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1. 发明授权

KR101399568B1 마스크 블랭크 및 마스크 有权
标题翻译：面具空白和面具
公开(公告)号：KR101399568B1
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020070089789
申请日：2007-09-05
申请人： 호야 가부시키가이샤 , 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하지모토마사히로 , 에노모토토모유키 , 사카구치타카히로 , 사카모토리키마루 , 나가이마사키
IPC分类号： G03F1/48 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/78 , G03F7/11
摘要： [과제] 전사용 마스크의 전사패턴 선폭의 설계 치수와 기판상에 형성된 전사패턴 선폭 치수와의 차이(실 치수 차)를 억제하고, Linearity를 10㎚ 이하로 억제하는 것이 가능한 마스크 블랭크 및 마스크를 제공한다.
[해결 수단] 기판상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과 이 박막의 상방에 성막된 화학 증폭형의 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크에 있어서,
상기 레지스트막의 화학 증폭 기능를 저해하는 물질이 레지스트막의 저부에서부터 레지스트막 내로 이동하는 것을 저지하는 보호막을, 상기 박막과 레지스트막과의 사이에 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
전사용 마스크, 전사패턴, 마스크, 마스크 블랭크, 레지스트 막
摘要翻译：掩模坯料配备有形成在基板上形成的掩模图案的薄膜和形成在薄膜上方的化学放大型抗蚀剂膜。在掩模坯料中，在薄膜和抗蚀剂膜之间设置防止从抗蚀剂膜的底部到抗蚀剂膜内部阻止抗蚀剂膜的化学放大功能的物质的移动的保护膜。掩模坯料将形成在基板上的转印图案的线宽尺寸的误差抑制为转印掩模的转印图案线宽度的设计尺寸（实际尺寸误差），并且还抑制高达10nm的线性度。

2. 发明授权

KR101342024B1 나프탈렌 수지 유도체를 함유하는 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물 有权
公开(公告)号：KR101342024B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020087000594
申请日：2006-05-24
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 에노모토토모유키 , 키시오카타카히로 , 사카구치타카히로
IPC分类号： G03F7/11
摘要： 나프탈렌 수지 유도체를 함유하는 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물을 제공하는 것이다.
하기 일반식 (1):
[화학식 1]

(식 중, A는 방향족기를 갖는 유기기를 나타내고, R
1 은 히드록실기, 알킬기, 알콕시기, 할로겐기, 티올기, 아미노기, 또는 아미드기를 나타내고, m1은 나프탈렌환으로 치환한 A의 수로 1 내지 6의 정수를 나타내고, m2는 나프탈렌환으로 치환한 R
1 의 수로 0 내지 5의 정수이고, m1+m2는 1 내지 6의 정수로 6 이외의 경우의 잔부는 수소 원자를 나타낸다. n은 2 내지 7000의 반복 단위를 나타낸다.)로 나타내는 화합물을 포함하는 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물이다.
나프탈렌 수지, 리소그래피, 하층막, 포토레지스트

3. 发明授权

KR101195468B1 방향족 술폰산 에스테르 화합물 및 광산발생제를 포함하는 하층반사방지막 형성조성물 有权
标题翻译：用于形成含有芳香磺酸酯化合物和光致发光剂的底部抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：KR101195468B1
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020077005381
申请日：2005-09-27
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하타나카타다시 , 에노모토토모유키 , 키무라시게오
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C09D163/00 , G03F7/0382
摘要： [과제] 반도체 장치 제조의 리소그라피 프로세스에서 사용되고, 포토레지스트용의 알칼리성 현상액으로 현상할 수 있는 하층반사방지막을 형성하기 위한 하층반사방지막 형성조성물, 및 그 하층반사방지막 형성조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 것. [해결수단] 폴리아미드산, 2개 이상의 에폭시기를 갖는 가교성 화합물, 방향족 술폰산에스테르화합물, 광산발생제 및 용제를 포함하는 하층반사방지막 형성조성물.
리소그라피 프로세스, 포토레지스트, 알칼리성 현상액, 하층반사방지막, 폴리아미드산

4. 发明授权

KR101113775B1 폴리아미드산을 포함하는 반사방지막형성 조성물 有权
标题翻译：用于形成抗反射膜的含聚氨酯的组合物
公开(公告)号：KR101113775B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020067003477
申请日：2004-08-27
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하타나카타다시 , 에노모토토모유키 , 키무라시게오
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S438/952
摘要： [과제]
반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에서 사용되고, 포토레지스트용 알칼리성 현상액으로 현상할 수 있는 반사방지막을 형성하기 위한 반사방지막형성 조성물, 및 그 반사방지막형성 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 것이다.
[해결수단]
테트라카본산2무수물화합물과 적어도 하나의 카르복실기를 갖는 디아민화합물로 제조되는 폴리아미드산, 적어도 2개의 에폭시기를 갖는 화합물, 및 용제를 포함하는 반사방지막형성 조성물이다.
포토레지스트, 반사방지막, 리소그래피, 반도체

5. 发明授权

KR101168249B1 비닐에테르 화합물을 포함하는 반사방지막 형성 조성물 有权
标题翻译：含有乙烯基醚化合物的抗反应膜成膜组合物
公开(公告)号：KR101168249B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020067024643
申请日：2005-05-11
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하타나카타다시 , 키무라시게오 , 에노모토토모유키
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
摘要： 반도체 장치 제조의 리소그라피 프로세스에서 사용되고, 포토레지스트용 알칼리성 현상액으로 현상할 수 있는 반사방지막을 형성하기 위한 반사방지막 형성 조성물 및 그 반사방지막 형성 조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
적어도 2개의 비닐에테르기를 갖는 화합물, 적어도 2개의 페놀성 수산기 또는 카르복실기를 갖는 알칼리 가용성 화합물, 광산발생제 및 용제를 포함하는 반사방지막 형성 조성물.
리소그라피, 포토레지스트, 반사방지막, 비닐에테르기, 알칼리 가용성 화합물

6. 发明授权

KR101026127B1 리소그라피용 반사방지막 형성 조성물 有权
标题翻译：用于平版印刷的防反射膜的组合物
公开(公告)号：KR101026127B1
公开(公告)日：2011-04-05
申请号：KR1020057006066
申请日：2003-10-08
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 키시오카타카히로 , 미즈사와켄이치 , 에노모토토모유키 , 사카모토리키마루 , 나카야마케이스케 , 카와무라야스오
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/038 , G03F7/091 , Y10S430/106
摘要： 반도체 장치의 제조에 사용하는 파장의 광에 양호한 광흡수성을 나타내고, 높은 반사광 방지효과를 가지며, 포토레지스트 층과 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 갖는 반사방지막을 위한 반사방지막 형성 조성물을 제공한다. 구체적으로는 질소 원자 상의 치환기로서 히드록시 알킬 구조를 갖는 트리아진 트리온 화합물, 올리고머 화합물 또는 고분자 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반사방지막 형성 조성물이다.
반사방지막, 히드록시 알킬, 트리아진 트리온 화합물, 올리고머 화합물, 포토레지스트

7. 发明公开

KR1020070065316A 방향족 술폰산 에스테르 화합물 및 광산발생제를 포함하는 하층반사방지막 형성조성물 有权
标题翻译：用于形成含有芳香磺酸酯化合物和光致发光剂的底部抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：KR1020070065316A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020077005381
申请日：2005-09-27
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하타나카타다시 , 에노모토토모유키 , 키무라시게오
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C09D163/00 , G03F7/0382 , G03F7/11
摘要： [PROBLEMS] To provide a bottom anti-reflective coating forming composition for forming a bottom anti-reflective coating which is used in a lithography process for manufacturing a semiconductor device and can be developed with an alkaline developing solution for a photoresist, and a method for forming a photoresist pattern using the bottom anti-reflective coating forming composition. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A composition for forming a bottom anti-reflective coating which comprises a polyamide acid, a crosslinkable compound having two or more epoxy groups, an aromatic sulfonic acid ester compound, a photoacid-generating agent and a solvent.
摘要翻译：本发明提供一种用于形成底部抗反射涂层的底部抗反射涂层形成组合物，其用于制造半导体器件的光刻工艺中，并可用用于光致抗蚀剂的碱性显影液进行显影，以及用于使用底部抗反射涂层形成组合物形成光致抗蚀剂图案。用于解决问题的手段用于形成底部抗反射涂层的组合物，其包含聚酰胺酸，具有两个或更多个环氧基的交联性化合物，芳族磺酸酯化合物，光致酸产生剂和溶剂。

8. 发明公开

KR1020070017461A 폴리아미드산을 포함하는 반사방지막형성 조성물 有权
标题翻译：用于形成抗反射膜的含聚氨酯的组合物
公开(公告)号：KR1020070017461A
公开(公告)日：2007-02-12
申请号：KR1020067003477
申请日：2004-08-27
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하타나카타다시 , 에노모토토모유키 , 키무라시게오
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S438/952 , C09D179/08
摘要： [과제]
반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에서 사용되고, 포토레지스트용 알칼리성 현상액으로 현상할 수 있는 반사방지막을 형성하기 위한 반사방지막형성 조성물, 및 그 반사방지막형성 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 것이다.
[해결수단]
테트라카본산2무수물화합물과 적어도 하나의 카르복실기를 갖는 디아민화합물로 제조되는 폴리아미드산, 적어도 2개의 에폭시기를 갖는 화합물, 및 용제를 포함하는 반사방지막형성 조성물이다.
포토레지스트, 반사방지막, 리소그래피, 반도체

9. 发明授权

KR101342023B1 마스크 블랭크용 레지스트 하층막 형성 조성물, 마스크블랭크 및 마스크 有权
标题翻译：防晒涂料成型用于面漆，面漆和面膜的组合物
公开(公告)号：KR101342023B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020070015019
申请日：2007-02-13
申请人： 호야 가부시키가이샤 , 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하지모토마사히로 , 에노모토토모유키 , 사카구치타카히로 , 사카모토리키마루 , 나가이마사키
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/38 , G03F1/80
摘要： 기판상에전사패턴을형성하는박막및 화학증폭형레지스트막의순서로포함하는마스크블랭크에있어서, 상기전사패턴을형성하는박막과레지스트막 사이의레지스트하층막을형성하기위해사용되고, 할로겐원자를함유하는반복단위구조를갖는고분자화합물및 용매를포함하는레지스트하층막형성조성물이다. 상기고분자화합물은적어도 10질량%의할로겐원자를함유한다.

10. 发明公开

KR1020070081784A 마스크 블랭크용 레지스트 하층막 형성 조성물, 마스크블랭크 및 마스크 有权
标题翻译：防晒涂料成型用于面漆，面漆和面膜的组合物
公开(公告)号：KR1020070081784A
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：KR1020070015019
申请日：2007-02-13
申请人： 호야 가부시키가이샤 , 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 하지모토마사히로 , 에노모토토모유키 , 사카구치타카히로 , 사카모토리키마루 , 나가이마사키
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/38 , G03F1/80
摘要： A composition for forming resist underlayer coating for a mask blank is provided to improve the resolving property of patterning of a thin film for forming transfer pattern, and the adherence with resist coatings and other base coatings. A resist underlayer coating forming composition is used for forming a mask blank comprising a thin film for forming transfer pattern, a resist underlayer coating and a chemically-amplified type resist coating, which are formed on a substrate in order, and comprises a polymer compound having a halogen atom-containing repeating structural unit and a solvent. The polymer compound is a compound containing a halogen atom in an amount of at least 10 mass % and represented by formula(1), in which L is a bonding group constituting the main chain of the polymer compound, M is a direct bond, or a linking group containing at least one selected from -C(=O)-, -CH2- or -O--, Q is an organic group, at least one of L, M and Q contains a halogen atom, and V is the number of structural units contained in the polymer compound and ranges from 1 to 3000.
摘要翻译：提供了一种用于形成用于掩模板的抗蚀剂下层涂层的组合物，以提高用于形成转印图案的薄膜的图案化的分辨性，以及与抗蚀剂涂层和其它基底涂层的粘合性。抗蚀剂下层涂层形成组合物用于形成掩模坯料，其包括用于形成转印图案的薄膜，抗蚀剂下层涂层和化学放大型抗蚀剂涂层，其依次形成在基材上，并且包含具有含卤原子的重复结构单元和溶剂。高分子化合物是含有至少10质量％的卤素原子并由式（1）表示的化合物，其中L是构成高分子化合物的主链的键合基团，M是直接键合，或含有选自-C（= O） - ， - CH 2 - 或-O - 的至少一个的连接基团，Q是有机基团，L，M和Q中至少一个含有卤素原子，V是高分子化合物中含有的结构单元数为1〜3000。

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