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1. 发明授权

KR100565410B1 리던던시 기능을 갖는 반도체 장치 失效
标题翻译：具有冗余功能的半导体器件
公开(公告)号：KR100565410B1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020030094535
申请日：2003-12-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 호조다께히꼬 , 도꾸시게까오루
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： H01L27/105 , G11C29/802
摘要： 반도체 장치는 복수의 기능 블록을 갖고, 기능 블록 각각이 기판 위에 배치된다. 기능 블록 중 하나인 메모리 블록은 정보를 기록하는 복수의 메모리 셀과, 적어도 하나의 메모리 셀과 치환되고 또한 해당 메모리 셀 대신에 정보를 기록하는 용장 메모리 셀을 구비한다. 기능 블록 중 하나인 기능 회로 블록은 배선에 의해 메모리 블록과 접속된다. 기능 블록 중 하나인 프로그램 배선 블록은 기판의 평면 위에서 배선과 중첩되지 않도록 기판 위에 배치되고, 또한 불량 메모리 셀이 용장 메모리 셀과 치환되도록 신호의 경로를 형성하는 프로그램을 형성하는 프로그램 배선부를 포함한다. 데이터 전송부는 프로그램 배선 블록 위로부터 메모리 블록 위로도 연장되고, 또한 프로그램 배선부의 프로그램에 관한 프로그램 정보를 메모리 블록으로 전송한다.
메모리 블록, 메모리 셀, 시프트 레지스터

2. 发明公开

KR1020040057949A 리던던시 기능을 갖는 반도체 장치 失效
标题翻译：具有冗余功能的半导体器件，预防电线和保险丝之间的短路
公开(公告)号：KR1020040057949A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020030094535
申请日：2003-12-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 호조다께히꼬 , 도꾸시게까오루
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： H01L27/105 , G11C29/802
摘要： PURPOSE: A semiconductor device having a redundancy function is provided which prevents short between a wire and a fuse and increases degree of freedom when arranging a function block on a semiconductor chip. CONSTITUTION: According to the semiconductor device having a plurality of function blocks arranged on a substrate, a memory block(MB) comprises a plurality of memory cells(MC) recorded with information and a redundant memory cell(RC) which is replaced with the memory cell and is recorded with information instead of the corresponding memory cell. A function circuit block is connected to the memory block by a wire. A program wire block(PB) is arranged on the substrate not to be overlapped with the wire and forms a program forming a path of a signal to replace the memory cell with the redundant memory cell. And a data transmission unit(DT) is prolonged from the program wire block to the memory block, and transmits program information of the program of the program wire block to the memory block.
摘要翻译：目的：提供具有冗余功能的半导体器件，其防止在线和熔丝之间的短路，并且在半导体芯片上布置功能块时增加自由度。构成：根据具有布置在衬底上的多个功能块的半导体器件，存储器块（MB）包括记录有信息的多个存储器单元（MC）和被存储器替换的冗余存储器单元（RC）并且用信息记录而不是相应的存储单元。功能电路块通过线连接到存储器块。编程线块（PB）布置在衬底上，不与线重叠，并形成形成信号路径的程序，以用冗余存储单元代替存储单元。并且数据传输单元（DT）从编程线块延长到存储块，并将程序线块的程序的程序信息发送到存储器块。

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