야이리미와 , 무로이마사아키 , 아츠치고타 , 도미다히로아키
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F6/06 , C08F6/12
摘要： 레지스트용 미정제 수지 중에 포함되는 중합체나 소중합체 등의 부생물을 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트용 미정제 수지의 정제 방법이 제공된다. 이 방법은, 적어도 레지스트용 수지 (A) 및 산발생제 (B)를 유기 용매 (C1)에 용해하여 이루어지는 포토레지스트 조성물에 사용하는 성분 (A)의 미정제 수지를 정제하는 방법으로서, 포토레지스트 조성물 중의 성분 (A)의 농도를 X 로 하고, 또한 성분 (A)의 미정제 수지를 유기 용매 (C2)에 용해하여 이루어지는 용액에서의 미정제 수지 농도를 Y 로 하였을 때, (i) Y 는 X 보다 작아지도록 미정제 수지 용액을 제조하고, 이어서 (ii) 미정제 수지 용액을 여과하는 것을 포함한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式