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1. 发明授权

KR101708256B1 나노 임프린트용 레지스트 하층막 형성 조성물 有权
标题翻译：用于形成NANOIMPRINT LITHOGRAPHY的电阻膜的组合物
公开(公告)号：KR101708256B1
公开(公告)日：2017-02-20
申请号：KR1020127003081
申请日：2010-07-26
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 타케이,사토시 , 오하시,토모야
IPC分类号： H01L21/027 , C08G77/14 , C08G59/20
CPC分类号： G03F7/0757 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08G77/045 , C08G77/14 , C09D183/06 , G03F7/0002 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2051
摘要： [과제] 패턴형성프로세스의나노임프린트리소그래피에있어서, 나노임프린트용레지스트의하층에사용되는레지스트하층막을열소성, 광조사또는이 이것들을모두행함으로서경화시켜형성하는조성물을제공한다. [해결수단] 나노임프린트를이용하는패턴형성프로세스에있어서나노임프린트에사용되는레지스트의하층막을열소성, 광조사또는이것들을모두행하여형성하기위한조성물로서, 규소원자를포함하는중합성화합물(A), 중합개시제(B) 및용제(C)를포함하는나노임프린트용레지스트하층막형성조성물. 상기중합성화합물(A)이, 규소원자를 5 내지 45 질량% 함유하는것이다. 상기중합성화합물(A)은, 양이온중합가능한반응성기를적어도 1개갖는중합성화합물, 라디칼중합가능한반응성기를적어도 1개갖는중합성화합물, 또는이들의조합이고, 상기중합개시제(B)는광중합개시제이다.
摘要翻译：提供了一种用于固化抗蚀剂下层膜的组合物，其用作纳米压印抗蚀剂的底层，用于通过热烘烤，光照射或它们两者的图案形成方法的纳米压印光刻中以形成抗蚀剂下层膜。包含含硅原子的可聚合化合物（A），聚合引发剂（A）的组合物，通过进行热烘烤，光照射或二者均使用纳米压印法形成图案形成工序中的纳米压印用抗蚀剂下层膜的组合物（B）和溶剂（C）。可聚合化合物（A）可以含有5〜45质量％的硅原子。聚合性化合物（A）可以是具有至少一个阳离子可聚合反应性基团的聚合性化合物，具有至少一个自由基聚合反应性基团的聚合性化合物或它们的组合，聚合引发剂（B）可以是光聚合引发剂。

2. 发明公开

KR1020130101063A 단분자층 또는 다분자층 형성용 조성물 有权
标题翻译：用于形成单层或多层的组合物
公开(公告)号：KR1020130101063A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020137010480
申请日：2011-10-07
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 키시오카,타카히로 , 사쿠마,다이스케 , 키무라,시게오 , 니시마키,히로카즈 , 오하시,토모야 , 우스이,유키
IPC分类号： C09D183/08 , C07F7/18 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C07F7/1836 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/11 , H01L21/0273
摘要： [과제] 기판상에 단분자층 또는 다분자층을 형성하기 위한 조성물을 제공한다. [해결수단] 하기 식(1A) 또는 하기 식(1B): [식 중, R
1 은 각각 독립적으로 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, X는 각각 독립적으로 탄소원자수 1 내지 10의 연결기를 나타내고, Z는 각각 독립적으로 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 치환기를 가지고 있을 수도 있는 페닐기를 나타내고, 상기 X는 적어도 1개의 산소원자 또는 황원자를 주쇄에 포함하고 있을 수도 있으며, 상기 Z가 알킬기를 나타내는 경우, 상기 알킬기 중 적어도 1개의 수소원자는 플루오르원자로 치환되어 있을 수도 있다.]로 표시되는 실란 화합물 및 유기용제를 포함하는, 단분자층 또는 다분자층 형성용 조성물이다.
摘要翻译：提供了在基材上形成单层或多层的组合物。用于形成单层的组合物或含有式（1A）或式（1B）的硅烷化合物的多层：[其中R 1独立地是甲基或乙基; X独立地为C1-10连接基团; 并且Z独立地为C1-10烷基或任选具有取代基的苯基，其中X任选地在其主链中含有至少一个氧原子或硫原子，当Z为烷基时，至少一个氢原子的烷基任选被氟原子取代]和有机溶剂。

3. 发明公开

KR1020120105545A 감광성 레지스트 하층막 형성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법 无效
标题翻译：用于生产感光性电阻膜的组合物及其形成电阻图案的方法
公开(公告)号：KR1020120105545A
公开(公告)日：2012-09-25
申请号：KR1020127019700
申请日：2010-11-16
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 우메자키,마키코 , 키시오카,타카히로 , 호리구치,유스케 , 니시마키,히로카즈 , 오하시,토모야 , 우스이,유키
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/095
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0392 , G03F7/0955
摘要： [과제] 감광성 레지스트 하층막 형성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것. [해결수단] 하기 식(1)으로 표시되는 구조단위를 가지는 폴리머, 적어도 2개의 비닐에테르기를 가지는 화합물, 광산발생제 및 용제를 포함하는 감광성 레지스트 하층막 형성 조성물.(식 중, R
1 은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R
2 는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, i는 0 내지 4의 정수를 나타낸다.)

4. 发明授权

KR101684870B1 단분자층 또는 다분자층 형성용 조성물 有权
标题翻译：用于形成单层或多层的组合物
公开(公告)号：KR101684870B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020137010480
申请日：2011-10-07
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 키시오카,타카히로 , 사쿠마,다이스케 , 키무라,시게오 , 니시마키,히로카즈 , 오하시,토모야 , 우스이,유키
IPC分类号： C09D183/08 , C07F7/18 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C07F7/1836 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/30
摘要： [과제] 기판상에단분자층또는다분자층을형성하기위한조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1A) 또는하기식(1B): [식중, R은각각독립적으로메틸기또는에틸기를나타내고, X는각각독립적으로탄소원자수 1 내지 10의연결기를나타내고, Z는각각독립적으로탄소원자수 1 내지 10의알킬기또는치환기를가지고있을수도있는페닐기를나타내고, 상기 X는적어도 1개의산소원자또는황원자를주쇄에포함하고있을수도있으며, 상기 Z가알킬기를나타내는경우, 상기알킬기중 적어도 1개의수소원자는플루오르원자로치환되어있을수도있다.]로표시되는실란화합물및 유기용제를포함하는, 단분자층또는다분자층형성용조성물이다.
摘要翻译：提供了在基材上形成单层或多层的组合物。用于形成单层的组合物或含有式（1A）或式（1B）的硅烷化合物的多层：[其中R 1独立地是甲基或乙基; X独立地为C1-10连接基团; 并且Z独立地为C1-10烷基或任选具有取代基的苯基，其中X任选地在其主链中含有至少一个氧原子或硫原子，当Z为烷基时，至少一个氢原子的烷基任选被氟原子取代]和有机溶剂。

5. 发明公开

KR1020150105954A 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-实审
标题翻译：抗静电膜成膜组合物
公开(公告)号：KR1020150105954A
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：KR1020157017384
申请日：2013-12-17
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오하시,토모야 , 키무라,시게오 , 오가타,히로토
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/09
CPC分类号： C09D167/04 , C08G63/065 , C08J3/095 , C08J2367/04 , C08K5/0008 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要： [과제] 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르를 주성분으로 하는 용제에 대한 용해성이 우수한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1a) 또는 식(1c)로 표시되는 구조단위, 및 하기 식(1b)로 표시되는 구조단위를 갖는 폴리머와, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르를 50질량%를 초과하여 함유하는 용제를 포함하고, 상기 식(1a) 또는 식(1c)로 표시되는 구조단위와 식(1b)로 표시되는 구조단위는 교차로 배열하여 이루어지는, 레지스트 하층막 형성 조성물.

(식(1a) 및 식(1b) 중, Q는 페닐렌기 또는 나프틸렌기를 나타내고, m은 1 또는 2를 나타내고, n은 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다.)

6. 发明公开

KR1020140133834A 막형성 조성물 및 이온주입방법 审中-实审
标题翻译：电影成型和离子植入方法
公开(公告)号：KR1020140133834A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：KR1020147024393
申请日：2013-02-08
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오하시,토모야 , 키시오카,타카히로
IPC分类号： H01L21/265 , C08L101/00 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/265 , C07F5/04 , C08L101/00 , C09D201/02 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01L21/26526 , H01L21/266 , H01L21/31155
摘要： [과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것.
[해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기 막의 상방으로부터 상기 막을 개재하여 상기 기판에 주입함과 동시에, 상기 막 중의 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 상기 기판 중에 도입하는 공정을 포함하는, 이온주입방법. 상기 막형성 조성물은, 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 이온주입용 막형성 조성물이다. 또한, 적어도 2개의 붕산에스테르기를 가지는 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다.
摘要翻译：提供了离子注入方法，用于形成离子注入膜的组合物和抗蚀剂下层膜形成组合物。一种离子注入方法，包括以下步骤：通过将含有包含第13族，第14族，第15族或第16族中的元素的化合物和有机溶剂的成膜组合物施加到基材上而形成膜，成型组成; 并通过膜从上面将杂质离子注入到衬底中，并将膜中的第13族，第14族，第15族或第16族中的元素引入衬底中。成膜组合物是用于离子注入的成膜组合物，其含有包含第13族，第14族，第15族或第16族中的元素的化合物和有机溶剂。此外，下层膜形成组合物含有具有至少两个硼酸酯基的化合物。

7. 发明授权

KR101880201B1 막형성 조성물 및 이온주입방법 有权
公开(公告)号：KR101880201B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020147024393
申请日：2013-02-08
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오하시,토모야 , 키시오카,타카히로
IPC分类号： H01L21/265 , C08L101/00 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/265 , C07F5/04 , C08L101/00 , C09D201/02 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01L21/26526 , H01L21/266 , H01L21/31155
摘要： [과제] 이온주입방법및 이온주입용막형성조성물및 레지스트하층막형성조성물을제공하는것. [해결수단] 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를포함하는화합물및 유기용제를포함하는막형성조성물을기판상에도포하고베이크하여막을형성하는공정, 불순물이온을상기막의상방으로부터상기막을개재하여상기기판에주입함과동시에, 상기막 중의 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를상기기판중에도입하는공정을포함하는, 이온주입방법. 상기막형성조성물은, 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를포함하는화합물및 유기용제를포함하는이온주입용막형성조성물이다. 또한, 적어도 2개의붕산에스테르기를가지는화합물을포함하는레지스트하층막형성조성물이다.

8. 发明公开

KR1020170132806A 양이온 중합성 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-实审
标题翻译：阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：KR1020170132806A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020177030621
申请日：2016-03-18
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오가타,히로토 , 키무라,시게오 , 우스이,유키 , 오하시,토모야 , 키시오카,타카히로
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/20
CPC分类号： G03F7/11 , C08G59/20 , C09D163/00
摘要： [과제] 반도체장치제조의리소그래피프로세스에있어서, 반도체기판상에형성된포토레지스트층으로의노광조사광의기판으로부터의반사를경감시키는하층반사방지막으로서사용가능할뿐만아니라, 특히요철이있는반도체기판을평탄하게매립하기위한평탄화막으로서호적하게사용할수 있는리소그래피용레지스트하층막을형성하기위한조성물을제공한다. [해결수단] (A)분자내에환상지방족골격과 1개이상의에폭시기그리고광흡수부위를가지는지환식에폭시화합물, (B)열산발생제, 및 (C)용제를포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물.
摘要翻译： [问题]在光刻工艺用于制造半导体器件，以及被用作下层防反射膜，用于降低所述曝光照射光基板反射到形成在半导体基板上的光致抗蚀剂层，特别是扁平的半导体衬底中，向其中凹凸提供一种适合用作埋入用平坦化膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。 [解决问题的手段]（A）的脂环族环氧化合物，（B）热产酸剂，和（C）含有在分子中具有环状脂肪族骨架和一个或多个环氧基团，和光吸收部分的溶剂的光刻抗蚀剂下层膜形成用组合物。

9. 发明公开

KR1020160102175A 트리아진환 및 황원자를 주쇄에 갖는 공중합체를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-实审
标题翻译：含有共轭聚合物的抗静电膜形成组合物在主链中具有TRIAZINE RING和SUFFUR ATOM
公开(公告)号：KR1020160102175A
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020167015405
申请日：2014-12-10
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오가타,히로토 , 키시오카,타카히로 , 히로이,요시오미 , 오하시,토모야 , 우스이,유키
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , C08G63/6856 , C08G63/6886 , C09D167/02 , C09D167/025 , C09D181/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/0048
摘要： [과제] 신규한레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1)로표시되는구조단위및 하기식(2)로표시되는구조단위를갖는공중합체, 가교성화합물, 가교촉매그리고용제를포함하는, 레지스트하층막형성조성물.(식중, A는트리아진환을포함하는 2가의유기기를나타내고, X은 -S-기또는 -O-기를나타내고, Q는탄소원자수 1 내지 15의직쇄상, 분지쇄상또는환상의탄화수소기를나타내고, 이탄화수소기는, 주쇄에황원자또는산소원자를적어도 1개가질수도있고, 치환기로서하이드록시기를적어도 1개가질수도있고, n은 0 또는 1을나타내고, R및 R는각각독립적으로탄소원자수 1 내지 3의알킬렌기또는단결합을나타내고, Z는황원자또는산소원자를적어도 1개갖는 2가의기를나타내고, X이 -O-기를나타내는경우, Z는황원자를적어도 1개갖는 2가의기를나타낸다.)
摘要翻译：其中A为含有三嗪环的二价有机基团，X 1为-S-基或-O-基团，Q为碳原子数为1〜15的直链，支链或环状烃基，烃基可以在主链和至少一个羟基作为取代基具有至少一个硫原子或氧原子，n为0或1，R 1和R 2各自独立地为C 1-3亚烷基或单键，Z为具有至少一个硫原子或氧原子的二价基团，当X 1为-O-基时，Z为具有至少一个硫原子的二价基团。

10. 发明公开

KR1020160048087A 레지스트 하층막을 적용한 패턴형성방법 审中-实审
标题翻译：使用电阻膜的图案形成方法
公开(公告)号：KR1020160048087A
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020167005090
申请日：2014-08-27
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 오하시,토모야 , 키무라,시게오 , 우스이,유키 , 오가타,히로토
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , C08L63/04 , C08L33/06
CPC分类号： H01L21/3086 , C08F8/14 , C08F220/32 , G03F7/038 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , G03F7/004 , C08L33/068 , C08L63/04 , G03F7/0048 , G03F7/11 , G03F7/26 , C08F220/26 , C08F220/14 , C08F220/18
摘要： [과제] 염기성과산화수소수용액에대한내성을갖는레지스트하층막을이용한패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 표면에무기막이형성될수도있는반도체기판상에, 중량평균분자량 1000 내지 100000의에폭시기를갖는폴리머및 용제를포함하는레지스트하층막형성조성물을도포하고, 베이크하여레지스트하층막을형성하는제1 공정, 상기레지스트하층막상에레지스트패턴을형성하는제2 공정, 상기레지스트패턴을마스크로하여상기레지스트하층막을드라이에칭하고, 상기무기막또는상기반도체기판의표면을노출시키는제3 공정, 그리고드라이에칭후의상기레지스트하층막을마스크로하고, 염기성과산화수소수용액을이용하여상기무기막또는상기반도체기판을웨트에칭하는제4 공정을포함하는패턴형성방법.

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