基本信息:
- 专利标题： 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치
- 专利标题（英）：Wiring structure and display apparatus having wiring structure
- 专利标题（中）：具有接线结构的接线结构和显示设备
- 申请号：KR1020137009988 申请日：2010-07-27
- 公开(公告)号：KR1020130052654A 公开(公告)日：2013-05-22
- 发明人： 고또오히로시 , 마에다다께아끼 , 이와나리유우미 , 히라노다까유끼
- 申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
- 申请人地址： *-*, Wakinohama-Kaigandori *-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
- 当前专利权人地址： *-*, Wakinohama-Kaigandori *-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2009-174801 2009-07-27; JPJP-P-2009-174802 2009-07-27; JPJP-P-2009-174803 2009-07-27; JPJP-P-2009-221470 2009-09-25; JPJP-P-2009-221471 2009-09-25
- 国际申请： PCT/JP2010/062649 2010-07-27
- 国际公布： WO2011013683 2011-02-03
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; G02F1/1368 ; G02F1/1343 ; H01L21/28
摘要：
밀착성이 우수하고, 저 전기 저항, 저 콘택트 저항을 실현할 수 있는 새로운 배선 구조를 제공한다. 기판 위에 기판측으로부터 순서대로, 배선막과, 박막 트랜지스터의 반도체층을 구비한 배선 구조이며, 상기 반도체가 산화물 반도체로 이루어지는 배선 구조를 제공한다.
摘要（英）：
This excellent adhesion property, and provides a new wiring structure which can realize a low electric resistance and low contact resistance. In order from the substrate side on the substrate, and the wiring structure having a semiconductor layer of the wiring layer and the thin film transistor, and the semiconductor provides the wiring structure composed of an oxide semiconductor.
公开/授权文献:
- KR101361303B1 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 公开/授权日：2014-02-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |