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1. 发明授权

KR102051712B1 지문형 자체 동력 이온 채널 센서 有权
公开(公告)号：KR102051712B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020170165453
申请日：2017-12-04
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 전경용 , 한창수
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/113

2. 发明授权

KR101980965B1 자체 동력 이온 채널 센서 有权
公开(公告)号：KR101980965B1
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：KR1020170067094
申请日：2017-05-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수 , 전경용
IPC分类号： G01N33/487 , G01N27/333

3. 发明授权

KR101789921B1 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법 有权
标题翻译：纳米薄膜图案结构的制作方法
公开(公告)号：KR101789921B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160057751
申请日：2016-05-11
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수 , 우주연 , 조성환
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , B29C59/02 , B29C59/14 , H01L21/027
摘要： 나노박막패턴구조물의제조방법에있어서, 제1 트렌치평균선폭을갖는요철패턴이형성된베이스의표면위에상기요철패턴의프로파일을따라스페이서재료층을형성하여상기제1 트렌치평균선폭보다감소된제2 트렌치평균선폭을갖는나노임프린팅스탬프를준비한후, 상기나노임프린팅스탬프를이용하는패터닝공정의대상체로서, 기판상에나노박막, 희생층및 레지스트층을순차로형성한다. 상기레지스트층을향하여상기나노임프린팅스탬프를가압하여예비레지스트층패턴을형성한후, 상기예비레지스트층패턴및 희생층을이방성식각하여상기나노박막의상면을노출시키는레지스트층패턴및 희생층패턴을각각형성한다. 상기레지스트층패턴및 상기희생층패턴을마스크로이용하여상기나노박막을식각하여상기기판상에나노박막패턴을형성한다.
摘要翻译：在用于生产纳米薄膜图案结构，基座凹凸图案的表面上的第一沟槽的方法形成了具有根据凹凸图案的轮廓的平均线宽度，以形成与所述第一减速比所述第二沟槽的沟槽平均线宽间隔材料层制备具有平均线宽的纳米压印印模，使用纳米压印印模，纳米薄膜，所述牺牲层和以该顺序在基底上的抗蚀剂层中形成图案化工艺的受试者后。形成预抗蚀剂层图案的对抗蚀剂层按压纳米压印印模后，将抗蚀剂层图案和牺牲层图案，以通过各向异性蚀刻所述预致抗蚀剂层图案和牺牲层暴露所述纳米薄膜的上表面上，形式，分别。使用抗蚀剂层图案和牺牲层图案作为掩模来蚀刻纳米薄膜以在衬底上形成纳米薄膜图案。

4. 发明公开

KR1020160144140A 나노 채널 구조물 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：纳米通道结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160144140A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020150080527
申请日：2015-06-08
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00 , H01L21/027
CPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00 , H01L21/027
摘要： 나노채널구조물은제1 기판, 상기제1 기판의일면에형성되며상호이격되며 2차원물질로이루어진나노박막스페이서들및 상기나노박막스페이서들이구비된제1 기판상에형성되며, 상기나노박막스페이서들및 상기제1 기판과함께채널을정의하는제2 기판을포함한다.
摘要翻译：该纳米通道结构包括：第一基板; 在第一基板的一个表面上由二维材料形成的纳米薄膜间隔物以彼此分离; 以及形成在其上设置有纳米薄膜间隔物的第一基板上并与纳米薄膜间隔件和第一基板一起限定通道的第二基板。

5. 发明公开

KR1020160077813A 나노 채널 구조물의 제조 방법 有权
标题翻译：制造纳米通道结构的方法
公开(公告)号：KR1020160077813A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140188174
申请日：2014-12-24
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00071
摘要： 나노채널구조물의제조방법에있어서, 리세스가형성된제1 기판의일면에제1 나노박막을컨포멀하게형성하고, 상기제1 나노박막과마주보도록제2 나노박막이형성된제2 기판을위치시킨다. 이후, 상기제1 나노박막및 상기제2 나노박막을애노딕본딩공정을통하여상호부착시켜상기리세스에의해정의되는채널을형성한다.
摘要翻译：根据制造纳米通道结构的方法，第一纳米薄膜被共形地形成在其中形成有凹部的第一基板的一个表面上，第二基底的第二纳米薄膜形成在第二纳米薄膜的第一纳米薄膜被放置之后，通过阳极接合工艺将第一纳米薄膜和第二纳米薄膜彼此连接以形成由凹槽限定的通道。

6. 发明授权

KR101726492B1 투명 전극 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101726492B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020150041441
申请日：2015-03-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수 , 우주연 , 이종수 , 김주태
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/02 , H01B3/08 , H01B3/46 , H05B3/00 , G06F3/00
摘要： 투명전극패턴의제조방법에있어서, 리세스가형성된기재부를준비한후, 상기리세스내에전도성나노잉크조성물을충전하여상기리세스내에전도성나노잉크패턴을형성한다. 상기전도성나노잉크패턴을접착필름상에 1차전사한후, 상기접착필름으로부터상기전도성나노잉크패턴을대상체상에 2차전사하여상기대상체상에투명전극패턴을형성한다.

7. 发明授权

KR101656587B1 나노 채널 구조물의 제조 방법 有权
标题翻译：制造纳米通道结构的方法
公开(公告)号：KR101656587B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020140188174
申请日：2014-12-24
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 나노채널구조물의제조방법에있어서, 리세스가형성된제1 기판의일면에제1 나노박막을균일한두께로형성하고, 상기제1 나노박막과마주보도록제2 나노박막이형성된제2 기판을위치시킨다. 이후, 상기제1 나노박막및 상기제2 나노박막을애노딕본딩공정을통하여상호부착시켜상기리세스에의해정의되는채널을형성한다.

8. 发明公开

KR1020160074149A 나노 포어 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：纳米器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160074149A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140183043
申请日：2014-12-18
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수 , 최욱
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/327
CPC分类号： G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/3275 , G01N27/3278
摘要： 나노포어소자는피검사체가통과할수 있도록유입구및 유출구를갖는나노포어가형성된나노포어구조체및 상기유입구및 유출구사이에상호이격되어구비되며, 단부가상기나노포어내부로노출되며, 상기나노포어내부로흐르는전류를측정할수 있도록구비된한 쌍의제1 전극및 제2 전극을포함한다.
摘要翻译：纳米孔装置包括：具有纳米孔的纳米孔结构，所述纳米孔具有入口和出口以使物体能够通过所述入口和出口; 以及一对第一电极和第二电极，其端部暴露在纳米孔内部，其设置成在入口和出口之间彼此间隔开，并且用于测量在纳米孔内流动的电流。

9. 发明公开

KR1020160065517A 나노 분리막 구조물 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：纳米分离层结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160065517A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140169586
申请日：2014-12-01
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수
IPC分类号： B01D69/00 , B01D71/02
CPC分类号： B01D69/00 , B01D71/02
摘要： 나노분리막구조물은복수의단일층들이적층된사이에제1 방향으로채널이형성되어유체중 일부가상기채널을통하여선택적으로유출입할수 있도록구비된층상구조체및 유체가흐를수 있도록채널의유출입부를제외한부분을지지하는지지체를포함한다. 따라서, 유체에대하여우수한투과도및 선택도가확보될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及纳米分离膜结构及其制造方法。纳米分离膜结构包括：层状结构，其具有在第一方向上形成的通道和层压的单层之间并且允许一些流体被选择性地通过所述通道引入和流出; 以及支撑除了通道的入口和出口之外的部分的支撑件，使得流体可以流过。因此，可以确保对流体的优异的透射率和选择性。

10. 发明授权

KR101627306B1 연속흐름반응기를 포함하는 나노결정 제조 장치 및 이를 이용한 CuInS2/ZnS 나노결정의 제조방법 有权
标题翻译：用于制造具有混合流动反应器的纳米晶体的CuInS2 / ZnS装置和CuInS2 / ZnS纳米晶体的制造方法
公开(公告)号：KR101627306B1
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020130152211
申请日：2013-12-09
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 한창수 , 이준
IPC分类号： B22F9/24 , B22F1/02 , B82B3/00
摘要： 본발명은연속흐름반응기를포함하는나노결정제조장치및 이를이용한 CuInS/ZnS 나노결정의대량제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는나노결정을대량합성할수 있도록연속흐름반응기를포함하는나노결정제조장치및 이를이용하여우수한광안정성을갖는 CuInS/ZnS 나노결정을제조하는방법에관한것이다. 이에따르면, 본발명의나노결정제조장치는일렬로믹서를연결함으로써, 연속적으로반응이일어나도록하여빠른시간내에균일한나노결정을대량으로생산할수 있다. 또한, 광안정성및 화학적안정성이우수하고, 친환경적인 CuInS나노결정을상기제조장치를이용하여제조함으로써, 나노결정의크기를균일하게유지하면서고수율로용이하게대량생산할수 있다.

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