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    • 1. 发明公开
    • 플라즈마 이온원 및 하전 입자 빔 장치
    • 等离子体源和充电颗粒光束装置
    • KR1020160100238A
    • 2016-08-23
    • KR1020160013670
    • 2016-02-03
    • 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
    • 오바히로시스기야마야스히코오카베마모루
    • H01J37/08H01J47/02H01J37/30H01J49/10H01J27/16
    • H01J37/32522H01J27/16H01J37/06H01J37/08H01J37/20H01J37/321H01J37/3211H01J37/32357H01J37/32422H01J37/32568H01J37/32807H01J2237/0815H01J2237/31749
    • (과제) 원하는냉각성을확보하기위해서플라즈마이온원전체의크기가증대되는것을방지한다. (해결수단) 실시형태의플라즈마이온원 (14a) 은가스도입실 (33) 과, 플라즈마생성실 (34) 과, 코일 (39) 과, 외위기 (40) 와, 절연성액체 (41) 를구비한다. 가스도입실 (33) 은원료가스가도입된다. 유전체재료에의해형성된플라즈마생성실 (34) 은가스도입실 (33) 에접속된다. 코일 (39) 은플라즈마생성실 (34) 의외주를따라감기고고주파전력이인가된다. 외위기 (40) 는가스도입실 (33), 플라즈마생성실 (34) 및코일 (39) 을둘러싼다. 절연성액체 (41) 는가스도입실 (33) 및플라즈마생성실 (34) 과외위기 (40) 사이에충전되고코일 (39) 을침지한다. 절연성액체 (41) 는외위기 (40) 의절연내압보다상대적으로큰 절연내압및 플라즈마생성실 (34) 과동일한정도의유전정접을갖는다.
    • 本发明提供等离子体离子源和带电粒子束装置,其中防止等离子体离子源的整体尺寸增加,从而确保了所需的绝缘性能。 根据本发明的一个实施例,等离子体离子源(14a)包括:气体导入室(33); 等离子体产生室(34); 线圈(39); 外壳(40); 和绝缘液体(41)。 原料气体被导入气体导入室33,由电介质材料形成的等离子体生成室34与气体导入室33连接。 线圈(39)围绕等离子体产生室(34)的外周缠绕,向线圈(39)施加高频电力。 外壳(40)围绕气体导入室(33),等离子体产生室(34)和线圈(39)。 绝缘液体(41)被填充在气体导入室(33)与外壳(40)之间,外壳(40)和线圈(39)浸渍在绝缘液体(41)中。 绝缘液体(41)具有比外壳(40)的绝缘电压更大的绝缘电压,并且具有与等离子体产生室(34)相同水平的介质切线。
    • 2. 发明公开
    • 플라즈마 이온원 및 하전 입자 빔 장치
    • 等离子体源和充电颗粒光束装置
    • KR1020160100237A
    • 2016-08-23
    • KR1020160013669
    • 2016-02-03
    • 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
    • 오바히로시스기야마야스히코오카베마모루
    • H01J37/08H01J27/16H01J37/317H01J37/32H01J37/30
    • H01J37/08H01J2237/006H01J2237/061H05H1/30H05H1/46H05H2001/4667
    • (과제) 원하는절연성을확보하기위해서플라즈마이온원전체의크기가증대되는것을방지한다. (해결수단) 실시형태의플라즈마이온원 (14a) 은가스도입실 (33) 과, 절연부재 (38) 와, 플라즈마생성실 (34) 과, 코일 (39) 과, 말단전극 (36) 을구비한다. 가스도입실 (33) 은원료가스가도입된다. 절연부재 (38) 는가스도입실 (33) 의내부에형성된다. 플라즈마생성실 (34) 은가스도입실 (33) 에접속된다. 코일 (39) 은플라즈마생성실 (34) 의외주를따라감기고고주파전력이인가된다. 복수의관통공 (36a) 이형성된말단전극 (36) 은가스도입실 (33) 및플라즈마생성실 (34) 의경계에배치된다. 관통공 (36a) 의크기는플라즈마시스길이보다작게형성되어있다.
    • 本发明提供等离子体离子源和带电粒子束装置,其中防止等离子体离子源的整体尺寸增加,从而确保了所需的绝缘性能。 根据本发明的一个实施例,等离子体离子源(14a)包括:气体导入室(33); 绝缘构件(38); 等离子体产生室(34); 线圈(39); 和端子电极(36)。 原料气体被导入气体导入室33,绝缘部件38形成在气体导入室33的内部。 等离子体产生室(34)与气体导入室(33)连接,线圈(39)缠绕在等离子体生成室(34)的外周,向线圈(39)施加高频电力, 。 具有多个通孔(36a)的端子电极(35)设置在气体导入室(33)和等离子体生成室(34)的边界。 通孔(36a)的尺寸小于等离子体护套的长度。