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1. 发明公开

KR1020050012675A 광 음향전기 장치 失效
标题翻译：具有大动力范围的电力传感器和分析机械振动和声音的方法
公开(公告)号：KR1020050012675A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：KR1020040057568
申请日：2004-07-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 스즈끼가즈히로 , 후나끼히데유끼 , 시게나까게이따로 , 오노도미오 , 사까이다다시 , 나루세유지로 , 이이다요시노리 , 후지와라이꾸오
IPC分类号： H04R23/00 , H04R1/38
CPC分类号： G01H9/00 , H04R23/008 , H04R1/38 , H04R2430/20
摘要： PURPOSE: An acoustoelectric transducer and a method for analyzing mechanical vibration and sound are provided to have large dynamic range and to use for various purposes with a small size by using a diffraction grating and a photo detector. CONSTITUTION: An acoustoelectric transducer comprises a diaphragm(2) having a diffraction grating, for vibrating by an external force; a light source(1) for irradiating the diffraction grating; a photo detector(3) for detecting the light diffracted by the diffraction grating, and for converting the detected light into an electric signal. Wherein, the vibration displacement of the diaphragm(2) is converted into an electric signal. And a method for analyzing mechanical vibration and sound, comprises the steps of: irradiating light modulated by a repetitive periodic signal on the diaphragm; detecting the diffracted light and converting the detected light into the electric signal; demodulating the electric signal with the repetitive periodic signal.
摘要翻译：目的：提供声电换能器和分析机械振动和声音的方法以具有大的动态范围，并且通过使用衍射光栅和光电检测器用于具有小尺寸的各种目的。构成：声电换能器包括具有衍射光栅的振膜（2），用于通过外力振动; 用于照射衍射光栅的光源（1）; 用于检测由衍射光栅衍射的光并用于将检测到的光转换成电信号的光电检测器（3）。其中，振动板（2）的振动位移被转换为电信号。一种用于分析机械振动和声音的方法，包括以下步骤：将由重复周期信号调制的光照射在隔膜上; 检测衍射光并将检测到的光转换成电信号; 用重复周期信号解调电信号。

2. 发明公开

KR1020100018042A 고체 촬상 소자 失效
标题翻译：固态图像传感装置
公开(公告)号：KR1020100018042A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020107000204
申请日：2008-06-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 혼다히로또 , 이이다요시노리 , 에가와요시따까
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H04N9/045 , G06T3/4015
摘要： A solid-state image sensing device has a plurality of pixels, a read-out circuit for reading out electric signals obtained by the photoelectric conversion element, and a signal processing unit for performing signal processing for the electric signal read out from the read-out circuit. The plurality of pixels include a first pixel having a transparent film, a plurality of second pixels each having a first color filter, a plurality of third pixels each having a second color filter, and a plurality of fourth pixels each having a third color filter. The signal processing unit has a color acquisition unit for acquiring a white pixel value and first to third color pixel values, an edge judgment unit, a color separation unit and a single color pixel calculation unit.
摘要翻译：固体摄像装置具有多个像素，用于读出由光电转换元件获得的电信号的读出电路和用于对从读出的读出的电信号进行信号处理的信号处理单元电路。多个像素包括具有透明膜的第一像素，每个具有第一滤色器的多个第二像素，每个具有第二滤色器的多个第三像素和具有第三滤色器的多个第四像素。信号处理单元具有用于获取白色像素值和第一至第三颜色像素值的颜色获取单元，边缘判断单元，分色单元和单色像素计算单元。

3. 发明公开

KR1020020077238A 적외선 센서 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：红外传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020077238A
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020020017306
申请日：2002-03-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이이다요시노리 , 시게나까게이따로 , 마시오나오야
IPC分类号： H01L31/09 , G01J1/02 , H01L27/14
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L27/14649 , H01L27/16
摘要： PURPOSE: To provide a heat type, non-cooling type infrared sensor with high sensitivity and at low cost. CONSTITUTION: An infrared detecting pixel is provided with an infrared absorbing parts 201, 202, and a thermoelectric converting part 9 which converts a change in temperature caused by the heat generated in the infrared absorbing parts into an electric signal. Support wiring 11 contained within the inside of a support structure for supporting the infrared detecting pixel through a hollow structure 7 on a semiconductor substrate 6 is formed finely with a metal damascene 108 which is on the same layer as a gate of a metal damascene gate MOS transistor 120 used for its peripheral circuit, reducing a support structure cross section and its heat conductance.
摘要翻译：目的：提供高灵敏度，低成本的热式非冷却型红外传感器。构成：红外线检测像素设置有红外线吸收部201,202和热电转换部9，热电转换部9将由红外线吸收部产生的热量引起的温度变化转换为电信号。通过半导体基板6上的中空结构7支撑红外线检测像素的支撑结构内部的支撑布线11由与金属镶嵌栅极MOS的栅极位于同一层上的金属镶嵌件108精细地形成用于其外围电路的晶体管120，减少支撑结构横截面及其导热性。

4. 发明公开

KR1020020025681A 적외선 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：红外传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020025681A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020010056137
申请日：2001-09-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이이다요시노리 , 시게나까게이따로 , 마시오나오야
IPC分类号： H01L31/09
CPC分类号： H01L27/1467 , G01J5/10 , G01J5/20 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14692
摘要： PURPOSE: An infrared sensor and a manufacturing method thereof are to provide a higher-sensitivity, uncooled infrared sensor that can be fabricated at lower cost by a simpler process method. CONSTITUTION: An infrared sensor including a substrate, a plurality of infrared detection pixels arrayed on a substrate with each of the infrared detection pixels including an infrared absorption portion formed over the substrate and configured to absorb infrared radiation, a thermoelectric converter portion formed over the substrate and configured to convert a temperature change in the infrared absorption portion into an electrical signal, and support structures configured to support the thermoelectric converter portion and the infrared absorption portion over the substrate via a separation space, the support structures having conductive interconnect layers configured to deliver the electrical signal from the thermoelectric converter portion to the substrate. The infrared sensor further includes a pixel selection circuit configured to select at least one of the infrared detection pixels which delivers the electrical signal and an output circuit configured to output the electrical signal delivered from selected infrared detection pixels via the conductive interconnect layers. The conductive interconnect layers include a material the same as a material of gate layers of the MOS transistors, and have a thickness similar to the gate layers.
摘要翻译：目的：红外传感器及其制造方法是提供一种更高灵敏度，非冷却的红外传感器，可以通过更简单的处理方法以较低的成本制造。构成：包括基板的红外线传感器，排列在基板上的多个红外线检测像素，其中的每个红外检测像素包括形成在基板上并被构造成吸收红外辐射的红外线吸收部分，形成在基板上的热电转换部分并且被配置为将红外线吸收部分的温度变化转换为电信号，以及支撑结构，其被配置为经由分离空间将热电转换器部分和红外吸收部分支撑在衬底上，所述支撑结构具有导电互连层，从热电转换器部分到基板的电信号。红外传感器还包括被配置为选择传送电信号的红外检测像素中的至少一个的像素选择电路和被配置为经由导电互连层输出从所选择的红外检测像素传送的电信号的输出电路。导电互连层包括与MOS晶体管的栅极层的材料相同的材料，并且具有类似于栅极层的厚度。

5. 发明授权

KR100548113B1 적외선 검출기와 그를 이용한 적외선 화상 검출기 失效
标题翻译：使用红外雷达探测器的红外雷达探测器和红外雷达图像检测器
公开(公告)号：KR100548113B1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020030058716
申请日：2003-08-25
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 마시오나오야 , 시게나까게이따로 , 후나끼히데유끼 , 이이다요시노리 , 후지와라이꾸오
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/02 , H04N5/33
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/0245 , G01J5/0853 , G01J5/14 , G01J5/22 , G01J2005/123 , H04N5/33
摘要： 프레임 레이트를 상승시켜도 감도를 저하시키지 않으며, 또한 자기 가열 현상에 따른 열파괴를 일으키는 일이 없는 적외선 검출기와 그를 이용한 적외선 화상 검출기를 제공한다.
적외선 흡수층(42), 이 적외선 흡수층(42)에서 발생한 열을 전기 신호로 변환시키는 열전 변환부(41)를 구비하는 검지부(X
i, j )를 화소의 주요부로 하고, 이 복수의 검지부(X
i, j )를 열적으로 절연하여 베이스 부재(1, 2, 4)에 배열한 열형 적외선 촬상 장치이다. 검지부(X
i, j )의 전기 신호를 리드하는 타이밍 이외의 블랭킹시에 검지부(X
i, j )와 베이스 부재(1,2,4) 사이를 열적으로 단락시키고 검지부(X
i, j )에 축적되는 열을 베이스 부재(1, 2, 4)에 방산시키는 기계적 스위칭 소자(M
i, j )를 지지 기판 베이스 부재(1, 2, 4)와 복수의 검지부(X
i, j ) 사이에 각각 설치하고 있다.
베이스 부재, 검지부, 적외선, 전기 신호, 기계적 스위칭 소자

6. 发明授权

KR100547064B1 적외선 센서 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：红外线传感器器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100547064B1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1020020017306
申请日：2002-03-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이이다요시노리 , 시게나까게이따로 , 마시오나오야
IPC分类号： H01L31/09 , G01J1/02 , H01L27/14
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L27/14649 , H01L27/16
摘要： 입사 적외선 광을 흡수하여 열로 변환하기 위한 적외선 흡수부와, 이 적외선 흡수부에서 발생된 열에 의한 온도 변화를 전기 신호로 변환하기 위한 열전 변환부를 포함한 적외선 검출 화소를, 반도체 기판(6) 상에서 중공 형상 구조(7)에 지지하기 위한 지지빔 라인을, 주변 회로에서 사용하는 메탈 다마신 게이트 MOS 트랜지스터의 게이트와 동층의 메탈 다마신에 의해 형성한다. 지지빔 라인은 단면이 U자형인 도전체 라인의 내측에 금속이 충전된다.
MOS 트랜지스터, 더미 산화막, 더미 게이트, 산화실리콘막, 폴리실리콘막, 적외선 센서, 적외선 촬상

7. 发明授权

KR100392044B1 적외선 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：发送给我们
公开(公告)号：KR100392044B1
公开(公告)日：2003-07-22
申请号：KR1020010015444
申请日：2001-03-24
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이이다요시노리 , 시게나까게이따로 , 마시오나오야
IPC分类号： H01L31/09 , G01J1/02 , H01L21/306
CPC分类号： H01L31/103 , G01J5/10 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14683 , H01L31/024 , H01L31/035281 , Y02E10/50
摘要： An object of the present invention is to provide a high-sensitivity infrared sensor. According to the present invention, a support member for supporting a sensor portion in a cavity structure is formed to be remarkably thin as compared with a conventional structure, a sectional area of the support member is considerably reduced, heat conductance can remarkably be reduced and, as a result, the infrared sensor having a remarkably high sensitivity can be obtained. Moreover, according to the present invention, since an insulating layer of a support member area is etched, and a sacrifice silicon film is embedded in the area, an aspect ratio of an insulating layer RIE for forming a support leg is remarkably reduced. A manufacturing process is facilitated, a sectional area of the support leg is further reduced as a secondary effect, and the sensitivity of the infrared sensor can further be enhanced.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种高灵敏度红外传感器。根据本发明，与传统结构相比，用于支撑空腔结构中的传感器部分的支撑构件形成为非常薄，支撑构件的截面面积显着减小，热传导性能够显着降低，结果，可以获得具有非常高的灵敏度的红外传感器。此外，根据本发明，由于支撑构件区域的绝缘层被蚀刻，并且牺牲硅膜被嵌入该区域中，所以用于形成支撑腿的绝缘层RIE的纵横比显着减小。促进制造过程，支撑腿的截面面积进一步减小，作为第二效果，并且可以进一步提高红外传感器的灵敏度。

8. 发明公开

KR1020010095009A 열형 적외선 센서의 제조 방법 失效
标题翻译：热红外传感器及其生产方法
公开(公告)号：KR1020010095009A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010015547
申请日：2001-03-26
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 마시오나오야 , 이이다요시노리 , 시게나까게이따로
IPC分类号： H01L31/09 , G01J1/02
CPC分类号： G01J5/20 , H01L27/14649 , H01L27/14687
摘要： PURPOSE: To provide a thermal infrared sensor with high freedom of structure and low cost and its production method. CONSTITUTION: In the upper part of a plate shape space formed inside a semiconductor substrate, an infrared detector and support legs are formed. On the semiconductor substrate, a circuit for processing signals from the detector is installed. With this method, the characteristic improves because the structure of the circuit for processing is not affected by the substrate structure. Owing to the simple structure, a production cost can be reduced.
摘要翻译：目的：提供具有高结构自由度和低成本的热红外传感器及其制造方法。构成：在形成在半导体衬底内的板状空间的上部形成有红外线检测器和支撑腿。在半导体衬底上安装用于处理来自检测器的信号的电路。利用该方法，由于用于处理的电路的结构不受衬底结构的影响，所以特性得到改善。由于结构简单，可以降低生产成本。

9. 发明公开

KR1020040018957A 적외선 검출기와 그를 이용한 적외선 화상 검출기 失效
标题翻译：红外成像装置
公开(公告)号：KR1020040018957A
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：KR1020030058716
申请日：2003-08-25
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 마시오나오야 , 시게나까게이따로 , 후나끼히데유끼 , 이이다요시노리 , 후지와라이꾸오
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/02 , H04N5/33
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/0245 , G01J5/0853 , G01J5/14 , G01J5/22 , G01J2005/123 , H04N5/33
摘要： PURPOSE: To provide a thermal type infrared imaging device capable of preventing sensitivity decline even if a frame rate is raised and thermal destruction caused by self-heating phenomenon. CONSTITUTION: In this thermal type infrared imaging device, a detection part Xi, j equipped with an infrared absorption layer 42 and a thermoelectric conversion part 41 for converting heat generated in the infrared absorption layer 42 into an electric signal is used as a main part of a pixel, and a plurality of detection parts Xi, j are thermally insulated and arrayed on substrates(1, 2, 4). Mechanical switching elements Mi, j for diffusing the heat accumulated in the detection parts Xi, j into the substrates(1, 2, 4) by thermal short-circuit between the detection parts Xi, j and the substrates(1, 2, 4) at the blanking time other than timing for reading out the electric signal from the detection parts Xi, j are provided respectively between the support board substrates(1, 2, 4) and the plurality of detection parts Xi, j.
摘要翻译：目的：提供一种能够防止灵敏度下降的热式红外成像装置，即使帧速率升高和自发热现象引起热破坏。构成：在该热型红外线摄像装置中，将配备有红外线吸收层42和热电转换部41的检测部Xi，j用于将红外线吸收层42中产生的热量转换成电信号，作为主要部分像素和多个检测部分Xi，j被绝热并排列在基板（1,2,4）上。用于通过检测部分Xi，j与基板（1,2,4）之间的热短路将积累在检测部分Xi，j中的热量扩散到基板（1,2,4）中的机械开关元件Mi，j，在除了从检测部Xi，j读出电信号的定时之外的消隐时间分别设置在支撑板基板（1,2,4）和多个检测部Xi，j之间。

10. 发明授权

KR101130023B1 고체 촬상 소자 失效
标题翻译：固态图像传感装置
公开(公告)号：KR101130023B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020107000204
申请日：2008-06-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 혼다히로또 , 이이다요시노리 , 에가와요시따까
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H04N9/045 , G06T3/4015
摘要： 고체 촬상 소자는 복수의 화소와, 광전 변환 소자에 의해 획득되는 전기 신호를 판독하기 위한 판독 회로와, 판독 회로로부터 판독된 전기 신호에 대하여 신호 처리를 행하기 위한 신호 처리부를 갖는다. 복수의 화소는 투명 필름을 갖는 제1 화소와, 제1 색 필터를 각기 갖는 복수의 제2 화소와, 제2 색 필터를 각기 갖는 복수의 제3 화소와, 제3 색 필터를 각기 갖는 복수의 제4 화소를 포함한다. 신호 처리부는 백색 화소값 및 제1 색 화소값 내지 제3 색 화소값을 취득하기 위한 색 취득부와, 에지 판정부와, 색 분리부와, 단색 화소 계산부를 갖는다.

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