专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101677058B1 폴리아세탈 수지, 그 합성 방법 및 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：合成聚乙烯树脂和光电组合物的聚乙烯树脂方法
公开(公告)号：KR101677058B1
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020090097299
申请日：2009-10-13
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 오정훈 , 한준희 , 서동철 , 주현상
IPC分类号： C08G2/24 , C08L59/00 , G03F7/004
摘要： 폴리아세탈수지, 그합성방법및 폴리아세탈수지를포함하는포토레지스트조성물을개시한다. 예를들어, 산해리성구조를갖는단분자형태의화합물인폴리아세탈수지를포함하는포토레지스트조성물을사용하여반도체소자를제조할경우, 미세한패턴을형성할수 있는리소그래피, 예를들어, EUV 리소그래피에서요구되는포토레지스트의고감도, 고해상도, 고식각내성, 저아웃가스량을향상시킬수 있으며, 아울러양호한포토레지스트패턴형상을얻을수 있다.

2. 发明公开

KR1020150075006A 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 有权
标题翻译：聚合物用于耐受和耐受组合，包括它们
公开(公告)号：KR1020150075006A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020140009375
申请日：2014-01-27
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 신진봉 , 신봉하 , 최수미
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0388 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/322
摘要： 본발명에서는카바메이트형태의산 억제제가중심골격에결합되어별도의산 억제제사용없이도노광부위와비노광부위의유기용제에대한용해도차이를크게하여보다효과적으로미세패턴을형성할수 있는레지스트용중합체및 이를포함하는레지스트조성물이제공된다.
摘要翻译：抗蚀剂聚合物和含有该抗蚀剂聚合物的抗蚀剂组合物本发明涉及抗蚀剂聚合物和包含其的抗蚀剂组合物。抗蚀剂聚合物具有偶联到中心结构的氨基甲酸酯酸抑制剂，以增加暴露区域和未曝光区域之间的有机溶剂溶解度的差异，而不使用单独的酸抑制剂。因此，本发明可以更有效地形成精细图案。

3. 发明公开

KR1020140063984A 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 有权
标题翻译：新型ACRYL单体，聚合物和耐火组合物包括它
公开(公告)号：KR1020140063984A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130781
申请日：2012-11-19
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 서동철 , 김진호 , 전종진 , 오현석
IPC分类号： C07C305/04 , C07C307/00 , G03F7/004
CPC分类号： C07C305/04 , C07C307/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20 , G03F7/2002
摘要： The present invention provides: an acryl monomer denoted by formula 1 effectively used in forming a fine resist pattern having excellent sensitivity, resolution, and improved line edge roughness; a polymer for resist comprising a repeating unit derived from the acryl monomer; and a resist composition comprising the same. In the above formula, each substituent is as defined in the specification.
摘要翻译：本发明提供：由式1表示的丙烯酸单体有效地用于形成具有优异的灵敏度，分辨率和改善的线边缘粗糙度的精细抗蚀剂图案; 用于抗蚀剂的聚合物，其包含衍生自所述丙烯酸单体的重复单元; 和含有该抗蚀剂组合物的抗蚀剂组合物。在上式中，各取代基如说明书中所定义。

4. 发明公开

KR1020140029704A 레지스트용 산 확산 억제제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 无效
标题翻译：用于抗性和耐酸性组合物的酸洗剂包括它们
公开(公告)号：KR1020140029704A
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020120095041
申请日：2012-08-29
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 홍용화 , 김진호 , 임현순 , 유인영
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： The present invention relates to an acid diffusion inhibitor for a resist represented by chemical formula 1 and a resist composition including the same. The acid diffusion inhibitor has a low-risk degree of leaching on water in a liquid immersion process among a fine process by a liquid immersion lithography by including a hydrophobic group, is able to improve line with roughness and contrast of a pattern upper part by preventing resist layer upper part loss and resist layer upper part circulation and is able to a microresist pattern having excellent sensitivity and resolution by sufficiently securing margin in an etching process after a photoresist process since the thickness of the resist layer left after development is high. ′The chemical formula 1′ In the above formula, each substituent is the same as defined by specification.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的抗蚀剂的酸扩散抑制剂和包含其的抗蚀剂组合物。该酸性扩散抑制剂在通过液浸光刻法处理的微细工艺中在浸液过程中具有低风险浸出水平，通过包含疏水基团，能够通过预防来改善图案上部的粗糙度和对比度抗蚀剂层上部损耗和抗蚀剂层上部循环，并且能够通过在光致抗蚀剂工艺之后的蚀刻工艺中充分确保余量而具有优异的灵敏度和分辨率的微蚀刻图案，因为在显影后剩余的抗蚀剂层的厚度高。 '化学式1'在上式中，各取代基与说明书中的定义相同。

5. 发明授权

KR101115581B1 술포니움 염의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 술포니움 염 有权
标题翻译：制备磺酸钠和硫酸钠的方法
公开(公告)号：KR101115581B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020090094100
申请日：2009-10-01
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 주현상 , 신진봉 , 김진호 , 고성보 , 윤성준
IPC分类号： C07C303/32 , C07C309/12 , C07F1/02
摘要： 상기화학식 1 및화학식 2의구조와상기화학식 3에서상기 Q, Q, R, X, M, n, m의정의는상세한설명에기재된바와같다. 상기술포니움염의제조방법은반응단계가간소화됨과동시에, 기존의제조과정에서발생하던정제과정에서반응용기에반응중간체가부착되어수율이떨어지는문제점을해결하여현저히높은수율로술포니움염을제조할수 있다.

6. 发明公开

KR1020120000496A 화합물, 이를 포함하는 공중합체 및 상기 공중합체를 포함하는 레지스트 보호막 조성물 有权
标题翻译：化合物，包含该聚合物的聚合物和包含聚合物的耐腐蚀性膜组合物
公开(公告)号：KR1020120000496A
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020110051930
申请日：2011-05-31
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 주현상 , 박주현 , 한준희 , 임현순
IPC分类号： C07C69/54 , C07C69/003 , C08G63/02 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A compound is provided to have sufficient optical permeability, to make intermixing with a resist membrane difficult, to have proper hydrophilic or hydrophobic properties, to prevent pattern layout degradation, and to easily dissolve into an alkali developer. CONSTITUTION: A compound is in chemical formula 1. In the chemical formula 1, R11 is one compound selected from the group consisting of hydrogen, halogen, C1-8 alkyl group and C1-5 halogenated alkyl group, R1 is one compound selected from the group consisting of an alkyl group, heteroalkyl group, aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group, heterocycloalkyl group alkylether group and akylcarbonyl group, R2 is one compound selected from the group consisting of hydrogen and a C1-5 alkyl group, and Q1 or Q2 is one compound selected from the group consisting of hydrogen and halogen, respectively and independently.
摘要翻译：目的：提供化合物以具有足够的透光性，难以与抗蚀剂膜混合，具有适当的亲水或疏水性能，以防止图案布局降解，并容易溶解于碱性显影剂中。化学式为化学式1.化学式1中，R 11为选自氢，卤素，C 1-8烷基和C 1-5卤代烷基的一种化合物，R 1为选自由烷基，杂烷基，芳基，杂芳基，环烷基，杂环烷基烷基醚和烷基羰基组成的基团，R2是选自氢和C1-5烷基的一种化合物，Q1或Q2 分别独立地是选自氢和卤素的一种化合物。

7. 发明公开

KR1020110036431A 술포니움 염의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 술포니움 염 有权
标题翻译：制备硫磺和硫磺的方法
公开(公告)号：KR1020110036431A
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：KR1020090094099
申请日：2009-10-01
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 오정훈 , 한준희 , 박상욱 , 이승재 , 고성보 , 윤성준
IPC分类号： C07C303/32 , C07C309/08 , C07F1/02
摘要： PURPOSE: A method for preparing sulfonium salts is provided to simplify a reaction step without a refining process and to prevent problems on yield decrease since a reaction intermediate is attached to a reaction container in a refining process. CONSTITUTION: A method for preparing sulfonium salts comprises the steps of: reacting a compound of chemical formula 1, alcohol, and amine to obtain ammonium salts; reacting the ammonium salts with a reducing agent and inorganic base to obtain a compound of chemical formula 2. In chemical formulas 1 and 2, R1 and R2 are one selected from the group consisting of halogen, hydroxyl, carboxy, nitrile, aldehyde, epoxy, alkyl, cycloalkyl, heterocycloalkyl, aryl and heteroaryl; and Q1 and Q2 are one selected from the group consisting of hydrogen, halogen and perfluoroalkyl.
摘要翻译：目的：提供一种制备锍盐的方法，以简化没有精炼过程的反应步骤，并防止在精炼过程中将反应中间体连接到反应容器上时产率降低的问题。构成：制备锍盐的方法包括以下步骤：使化学式1，醇和胺的化合物反应，得到铵盐; 使铵盐与还原剂和无机碱反应，得到化学式2的化合物。在化学式1和2中，R 1和R 2选自卤素，羟基，羧基，腈，醛，环氧基，烷基，环烷基，杂环烷基，芳基和杂芳基; 并且Q1和Q2是选自氢，卤素和全氟烷基的一个。

8. 发明授权

KR101552559B1 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 有权
标题翻译：聚合物用于耐受和耐受组合，包括它们
公开(公告)号：KR101552559B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020140009375
申请日：2014-01-27
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 신진봉 , 신봉하 , 최수미
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 본발명에서는카바메이트형태의산 억제제가중심골격에결합되어별도의산 억제제사용없이도노광부위와비노광부위의유기용제에대한용해도차이를크게하여보다효과적으로미세패턴을형성할수 있는레지스트용중합체및 이를포함하는레지스트조성물이제공된다.

9. 发明授权

KR101458946B1 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 有权
标题翻译：新型ACRYL单体，聚合物和耐酸性组合物包括它们
公开(公告)号：KR101458946B1
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020120115569
申请日：2012-10-17
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 한준희 , 서동철 , 안호익 , 김진백 , 조영욱 , 신한결
IPC分类号： C07D493/08 , C08F20/10 , G03F7/027
摘要： 본 발명에서는 리소그래피를 이용한 패턴 형성, 특히 NPD 방식에 의한 패턴 형성시 두께 감소 및 이에 따른 레지스트의 에칭 내성 저하를 방지하여 우수한 감도 및 해상도를 갖는 미세 레지스트 패턴 형성에 유용한 하기 화학식 1의 아크릴계 단량체, 상기 아크릴계 단량체로부터 유도된 반복단위를 포함하는 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물을 제공한다:
[화학식1]

상기 식에서 각 치환기는 명세서 중에서 정의된 바와 같다.

10. 发明授权

KR101378026B1 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 有权
标题翻译：聚合物用于耐受和耐受组合，包括它们
公开(公告)号：KR101378026B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020130046518
申请日：2013-04-26
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 주현상 , 김진호 , 한준희 , 유인영
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/2039 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： The present invention provides a polymer for resist of Chemical Formula 1 as below and a resist composition comprising the same, wherein the polymer is useful for forming resist patterns having improved margin and resolution and low line width roughness (LWR) by enhancing solubility with respect to an organic developer when forming patterns using lithography, in particular, patterns by a NTD method, as well as has excellent contrast enhancing effects. (In the Chemical Formula 1, R_1-R_4, and a and b are respectively the same as defined in the specification.)
摘要翻译：本发明提供如下的化学式1的抗蚀剂用聚合物和含有该聚合物的抗蚀剂组合物，其中该聚合物可用于形成具有改善的界限和分辨率以及较低线宽粗糙度（LWR）的抗蚀剂图案，其通过增强相对于使用光刻形成图案的有机显影剂，特别是通过NTD方法的图案，以及具有优异的对比度增强效果。（在化学式1中，R_1-R_4和a和b分别与说明书中定义相同）

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式