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1. 发明公开

KR1019930011222A 반도체 집적 회로 失效
公开(公告)号：KR1019930011222A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019920022767
申请日：1992-11-28
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C11/407
摘要： 내부 전원 전압을 얻기 위해 외부 전원 전압을 강하시키기 위한 전압 강하 회로와, 한 표면이 내부 회로와 함께 형성된 반도체 기판에 역 바이어싱 전압을 인가하기 위한 기판 바이어싱 전압 발생 회로를 포함하는 LSI가 설명되어 있으며, 여기서 외부 전원 전압의 인가후 상기 긴 바이어싱 전압 발생회로의 작동 전원으로서의 내부 전원전압의 증가의 지연으로 인한 LSI의 작동 시작 지연과 진력 소모의 증가가 방지된다.
LSI는 내부 전원 전압을 발생하기 위한 전압 강하 회로와, 기판 바이어싱 전압을 발생하기 위한 기판 바이어싱전압 발생 회로와, 외부 전원 인가후 외부 전원의 전압 상승율을 조정하기 위한 파워 온 회로를 포함한다. 기판바이어싱 전압 발생 회로는 LSI가 대기 모드에 있을때 작동가능한 대기 모드기판 바이어싱 전압 발생 회로와, 외부 전원 전압이 인가되고 LSI가 활성 모드일때 작동가능한 활성 모드 기판 바이어싱 전압 발생 회로를 포함한다. 활성 모드 기판 바이어싱 전압 발생 회로 부분은 모니터의 결과에 따라 파워온 회로에 의해 발생된 제어 신호에 응탑하여, 외부 전원 전압을 LSI에 인가할 때 기판 전류 흡수력을 그 단계로 스위칭하게 된다.
본 발명에 따른 LSI에서, 외부 전원 전압의 인가에 의해 파워 온 회로는 활성 모드 기판 바이어싱 전압 발생회로로 하여금 외부 전원 전압과 내부 전원 전압에 의해 작동되게 만든다. 외부 전원 전압의 인가의 내부 단계에 있어서 내부 전원 전압의 증가의 지연이 있다할지라도, 기판 바이어싱 전압은 이것이 단지 내부 전원 전압에 의해서만 작동할 때 보다 높은 속도로 낮추어지며 따라서 바이어싱 전압은 LSI의 작동 시작시에 신뢰할만하게 에칭전압치에 이르게된다. 따라서, 전압 강하 회로의 작동 지연으로 인한 기판 바이어싱 전압의 저감의 지연으로 인해 야기되는 M0S트렌지스터의 저감된 임계전압으로 인하여, 작동 시간후 LSI의 전력 소모의 증가는 없다.
종래의 16M 비트 DRAM에서, 기판 바이어싱 전압 발생 회로가 5V의 외부 전원 전압을 강하시켜 얻어진 3.3V의 내부 전원 전압에 의해 작동되어 -2.2V의 기판 바이어싱 전압을 인가하게 될때, 내부 전원 전압의 상승율의 지연에 의존하여 대기 모드에서의 대기 전류가 300A에서 약 1mA로 증가되는 경우가 있을 수 있다. 본 발명이 적용되는 16M 비트 DRAM에서는 전력 소모의 중가나 메모리 셀 내부의 손상은 없다.

2. 发明公开

KR1019910020719A 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1019910020719A
公开(公告)日：1991-12-20
申请号：KR1019910008641
申请日：1991-05-27
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C7/00
摘要： 내용 없음

3. 发明授权

KR1019960000679B1 인코더를 가진 용장 랜덤 액세스 메모리 장치 失效
标题翻译：带编码器的冗余随机存取存储器
公开(公告)号：KR1019960000679B1
公开(公告)日：1996-01-11
申请号：KR1019920000893
申请日：1992-01-23
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/802
摘要： 내용 없음.

4. 发明授权

KR100087911B1 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR100087911B1
公开(公告)日：1995-08-16
申请号：KR1019910008641
申请日：1991-05-27
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C7/00

5. 发明公开

KR1019920015384A 인코더를 가진 용장 랜덤 액세스 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1019920015384A
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：KR1019920000893
申请日：1992-01-23
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C29/00
摘要： 내용 없음

6. 发明授权

KR100114787B1 반도체 집적 회로 失效
公开(公告)号：KR100114787B1
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019920022767
申请日：1992-11-28
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C11/407

7. 发明授权

KR100099633B1 인코더를 가진 용장 랜덤 액세스 메모리 장치 失效
标题翻译：具有编码器的冗余随机存取存储器设备
公开(公告)号：KR100099633B1
公开(公告)日：1996-05-17
申请号：KR1019920000893
申请日：1992-01-23
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C29/00

8. 发明授权

KR1019950004741B1 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1019950004741B1
公开(公告)日：1995-05-06
申请号：KR1019910008641
申请日：1991-05-27
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/1006
摘要： 내용 없음.

9. 发明授权

KR1019970000881B1 반도체 집적 회로 失效
公开(公告)号：KR1019970000881B1
公开(公告)日：1997-01-20
申请号：KR1019920022767
申请日：1992-11-28
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까야마히로시
IPC分类号： G11C11/407
CPC分类号： G11C11/4074 , G05F1/46 , G05F3/205 , H02M3/07
摘要： 내용 없음.

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