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1. 发明公开

KR1020090038859A 반도체장치 제작방법 및 발광장치 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件和发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020090038859A
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：KR1020090018074
申请日：2009-03-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타카야마토루 , 야마가타히로카즈 , 코우라아키히코 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3258 , H01L23/145 , H01L2924/07025 , H01L2924/13069
摘要： A manufacturing method of a semiconductor device and a manufacturing method of a light emitting device are provided to prevent an invasion of oxygen and moisture from an interlayer insulation film by forming an inorganic film or a carbon film on the interlayer insulation film including organic material. An underlayer(402) including an insulation film is formed on a surface of a substrate(401). A semiconductor layer(403) is formed by a plasma chemical vapor deposition method and a sputtering method. A crystalline semiconductor layer is formed from an amorphous semiconductor layer by performing a crystallization process. A resist pattern is formed on the crystalline semiconductor layer by using a photolithography technique. A semiconductor layer(404) of an island shape is formed by using a dry etching method. A gate insulation film(405) containing silicone is formed by using the plasma chemical vapor deposition method or the sputtering method. A tantalum nitride film(406) and a tungsten film(407) for forming a gate electrode are formed on the gate insulation film.
摘要翻译：提供半导体器件的制造方法和发光器件的制造方法，以通过在包括有机材料的层间绝缘膜上形成无机膜或碳膜来防止来自层间绝缘膜的氧和水分的侵入。在基板（401）的表面上形成包括绝缘膜的底层（402）。通过等离子体化学气相沉积法和溅射法形成半导体层（403）。通过进行结晶化处理，由非晶半导体层形成结晶半导体层。通过使用光刻技术在结晶半导体层上形成抗蚀剂图案。通过使用干法蚀刻法形成岛状的半导体层（404）。通过使用等离子体化学气相沉积法或溅射法形成含有硅酮的栅绝缘膜（405）。在栅极绝缘膜上形成用于形成栅电极的氮化钽膜（406）和钨膜（407）。

2. 发明授权

KR100937442B1 반도체장치 제작방법 및 발광장치 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件和发光器件的方法
公开(公告)号：KR100937442B1
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：KR1020090018074
申请日：2009-03-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타카야마토루 , 야마가타히로카즈 , 코우라아키히코 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3258
摘要： 층간절연막에 적합한 유기 재료의 특성은 이 재료를 통해 증기를 투과하고, 수분을 흡수하기 쉬운 것이고, 이 유기 재료는 저분자계이든 고분자계이든 관계없이 산소와 수분에 매우 약하다는 단점이 있다. 또한, 발광소자의 양극 또는 음극에 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속이 사용되고, 이들은 산소에 의해 산화되기 쉽다. 따라서, 수분은 발광소자의 열화(劣化)의 요인이 되고, 다크 스폿(dark spot) 등의 불량의 원인이 된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 절연 표면 상에 형성된 TFT 위에 고분자 화합물로 된 층간절연막이 형성되고, 이 층간절연막 위에, 한쌍의 전극 사이에 유기 화합물을 포함하는 발광층이 형성된 발광소자가 제공되고, 층간절연막과 발광소자 사이에, 규소와 질소를 주성분으로 하는 무기 절연막 또는 SP
3 결합을 가지고 수소를 함유하는 탄소막이 형성된 발광장치가 제공된다.
반도체장치, 발광장치, 박막트랜지스터, 제1 층간절연막, 제2 층간절연막, 규소 타겟

3. 发明公开

KR1020020096966A 발광장치 및 그의 제작방법 无效
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020096966A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020020033933
申请日：2002-06-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타카야마토루 , 야마가타히로카즈 , 코우라아키히코 , 야마자키순페이
IPC分类号： G02F1/136 , H01L33/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/3258
摘要： PURPOSE: A light emitting device and method of fabricating the same are provided to prevent deterioration of a light emitting element caused by moisture and oxygen contained in an interlayer insulating film. CONSTITUTION: A light emitting device comprises a thin film transistor formed over an insulating surface(402), an interlayer insulating film formed over the thin film transistor and comprising an organic material, a light emitting element formed over the interlayer insulating film and having a light emitting layer between a pair of electrodes; and an inorganic insulating film formed between the interlayer insulating film and the light emitting element, the inorganic insulating film comprising silicon and nitrogen as main components wherein the inorganic insulating film contains silicon at a content of at least 25.0 atomic % and at most 35.0 atomic % and nitrogen at a content of at least 35.0 atomic % and at most 65.0 atomic %.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件及其制造方法，以防止由层间绝缘膜中包含的水分和氧气引起的发光元件的劣化。构成：发光器件包括形成在绝缘表面（402）上的薄膜晶体管，形成在薄膜晶体管上的层间绝缘膜，包括有机材料，形成在层间绝缘膜上并具有光的发光元件一对电极之间的发光层; 以及形成在所述层间绝缘膜和所述发光元件之间的无机绝缘膜，所述无机绝缘膜包含硅和氮作为主要成分，其中所述无机绝缘膜含有含量为至少25.0原子％且至多35.0原子％的硅，和含量为至少35.0原子％且至多65.0原子％的氮。

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