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1. 发明授权

KR101018766B1 메모리 시스템 失效
标题翻译：内存系统
公开(公告)号：KR101018766B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020097018121
申请日：2008-09-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 마츠자키히데노리 , 하츠다고스케
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/10 , G06F12/08
CPC分类号： G06F12/0804 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205
摘要： 컨트롤러는 섹터 단위의 복수의 데이터를 제1 기억 영역에 기입하는 제1 처리와, 상기 제1 기억 영역에 저장된 데이터를 상기 섹터 단위의 2 이상의 자연수배인 제1 관리 단위로 제1 입력 버퍼에 플러시하는 제2 처리와, 제1 기억 영역에 저장된 데이터를 상기 제1 관리 단위의 2 이상의 자연수배인 제2 관리 단위로 제2 입력 버퍼에 플러시하는 제3 처리와, 모든 페이지가 상기 제1 입력 버퍼에 기입되어 있는 논리 블록을 제2 기억 영역에 재배치하는 제4 처리와, 모든 페이지가 상기 2 입력 버퍼에 기입되어 있는 논리 블록을 제3 기억 영역에 재배치하는 제5 처리와, 상기 제2 기억 영역에 저장된 복수의 데이터를 상기 제2 관리 단위로 제2 입력 버퍼에 플러시하는 제6 처리를 실행한다.
摘要翻译：控制器刷新所述第一处理和所述存储在存储区域作为两种或更多第一输入缓冲器的扇区单位的自然数倍的第一管理单元中的第一数据在第一存储区域写入的多个数据中的扇区单元中，第三处理，将存储在第一存储区域中的数据清空到作为第一管理单元中的两个或更多个的自然数的第二管理单元中的第二输入缓冲器，将在双输入缓冲器中写入全部页的逻辑块向第三存储区重新排列的第五处理，以及在双向输入缓冲器中重新排列写入全部页的逻辑块的第四处理。以及将存储在第一输入缓冲器中的多个数据清除到第二输入缓冲器的第六处理。

2. 发明公开

KR1020090117938A 메모리 시스템 失效
标题翻译：记忆系统
公开(公告)号：KR1020090117938A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：KR1020097018124
申请日：2009-02-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 하츠다고스케 , 마츠자키히데노리 , 가토료이치
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7207
摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a first management table that manages addresses concerning the data written in a first storing area; and a second management table that manages, in an address unit of a second management unit, information indicating temporal order of the data stored in the first storing area and manages, for each of addresses in a second management unit, number-of-valid-data information indicating a number of data in the first management unit included in the addresses in the second management unit.
摘要翻译：根据本发明的实施例的存储器系统包括：第一管理表，其管理与第一存储区域中写入的数据有关的地址; 以及第二管理表，其在第二管理单元的地址单元中管理指示存储在第一存储区域中的数据的时间顺序的信息，并且对于第二管理单元中的每个地址管理有效 - 指示包括在第二管理单元中的地址中的第一管理单元中的数据的数量的数据信息。

3. 发明公开

KR1020090117937A 메모리 시스템 失效
标题翻译：记忆系统
公开(公告)号：KR1020090117937A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：KR1020097018123
申请日：2009-02-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 하츠다고스케 , 마츠자키히데노리
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/08 , G06F13/16
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit (120) is divided into a DRAM-layer managing unit (120a), a logical-NAND-layer managing unit (120b), and a physical-NAND-layer managing unit (120c) to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.
摘要翻译：根据本发明的实施例的存储器系统包括：数据管理单元（120）被分为DRAM层管理单元（120a），逻辑NAND层管理单元（120b）和物理NAND 层管理单元（120c），使用各个管理单元独立地执行DRAM层，逻辑NAND层和物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。

4. 发明授权

KR101079936B1 메모리 시스템 失效
标题翻译：内存系统
公开(公告)号：KR101079936B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020097018124
申请日：2009-02-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 하츠다고스케 , 마츠자키히데노리 , 가토료이치
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7207
摘要： 본발명의실시형태에따른메모리시스템은, 제1 기억영역에기입된데이터에관한어드레스를관리하는제1 관리테이블과, 상기제1 기억영역에저장된데이터의시간순서를나타내는정보를제2 관리단위의어드레스단위로관리하며, 제2 관리단위의어드레스마다, 상기제2 관리단위의어드레스에포함된상기제1 관리단위의데이터의개수를나타내는유효데이터개수정보를관리하는제2 관리테이블을포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的存储器系统包括：第一管理表，用于管理与写入第一存储区中的数据有关的地址;以及第二管理表，用于存储指示存储在第一存储区中的数据的时间顺序的信息，以及第二管理表，用于针对第二管理单元的每个地址管理指示包括在第二管理单元的地址中的第一管理单元的数据数量的有效数据数量信息。

5. 发明授权

KR101012445B1 반도체 기억 장치 失效
标题翻译： 반도체기억장치
公开(公告)号：KR101012445B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020097017907
申请日：2008-09-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 히다도시카츠 , 간노신이치 , 야노히로쿠니 , 기츠나이가즈야 , 아사노시게히로 , 야노준지
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/16 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
摘要： 리프레시 동작을 효율적으로 수행할 수 있는 반도체 기억 장치로서, 블록이 데이터 소거 단위인 상기 블록들에 데이터를 기억하는 불휘발성 반도체 메모리, 및 상기 블록들로부터 선택된 모니터링된 블록에 기억된 데이터의 에러 카운트를 모니터링하고, 상기 에러 카운트가 임계값 이상인 상기 모니터링된 블록의 데이터를 리프레시하는 제어 유닛을 구비하는 반도체 기억 장치가 제공된다.
摘要翻译：一种控制非易失性半导体存储器的方法包括以第一频率巡视包括多个块/单元的第一池，并且当第一池中的第一块/单元满足第一条件时，将第一块/单元分配给第二块池。该方法包括以第二频率巡逻第二池，第二频率高于第一频率，并且当第二池中的第二块/单元满足第二条件时，将存储在第二块/单元中的数据移动到空闲块/单元。

6. 发明公开

KR1020090110923A 메모리 시스템 失效
标题翻译：记忆系统
公开(公告)号：KR1020090110923A
公开(公告)日：2009-10-23
申请号：KR1020097018061
申请日：2009-02-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 하츠다고스케 , 마츠자키히데노리
IPC分类号： G06F12/08 , G06F12/02
摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: speed of processing for searching through management tables is increased by providing a forward lookup table for searching for, respectively in track and cluster units, from a logical address, a storage device position where data corresponding to the logical address and a reverse lookup table for searching for, from a position of the storage device, a logical address stored in the position and linking these tables.
摘要翻译：根据本发明的实施例的存储器系统包括：通过提供用于从轨道和集群单元中分别在轨道和集群单元中搜索的前向查找表来增加用于搜索管理表的处理速度，所述逻辑地址，存储设备位置对应于逻辑地址的数据和用于从存储设备的位置搜索存储在该位置并链接这些表的逻辑地址的反向查找表。

7. 发明公开

KR1019910013535A 반도체 집적회로 失效
公开(公告)号：KR1019910013535A
公开(公告)日：1991-07-31
申请号：KR1019900020570
申请日：1990-12-14
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 야노준지 , 미야와키츠카사 , 아토마사미 , 고토우마사카즈 , 이와시타마사카즈 , 가지미치오
IPC分类号： H03K19/0948

8. 发明授权

KR101101655B1 메모리 시스템 失效
公开(公告)号：KR101101655B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020097018063
申请日：2008-09-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 마츠자키히데노리 , 하츠다고스케
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/08 , G06F13/16
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203
摘要： 메모리 시스템은, 호스트 기기에 의해 섹터 단위로 데이터가 판독되고 데이터가 기입되는 WC(21)와, 페이지 단위로 데이터가 판독되고 데이터가 기입되는 FS(12)와, 트랙 단위로 데이터가 판독되고 데이터가 기입되는 MS(11)와, FS(12)에 대해 입력 버퍼로서 기능하는 FSIB(12a)와, MS(11)에 대해 입력 버퍼로서 기능하는 MSIB(11a)를 포함한다. WC(21)의 기억 용량과 같거나 더 큰 기억 용량을 갖고, WC(21)에 기입된 데이터를 저장하는 FSBB(12ac)가 FSIB(12a)에 제공된다. 각각의 기억 유닛을 관리하는 데이터 관리 유닛(120)은 그 기억 유닛들 간에 수행된 한 종류의 처리가 미리 정해진 시간을 초과한다고 판정할 경우, 그 미리 정해진 시간을 초과하는 것으로 판정된 처리를 중지하고 WC(21)에 기입된 데이터를 FSBB(12ac)에 보관되도록 제어한다.

9. 发明授权

KR101067457B1 메모리 시스템 失效
标题翻译：内存系统
公开(公告)号：KR101067457B1
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020090016984
申请日：2009-02-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 마츠자키히데노리 , 하츠다고스케 , 오카모토와타루 , 가토료이치
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/06 , G11C16/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0866 , G06F2212/7203
摘要： 제3 기억 영역의 입력 버퍼로서 기능하는 제1 입력 버퍼와, 제3 기억 영역의 입력 버퍼로서 기능하고, 갱신 빈도가 높은 데이터를 분리 유지하기 위한 제2 입력 버퍼를 포함하고, 제1 또는 제2 기억 영역에 기록된 복수의 데이터 논리 블록 단위로 제1 입력 버퍼에 방출하여, 제1 입력 버퍼에 기록된 복수의 데이터를 논리 블록 단위로 제3 기억 영역으로 이동시킨다.
摘要翻译：第一输入缓冲器用作第三存储区的输入缓冲器，第二输入缓冲器用作第三存储区的输入缓冲器，用于分别保持具有高更新频率的数据，在输入缓冲器中的第一个出口成多个逻辑数据块被写入到存储区域，并且移动所述第一多个写入输入缓冲器到所述第三存储区域的逻辑块单位的数据。

10. 发明授权

KR101032671B1 메모리 시스템 失效
标题翻译：内存系统
公开(公告)号：KR101032671B1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020097018061
申请日：2009-02-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야노준지 , 하츠다고스케 , 마츠자키히데노리
IPC分类号： G06F12/08 , G06F12/02
摘要： 본 발명의 실시형태에 따른 메모리 시스템에서는, 논리 어드레스로부터, 그 논리 어드레스에 대응하는 데이터가 저장되어 있는 기억 장치 위치에 대해 트랙 및 클러스터 단위로 각각 검색하기 위한 포워드 룩업 테이블과, 기억 장치의 위치로부터 그 위치에 저장된 논리 어드레스에 대해 검색하는 리버스 룩업 테이블을 제공하고 이들 테이블을 링크함으로써 관리 테이블을 검색하는 처리의 속도를 높인다.
摘要翻译：根据本发明实施例的存储器系统包括：正向查找表，用于从轨道和簇的逻辑地址搜索存储与逻辑地址对应的数据的存储位置; 提供反向查找表，用于搜索存储在该位置的逻辑地址，并通过链接这些表来加快搜索管理表的过程。

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