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1. 发明授权

KR101930451B1 다단 스월 구조체를 갖는 플라즈마 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 갖는 폐가스 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101930451B1
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：KR1020160167569
申请日：2016-12-09
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 안재윤 , 엄민흠
IPC分类号： B01D53/32 , B01D53/78 , B01D47/06 , H05H1/26

2. 发明授权

KR101930463B1 차단벽이 구비된 플라즈마 스크러버 장치 有权
公开(公告)号：KR101930463B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020160167566
申请日：2016-12-09
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 안재윤 , 엄민흠
IPC分类号： B01D53/32 , B01D53/78 , B01D47/00 , H05H1/26
摘要： 본 발명은 차단벽이 구비된 플라즈마 스크러버 장치에 관한 것으로, 아크 방전을 통하여 화염(토치)을 발생시키는 토치부(210), 상기 토치부로부터 발생한 화염을 이용하여 폐 가스를 열처리하는 반응부(220), 및 상기 반응부에서 처리된 가스를 스크러빙 하는 스크러빙부(230)로 이루어진 플라즈마 스크러버 장치에 있어서, 상기 반응부(220)는, 상기 화염 및 폐 가스가 유입되며, 상기 화염에 의해 상기 폐 가스의 열분해 반응이 일어나는 반응실(222); 및 상기 반응실 내부에 마련되며, 배출구(2241)가 천공되어 있는 차단벽(224);을 포함하며, 상기 차단벽은 하강하는 상기 화염의 진로를 가로막아 상기 화염의 스월을 산란 및 분산시킴으로써 상기 반응실 내에 상기 화염이 머무르는 시간을 증가시켜준다.

3. 发明公开

KR1020160043820A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020160043820A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138523
申请日：2014-10-14
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 강성옥 , 엄민흠 , 안재윤
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/24 , H05H1/46
摘要： 본발명은플라즈마처리장치에관한것으로서, 더욱상세하게는플라즈마챔버에구비되는오링의손상을최소화하는플라즈마처리장치에관한것이다. 본발명에의하면, 내부에플라즈마가형성되는공간을제공하고제1 단부에형성된제1 개방부를구비하는챔버부재; 상기챔버부재의외주면으로부터바깥으로연장되고상기제1 단부쪽을향하는제1 접촉면; 상기제1 개방부를폐쇄하도록상기챔버부재에결합되고, 상기제1 개방부를막는제1 덮개판부와, 상기제1 덮개판부로부터돌출되어서상기챔버부재의외주면을외부에서감싸고그 내면에끝단으로갈수록상기챔버부재의외주면으로부터더 멀어지도록경사진부분이형성된제1 측벽부를구비하는제1 커버부재; 상기챔버부재의외주면, 상기제1 접촉면및 상기제1 측벽부의내면에서경사진부분과밀착하는제1 오링부재; 및상기제1 측벽부의내면, 상기챔버부재의외주면및 상기제1 오링부재의외주면이연결되어서형성된공간을채우는제1 충전부재를포함하는플라즈마처리장치가제공된다.
摘要翻译：等离子体处理装置技术领域本发明涉及等离子体处理装置，更具体地说，涉及能够使对等离子体室内的O型圈的损伤最小化的等离子体处理装置。根据本发明的等离子体处理装置包括在其中形成有产生等离子体的空间的室构件，其第一端处设置有第一开口部; 第一接触表面，其从所述室构件的外周表面向外延伸并且朝向所述第一端; 耦合到所述室构件以封闭所述第一开口部并且包括用于封闭所述第一开口部的第一盖板部和从所述第一盖板部突出以围绕所述室构件的外周面的第一侧壁部的第一盖构件从外部形成有在倾斜部的端部的方向上逐渐远离室部件的外周面的倾斜部，第一O形环构件，紧密地附着在腔室构件的外周面处的倾斜部分，第一接触表面和第一侧壁部分的内表面; 以及第一填充构件，用于填充彼此连接的由第一侧壁部分的内表面，腔室构件的外周表面和第一O形环构件的外周表面限定的空间。

4. 发明授权

KR101455158B1 안테나 냉각 기능을 갖는 마이크로웨이브 헤드장치 및 마이크로웨이브 제너레이터 有权
标题翻译：具有冷却天线和微波发生器功能的微波头
公开(公告)号：KR101455158B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020130020005
申请日：2013-02-25
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년
IPC分类号： H05B6/80
摘要： 안테나 냉각 기능을 갖는 마이크로웨이브 헤드장치 및 마이크로웨이브 제너레이터가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 안테나 냉각 기능을 갖는 마이크로웨이브 헤드장치는, 마그네트론; 상기 마그네트론의 안테나가 내부 공간에 배치되도록 상기 마그네트론과 결합되어 상기 안테나로부터 방출된 마이크로파의 전달 경로를 가이드하는 도파관을 구비하는 런처; 및 상기 도파관 내부의 상기 안테나 주변으로 가스를 공급하여 상기 안테나를 일정 이상 냉각하고 상기 도파관 내부의 압력을 상압 이상으로 하여 상기 도파관 내부에서 아킹(arcing) 현상이 발생하는 것을 방지하는 가스공급수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실시예에 의하면, 마그네트론의 안테나 주변으로 가스를 공급하여 안테나로부터 마이크로파가 방출될 때 안테나가 과열되는 것을 방지하여 마그네트론의 수명을 증대시킬 수 있으며, 도파관 내부로 가스를 주입하여 도파관 내부의 압력을 증대시켜 외부 가스(특히 산소)의 도파관 내부로의 유입을 차단함으로써, 안테나가 산소와의 접촉에 의해 산화되는 것을 방지할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020140106040A 안테나 냉각 기능을 갖는 마이크로웨이브 헤드장치 및 마이크로웨이브 제너레이터 有权
标题翻译：具有冷却天线和微波发生器功能的微波头
公开(公告)号：KR1020140106040A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020005
申请日：2013-02-25
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년
IPC分类号： H05B6/80
CPC分类号： H05B6/80 , H05B6/681 , H05B6/72
摘要： Disclosed are a microwave head device having an antenna cooling function and a microwave generator. The microwave head device having an antenna cooling function according to an embodiment of the present invention comprises a magnetron; a launcher having a waveguide coupled to the magnetron such that an antenna of the magnetron is disposed in an internal space, and guiding a transmission path of microwaves emitted from the antenna; and a gas supply unit supplying a gas to the vicinity of the antenna within the waveguide to cool the antenna by a predetermined degree and maintaining internal pressure of the waveguide at normal pressure or higher to prevent the occurrence of an arching phenomenon within the waveguide. According to an embodiment of the present invention, since a gas is supplied to the vicinity of the antenna of the magnetron, the antenna is prevented from being overheated when microwaves are emitted from the antenna, thereby increasing a lifespan of the magnetron, and since a gas is injected into the waveguide to increase internal pressure of the waveguide to block the introduction of ambient gas (in particular, oxygen), the antenna can be prevented from coming into contact with oxygen and being oxidized.
摘要翻译：公开了具有天线冷却功能的微波头装置和微波发生器。根据本发明实施例的具有天线冷却功能的微波头装置包括磁控管; 具有耦合到所述磁控管的波导的发射器，使得所述磁控管的天线设置在内部空间中，并且引导从所述天线发射的微波的传输路径; 以及气体供给单元，其向波导内的天线附近供给气体，将天线冷却一定程度，并将波导的内部压力维持在正常压力以上，以防止波导内产生拱起现象。根据本发明的实施例，由于气体被供应到磁控管的天线附近，因此当从天线发射微波时，防止天线过热，从而增加磁控管的寿命，并且由于气体被注入到波导中以增加波导的内部压力以阻止环境气体（特别是氧气）的引入，可以防止天线与氧气接触并被氧化。

6. 发明公开

KR1020130048577A 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버 有权
标题翻译：等离子体反应器和使用该气体的气体
公开(公告)号：KR1020130048577A
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：KR1020110113498
申请日：2011-11-02
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 김성락 , 지영연 , 엄민흠
IPC分类号： B01D53/32 , B01J19/08
CPC分类号： B01D53/32 , B01D47/00 , B01D2259/818 , B01J19/088
摘要： PURPOSE: A plasma reactor and a gas scrubber using the same are provided to effectively generate magnetic force inside a discharge outer body which is formed at high temperature and to facilitate adjust impedance inside the discharge outer body. CONSTITUTION: A plasma reactor comprises a high-frequency oscillator (15); a waveguide module (20); a cylindrical discharge outer body (32); a magnetic force generation unit (40); and a plunger (25) arranged in the waveguide module. The waveguide module transmits the high frequency which is oscillated in the high-frequency oscillator. The discharge outer body is perpendicularly arranged with the waveguide module and passes the transmitted high frequency along the waveguide module shines. The magnetic force generation unit is arranged inside the discharge outer body and generates magnetic force and is cooled by a refrigerant circulated outside. The plunger is moved along the waveguide module in order to form plasma and controls impedance inside the discharge outer body. [Reference numerals] (12) Power supplying unit
摘要翻译：目的：提供一种等离子体反应器和使用该等离子体反应器的气体洗涤器，以有效地在高温下形成的放电外体内产生磁力，并且有助于调节放电外体内部的阻抗。构成：等离子体反应器包括高频振荡器（15）; 波导模块（20）; 圆柱形排出外体（32）; 磁力产生单元（40）; 和布置在波导模块中的柱塞（25）。波导模块传输在高频振荡器中振荡的高频。放电外体与波导模块垂直布置，并沿着波导模块照射传递的高频。磁力产生单元布置在放电外体内部并产生磁力，并由循环在外部的制冷剂冷却。柱塞沿着波导模块移动以形成等离子体并且控制放电外部体内的阻抗。（附图标记）（12）供电单元

7. 发明授权

KR101026458B1 공정 가스 처리 방법 및 처리 장치 有权
标题翻译：处理工艺气体的方法和装置
公开(公告)号：KR101026458B1
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：KR1020080091655
申请日：2008-09-18
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 김홍진 , 장홍기 , 지영연
IPC分类号： B01D53/32 , B01D53/02
CPC分类号： B01D53/32 , B01D53/04 , B01D53/75 , B01D2255/2047 , B01D2257/504 , B01D2258/0216 , B01D2259/818 , H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2245/121 , Y02C10/08
摘要： 공정 가스 처리 방법 및 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 공정 가스를 플라즈마 분해시켜 이산화탄소를 포함하는 배기 가스를 형성하는 단계; 및 상기 플라즈마에 의하여 활성화된 촉매를 이용하여 상기 배기가스 중의 이산화탄소를 흡착시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 반도체 공정 후 발생하는 불소 함유 공정 가스를 플라즈마에 의하여 분해함과 동시에 분해 시 발생하는 CO
2 를 효과적으로 플라즈마-활성화 촉매에 흡착시킴으로써 배기가스 중 CO
2 양을 상당한 수준으로 저감시킬 수 있으므로, 경제성이 우수할 뿐만 아니라 친환경적이며, 더 나아가, 사용된 촉매는 별도의 재생공정 없이 다른 용도로 재사용될 수 있다.

8. 发明公开

KR1020100126167A 플라즈마 가스 스크러버 장치 有权
标题翻译：等离子气体清洗设备
公开(公告)号：KR1020100126167A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090128740
申请日：2009-12-22
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 장홍기 , 지영연
IPC分类号： B01D53/32 , B01D47/06 , B01D53/78 , B01D53/26
CPC分类号： B01D53/323 , B01D53/78 , B01D2258/0216 , B01D2259/818
摘要： PURPOSE: A plasma gas scrubber apparatus is provided to economically perform an atmospheric pressure plasma fabrication process, and to reduce the necessity of using expensive analyzer for each chamber. CONSTITUTION: A plasma gas scrubber apparatus comprises the following: plural processing chambers(110) using a plasma to process waste gas; plural nozzles(130) for spraying water to the waste gas exhausted from the processing chambers; a water tank(160) connected to the chambers and the nozzles; and more than one compressors(170) for cooling and condensing steam generated from the chambers and the nozzles.
摘要翻译：目的：提供一种等离子体气体洗涤装置，用于经济地执行大气压等离子体制造工艺，并减少为每个室使用昂贵的分析仪的必要性。构成：等离子体气体洗涤装置包括：使用等离子体处理废气的多个处理室（110）; 用于向从处理室排出的废气喷射水的多个喷嘴（130）连接到所述室和所述喷嘴的水箱（160）; 以及用于冷却和冷凝从腔室和喷嘴产生的蒸汽的多于一个的压缩机（170）。

9. 发明授权

KR100987977B1 반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치 有权
标题翻译：一种用于清洁半导体设备的部件的方法和用于清洁使用其的半导体设备的部件的设备
公开(公告)号：KR100987977B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020080082078
申请日：2008-08-21
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 김홍진 , 장홍기 , 지영연
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B08B7/0035
摘要： 반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 장비 부품 세정 방법은 a) 세정하고자 하는 반도체 장비 부품에 표면 처리액을 접촉시키는 단계; 및 (b) 상기 부품을 반응 챔버에서 플라즈마 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 보다 경제적인 방식으로 반도체 장비 부품을 세정할 수 있으며, 특히 노후된 반도체 장비 부품에 응집되어 있는 유기 또는 무기물질을 매우 효과적으로 제거할 수 있으므로, 장비에 사용된 부품의 사용수명을 연장할 수 있으며, 부품의 재사용을 통하여 장비의 경제성을 제고할 수 있다

10. 发明授权

KR101455159B1 개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기 有权
标题翻译：等离子体反应器，密封结构改善
公开(公告)号：KR101455159B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020130039338
申请日：2013-04-10
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 강성옥 , 엄민흠
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34
摘要： 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다.

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