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1. 发明公开

KR1020030005778A ＭＯＳ 트랜지스터 게이트 절연막 및 그 제조방법 有权
标题翻译： MOS晶体管的栅极绝缘层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030005778A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020010041230
申请日：2001-07-10
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상 , 이혜란 , 전상훈
IPC分类号： H01L21/336
摘要： PURPOSE: A gate insulating layer of an MOS transistor and a method for fabricating the same are provided to obtain effective thickness and reduce current leakage of the gate insulating layer by using a Dy-doped hafnium oxide layer as the gate insulating layer. CONSTITUTION: A nitride layer(120) is formed on a silicon substrate(110) by performing a thermal process under nitrogen atmosphere. A metal layer is formed on the nitride layer(120) by sputtering simultaneously an Hf target and a Dy target. The metal layer has thickness of 3 to 10nm. A Dy-doped hafnium oxide layer(130a) is formed by oxidizing the silicon substrate(110) including the metal layer under atmosphere of O2. Accordingly, a gate insulating layer is formed by stacking the nitride layer(120) and the Dy-doped hafnium oxide layer(130a), sequentially.
摘要翻译：目的：提供MOS晶体管的栅极绝缘层及其制造方法，以通过使用Dy掺杂的铪氧化物层作为栅极绝缘层来获得有效的厚度并减少栅极绝缘层的漏电。构成：通过在氮气气氛下进行热处理，在硅衬底（110）上形成氮化物层（120）。通过同时溅射Hf靶和Dy靶，在氮化物层（120）上形成金属层。金属层的厚度为3〜10nm。通过在O2气氛下氧化包括金属层的硅衬底（110），形成Dy掺杂的氧化铪层（130a）。因此，依次层叠氮化物层（120）和Dy掺杂的氧化铪层（130a），形成栅极绝缘层。

2. 发明授权

KR100379621B1 ＭＯＳ 트랜지스터 게이트 절연막 및 그 제조방법 有权
标题翻译： MOS트랜지스터게이트절연막및그제조방법
公开(公告)号：KR100379621B1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：KR1020010041230
申请日：2001-07-10
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상 , 이혜란 , 전상훈
IPC分类号： H01L21/336
摘要： PURPOSE: A gate insulating layer of an MOS transistor and a method for fabricating the same are provided to obtain effective thickness and reduce current leakage of the gate insulating layer by using a Dy-doped hafnium oxide layer as the gate insulating layer. CONSTITUTION: A nitride layer(120) is formed on a silicon substrate(110) by performing a thermal process under nitrogen atmosphere. A metal layer is formed on the nitride layer(120) by sputtering simultaneously an Hf target and a Dy target. The metal layer has thickness of 3 to 10nm. A Dy-doped hafnium oxide layer(130a) is formed by oxidizing the silicon substrate(110) including the metal layer under atmosphere of O2. Accordingly, a gate insulating layer is formed by stacking the nitride layer(120) and the Dy-doped hafnium oxide layer(130a), sequentially.
摘要翻译：目的：提供MOS晶体管的栅极绝缘层及其制造方法，以通过使用Dy掺杂的氧化铪层作为栅极绝缘层来获得有效厚度并降低栅极绝缘层的漏电流。构成：通过在氮气氛下进行热处理，在硅衬底（110）上形成氮化物层（120）。通过同时溅射Hf靶和Dy靶在氮化物层（120）上形成金属层。金属层具有3至10nm的厚度。 Dy掺杂的氧化铪层（130a）通过在O2气氛下氧化包括金属层的硅衬底（110）而形成。因此，通过依次堆叠氮化物层（120）和Dy掺杂的氧化铪层（130a）形成栅极绝缘层。

3. 发明授权

KR100359489B1 반도체 장치의 게이트 절연막 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件栅绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR100359489B1
公开(公告)日：2002-11-04
申请号：KR1020000065830
申请日：2000-11-07
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상 , 전상훈
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 본 발명은, 실리콘 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계와, 상기 금속산화물에 질소성분을 함유시키는 질화처리 단계와, 상기 질소성분이 함유된 금속산화물을 산화시키는 재산화 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 금속산화물로는 ZrO
2 을 사용하거나 HfO
2 , La
2 O
3 , Al
2 O
3 또는 Ta
2 O
5 을 사용할 수 있으며, ZrSi
x O
y , HfSi
x O
y , LaSi
x O
y , AlSi
x O
y 또는 TaSi
x O
y 을 사용할 수도 있다. 그리고, 상기 질화처리 단계는 상기 금속산화물이 형성된 결과물을 질소함유기체 분위기에서 열처리하여 수행하거나, 상기 금속산화물을 질소함유 플라즈마 분위기에 노출시켜 플라즈마 처리하여 수행하거나, 또는 상기 금속산화물에 질소성분을 이온주입하여 수행할 수 있다. 본 발명에 의하면, 금속산화막을 형성한 후에 질화처리 및 재산화 공정을 거침으로써 고온후속열처리 공정에 의한 유효두께 및 누설전류의 증가를 현저히 감소시킬 수 있다.

4. 发明公开

KR1020020035986A 반도체 장치의 게이트 절연막 제조방법 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的栅绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020020035986A
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1020000065830
申请日：2000-11-07
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상 , 전상훈
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a gate insulation layer of a semiconductor device is provided to prevent an effective thickness and a leakage current from remarkably increasing, by performing a nitrogen treatment process and a re-oxidation process after a metal oxide layer is formed. CONSTITUTION: A metal oxide material is formed on a silicon substrate. A nitrogen treatment process is performed to make the metal oxide material contain a nitrogen component. A re-oxidation process is performed to oxidize the nitrogen-containing metal oxide material. The metal oxide material is ZrO2.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的栅绝缘层的方法，通过在形成金属氧化物层之后进行氮处理工艺和再氧化工艺，防止有效厚度和漏电流显着增加。构成：在硅衬底上形成金属氧化物材料。进行氮处理工序，使金属氧化物材料含有氮成分。进行再氧化处理以氧化含氮金属氧化物材料。金属氧化物材料是ZrO 2。

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