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1. 发明公开

KR1020090120866A 화학증폭형 레지스트 조성물용 산발생제 有权
标题翻译：用于化学放大抗蚀剂组合物的酸产生剂
公开(公告)号：KR1020090120866A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020080046898
申请日：2008-05-21
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 정성도 , 김진호 , 오정훈 , 임현순
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C309/68 , C07C329/06 , C07C381/12 , C07C2602/42 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/0046
摘要： PURPOSE: An acid generating agent for chemically amplified resist composition is provided to ensure excellent resolution and line width roughness in a chemically amplified resist composition and to ensure small elution of water in an ArF immersion process. CONSTITUTION: An acid generating agent for chemically amplified resist composition has a structure represented by chemical formula 1 or 2. In chemical formulas, X is an alkyl group or C1-4 perfluoroalkyl group in which at least one hydrogen of C1-20 alkyl, haloalkyl, and alkylsulfonyl groups is substituted or unsubstituted with an ether group, ester group, carbonyl group, acetal group, nitrile group, cyano group, hydroxy group, carboxyl group or aldehyde group; R6 is C1-10 alkyl group, C1-10 alkoxy or a hetero atom selected from N, S, F, and O; m is an integer of 0-2; and A+ is an organic counter ion.
摘要翻译：目的：提供化学放大抗蚀剂组合物的酸产生剂，以确保化学放大型抗蚀剂组合物中优异的分辨率和线宽粗糙度，并确保ArF浸渍工艺中的水的少量洗脱。构成：用于化学放大抗蚀剂组合物的酸产生剂具有由化学式1或2表示的结构。在化学式中，X是烷基或C 1-4全氟烷基，其中至少一个C 1-20烷基，卤代烷基并且烷基磺酰基被醚基，酯基，羰基，缩醛基，腈基，氰基，羟基，羧基或醛基取代或未取代; R6是C1-10烷基，C1-10烷氧基或选自N，S，F和O的杂原子; m是0-2的整数; 而A +是有机抗衡离子。

2. 发明授权

KR100973033B1 화학증폭형 레지스트 조성물용 산발생제 有权
标题翻译：用于化学放大抗蚀剂组合物的酸产生剂
公开(公告)号：KR100973033B1
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020080046898
申请日：2008-05-21
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 정성도 , 김진호 , 오정훈 , 임현순
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C309/68 , C07C329/06 , C07C381/12 , C07C2602/42 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 포함되는 다음 화학식1또는 2로 표시되는 산 발생제에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 2]

여기서 X는 탄소수 1~20개의 알킬, 할로알킬, 알킬술포닐 그룹에서 적어도 하나 이상의 수소가 에테르기, 에스테르기, 카보닐기, 아세탈기, 나이트릴기, 시아노기, 하이드록시기, 카르복실기 또는 알데히드기로 치환되거나 비치환된 알킬 그룹, 1 내지 4의 퍼플로우로 알킬 그룹으로 치환될 수 있고, R
6 는 탄소수가 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 또는 N, S, O로부터 선택된 헤테로 원자이고, m은 0 내지 2의 정수이며, A+는 유기 짝이온이다.
본 발명에 의한 산발생제는 벌키한 알리사이클릭 링을 가진 음이온의 광산발생제 부류와 기존의 트리플로오르메탄 설포네이트, 노나플로오르 부탄 설포네이트 타입과 같이 비교적 사슬이 짧고 소수성의 특성을 갖는 광산발생제에 비교하여 확산속도나 분산측면에서 중간의 물리적 특성을 갖고 있어 고해상도의 레지스트 구현에 있어서 확산속도와 분산의 정도를 조절할 수 있는 장점이 있다.
화학증폭형 레지스트, 산 발생제

3. 发明公开

KR1020100048047A 방향족 환을 포함하는 산 발생제 有权
标题翻译：含有芳香族阴离子的光致发电机
公开(公告)号：KR1020100048047A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080107039
申请日：2008-10-30
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 오정훈 , 서동철 , 정성도 , 신진봉
IPC分类号： C07C309/63 , C07C309/71
CPC分类号： C07C25/18 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C313/04 , C07C323/52 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2603/08 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/26 , C07D311/84 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： PURPOSE: A photoacid generator is provided to properly control the transparency of an ArF light source and the acidity of an acid, and to reduce the Elution amount at a chemical amplifiable resist composition during an ArF immersion process. CONSTITUTION: A photoacid generator has a structure marked as the chemical formula 1. In the chemical formula 1, X refers to alkylene with the carbon number of 1~10, or a hetero atom selected from a group consisting of -X1-O-X2-, N, S, and F. X1 and X2 refer to the alkylene with the carbon number of 1~10, respectively. Y refers to a hydrocarbon ring group with the carbon number of 5~30 including aromatic rings. Y1 and Y2 refer to alkyl groups with the carbon number of 1~6, respectively.
摘要翻译：目的：提供光酸发生器，以适当控制ArF光源的透明度和酸的酸度，并降低ArF浸渍过程中化学可放大抗蚀剂组合物的洗脱量。构成：光致酸发生器具有标记为化学式1的结构。在化学式1中，X表示碳数为1〜10的亚烷基，或选自-X1-O-X2的杂原子 - ，N，S和F. X1和X2分别表示碳数为1〜10的亚烷基。 Y是指包含芳环的碳数为5〜30的烃环基。 Y1和Y2分别表示碳数为1〜6的烷基。

4. 发明授权

KR100959841B1 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：用于化学放大型光致抗蚀剂的共聚物及其光致抗蚀剂组合
公开(公告)号：KR100959841B1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080034293
申请日：2008-04-14
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 주현상 , 박주현 , 조승덕 , 정성도
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 본 발명의 일 측면에 따른 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체는 하기 화학식 1로 표시된다.
화학식 1

화학식 1에서 R
1 은 아실기 또는 트리할로 아실기이며, R
2 , R
3 , R
4 는 각각 독립적인 것으로써 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않은 탄소원자가 1 내지 30인 알킬기이고, R
5 는 수소 또는 메틸기이고, l, m, n, o는 각각 주쇄내에 반복단위를 나타내는 수로서 l+m+n+o=1이고, 0≤l/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤m/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤n/(l+m+n+o)≤0.7, 0.05≤o/(l+m+n+o) ≤0.5의 값을 가진다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 포토레지스트용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 공중합체, 산발생제, 첨가제 및 용매를 포함한다.
본 발명의 중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트는 에스테르기를 도입하여 라인에지조도를 향상시킬 수 있고, 유리전이온도의 조절이 용이하여 thermal reflow 공정에서 요구되는 상대적으로 낮은 유리전이온도를 충족시킬 수 있고, 그로 인하여 C/H 패턴 및 L/S패턴에서 모두 우수한 해상도를 나타낸다. 또한 우수한 공정 마진(process window)을 가지고 있어 기판의 종류에 관계없이 우수한 패턴 프로파일(pattern profile)을 얻을 수 있다.
화학증폭형 포토레지스트*유리전이온도*감광제*5-히드록시-1-아다만틸 (메타)아크릴레이트 유도체

5. 发明授权

KR100998503B1 방향족 환을 포함하는 산 발생제 有权
标题翻译：含有芳香阴离子的光酸发生剂
公开(公告)号：KR100998503B1
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：KR1020080107039
申请日：2008-10-30
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 오정훈 , 서동철 , 정성도 , 신진봉
IPC分类号： C07C309/63 , C07C309/71
CPC分类号： C07C25/18 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C313/04 , C07C323/52 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2603/08 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/26 , C07D311/84 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 산 발생제를 제공한다.

상기 식에서, X는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌, -X
1 -OX
2 - 또는 N, S 및 F로 이루어진 군으로 선택된 헤테로 원자이고, 상기 X
1 및 X
2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고, Y는 하나 이상의 방향족 환을 포함하는 탄소수 5 내지 30의 탄화수소 환기이고, 상기 탄화수소 환기의 환상 하나 이상의 수소 원자가 -OY
1 , -CO-Y
2 , 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 하이드록시알킬기, 할로겐 원자, 하이드록실기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있고, 상기 Y
1 및 Y
2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, n은 0 또는 5의 정수이며, A
+ 는 유기 짝이온이다.
본 발명에 따른 산 발생제는 음이온에 방향족 환을 포함한 기를 도입함으로써 산의 확산 속도, 확산거리, 산도 및 ArF 광원의 사용시 투과성을 적절히 조절할 수 있는 특성을 나타낼 수 있는 이점이 있다.
방향족 환, 산 발생제, 화학증폭형 레지스트 조성물, 반도체, 술폰늄 염

6. 发明公开

KR1020090108935A 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学放大型光电聚合物及其光电组合物的共聚物
公开(公告)号：KR1020090108935A
公开(公告)日：2009-10-19
申请号：KR1020080034293
申请日：2008-04-14
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 주현상 , 박주현 , 조승덕 , 정성도
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/20
摘要： PURPOSE: A chemical amplification photoresist copolymer is provided to apply thermal reflow process to achieve fine resolution. CONSTITUTION: A chemical amplification photoresist copolymer is denoted by the chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 is acyl or trihalo acyl group. R2, R3 and R4 are independently alkyl group of 1-30 carbon atoms containing hydrogen atom, ether group, ester group, carbonyl group, epoxy group, nitrile group, or aldehyde group or not containing.
摘要翻译：目的：提供化学扩增光致抗蚀剂共聚物以应用热回流工艺以实现精细分辨率。构成：化学式1表示化学扩增光致抗蚀剂共聚物。在化学式1中，R 1为酰基或三卤代酰基。 R2，R3和R4独立地为含有氢原子，醚基，酯基，羰基，环氧基，腈基或醛基的含有1-30个碳原子的烷基或不包含。

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