专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100311981B1 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100311981B1
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1020000080104
申请日：2000-12-22
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C11/40
摘要： PURPOSE: A semiconductor device with an internal power supply is provided to improve stability and reliability by protecting the electrical characteristics notwithstanding deviation or variation in the condition of the fabrication process condition and the operating condition. CONSTITUTION: A semiconductor integrated circuit comprises a semiconductor chip(1), a power supply terminal(Vcc) provided on the semiconductor chip for receiving a voltage from an external power supply source, an internal circuit(2) provided on the semiconductor chip, a power supply circuit provided on the semiconductor chip for transforming an external power supply voltage received from the power supply terminal for supplying a source voltage resulting from the voltage transformation to the internal circuit, and a control circuit(3) provided on the semiconductor chip for controlling the power supply circuit.

2. 发明授权

KR100284845B1 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100284845B1
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1020000042597
申请日：2000-07-25
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C5/14

3. 发明授权

KR100194742B1 내부전압발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
标题翻译：一种具有内部电压产生电路的半导体器件
公开(公告)号：KR100194742B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019980013724
申请日：1998-04-17
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C5/14
摘要： 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치에 관한 것으로서, 제조조건이나 사용조건 등의 변동이 있어도 안정하고 고신뢰도임과 동시에 양산시에 양품의 수율을 높게 유지할 수 있도록 하기 위해서, 여러개의 데이터쌍선, 워드선, 각각 워드선의 선택에 의해서 선택되고, 각각 여러개의 데이타쌍선의 대응하는 데이타쌍선에 리드데이타를 부가하는 다이나믹형의 여러개의 메모리셀,제1 공통구동선,각각 게이트와 드레인이 서로 교차접속되어 이루어지는 상태로 대응하는 데이타쌍선에 접속되고 또한 소오스가 제1 공통구동선에 공통접속되어 이루어지는 제1 도전형의 쌍의 제1 MOS트랜지스터를 갖는 여러개의 센스앰프,기준전압을 출력하는 전압발생회로 및 동작전압의 한쪽의 전위와 제1 공통구동선 사이에 마련되고 또한 센스앰프를 구동해야할 때의 그의 소오스와 드레인을 통해서 제1 공통구동선에 제1 구동신호를 부가하도록 제어되는 제2 MOS트랜지스터로 이루어지는 출력부와 출력부를 구동하는 구동부를 갖는 제1 구동회로를 구비해서 이루어지는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 제조조건이나 사용조건 등의 변동이 있어도 안정하고 고신뢰도임과 동시에 양산시에 양품의 수율을 높게 유지할 수 있는 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치를 제공할 수 있다.

4. 发明公开

KR1019880014567A 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR1019880014567A
公开(公告)日：1988-12-24
申请号：KR1020000042597
申请日：2000-07-25
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C5/14
摘要： 내용 없음

5. 发明授权

KR100355436B1 전력저감기구를 갖는 반도체 집적회로장치 失效
标题翻译：具有功率减小机构的半导体集成电路器件
公开(公告)号：KR100355436B1
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1019990039230
申请日：1999-09-14
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 가와하라다카유키 , 호리료이치 , 호리구치마사시 , 구리하라료이치 , 이토기요오 , 아오키마사카즈 , 사카타다케시
IPC分类号： H01L27/04
摘要： PURPOSE: To provide the high-speed and low power consumption semiconductor integrated circuit. CONSTITUTION: Between a MOS transistor circuit (LGn) and power sources (VCC and VSS), a means (SWHn) for controlling the power supply of large and small currents is inserted. The control of this SWHn is performed along the flow of signals from an input IN, and the current is supplied to the MOS transistor circuit (LGn) while being switched large and small. At the time of standby, the small current is supplied so as to provide low power consumption and at the time of operations, the large current is supplied so as to provide high speed. Further, even at the time of the switching operation, the high speed is not lost.

6. 发明授权

KR100305992B1 전력저감기구를 갖는 반도체 집적회로장치 失效
公开(公告)号：KR100305992B1
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1019990039229
申请日：1999-09-14
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 가와하라다카유키 , 호리료이치 , 호리구치마사시 , 구리하라료이치 , 이토기요오 , 아오키마사카즈 , 사카타다케시
IPC分类号： H01L27/04
摘要： PURPOSE: To provide the high-speed and low power consumption semiconductor integrated circuit. CONSTITUTION: Between a MOS transistor circuit (LGn) and power sources (VCC and VSS), a means (SWHn) for controlling the power supply of large and small currents is inserted. The control of this SWHn is performed along the flow of signals from an input IN, and the current is supplied to the MOS transistor circuit (LGn) while being switched large and small. At the time of standby, the small current is supplied so as to provide low power consumption and at the time of operations, the large current is supplied so as to provide high speed. Further, even at the time of the switching operation, the high speed is not lost.

7. 发明授权

KR100298548B1 내부전압 발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100298548B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019990034285
申请日：1999-08-19
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C5/14
摘要： PURPOSE: A semiconductor device with an internal power supply is provided to improve stability and reliability by protecting the electrical characteristics notwithstanding deviation or variation in the condition of the fabrication process condition and the operating condition. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a memory cell array(MA) constituted by memory cells arrayed two-dimensionally, a data wire precharge circuit(PC), and a sense amplifier(SA) for amplifying a feeble or low level signal outputted onto the data wire from the memory cell. The sense amplifier(SA) is constituted by P-and N-channel MOS transistors. An address buffer circuit(AB) translates an address input(Am) into an internal signal. A generator circuit(PD) generates the data wire precharge voltage when the memory is in the standby state. A write control circuit(WC) writes data input signal(Dm) into memory cell under the command of a write-in signal(WE). A control circuit(3) outputs signals(5) in accordance with deviation or variation in the fabrication process condition and the operating condition onto the lines(5) for controlling operation of the individual circuit so that the characteristics thereof are stably maintained.

8. 发明授权

KR100254004B1 내부전압발생회로를 구비하는 반도체장치 失效
标题翻译：具有内部电压发生器电路的半导体装置
公开(公告)号：KR100254004B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980013723
申请日：1998-04-17
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베다카오 , 호리료이치 , 기츠카와고로 , 가와지리요시키 , 가와하라다카유키 , 이토기요오
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G11C11/4085 , G05F1/465 , G11C5/145 , G11C11/4074 , G11C11/4091
摘要： PURPOSE: A semiconductor device with an internal power supply is provided to improve stability and reliability by protecting the electrical characteristics notwithstanding deviation or variation in the condition of the fabrication process condition and the operating condition. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a semiconductor chip(1), an internal circuit(2) inherent to a semiconductor device, and a control circuit(3) for generating control signals or controlling internal voltages. The control signal or internal voltage is utilized for controlling operation of the internal circuit(2) by way of a control bus or line(5). The characteristics of the internal circuit(2) are maintained in predetermined constant relationship in conformance with the fabrication process condition and the operating condition, whereby a semiconductor device enjoying high stability and improved reliability is realized.
摘要翻译：目的：提供具有内部电源的半导体器件，以通过保护电气特性来改善稳定性和可靠性，尽管制造工艺条件和操作条件的条件有偏差或变化。构成：半导体器件包括半导体芯片（1），半导体器件固有的内部电路（2）和用于产生控制信号或控制内部电压的控制电路（3）。控制信号或内部电压用于通过控制总线或线路（5）控制内部电路（2）的操作。内部电路（2）的特性根据制造工艺条件和操作条件保持预定的恒定关系，从而实现了具有高稳定性和可靠性提高的半导体器件。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式