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1. 发明授权

KR102021413B1 반도체 제조 공정용 건식 세정 가스 및 이를 사용하는 세정 방법 有权
公开(公告)号：KR102021413B1
公开(公告)日：2019-09-16
申请号：KR1020170173004
申请日：2017-12-15
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 송한덕 , 백종민 , 김태형 , 서대웅
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67

2. 发明公开

KR1020170114146A 디보란 정제장치 및 정제방법 有权
标题翻译： Diborane净化装置和净化方法
公开(公告)号：KR1020170114146A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160041437
申请日：2016-04-05
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 김영래 , 송한덕 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： C01B6/10 , G01N30/62 , B01D53/00
CPC分类号： C01B6/10 , B01D53/005 , G01N30/62
摘要： 본발명은디보란정제장치및 정제방법에관한것으로, 본발명의실시예에따른디보란정제장치는디보란(DIBORANE, BH, 3)에다수의기체불순물(5)이섞인디보란가스(1)를저장하는가스용기(10), 디보란가스(1)가유입되어정제되는정제챔버(20), 디보란(3) 및불순물(5) 중의제1 불순물이액화되어불순물(5) 중기체상태인제2 불순물과분리되도록, 정제챔버(20)를제1 정제온도까지냉각하는냉각부(30), 및액화된디보란(3)이기화되어액화된제1 불순물과분리되도록, 정제챔버(20)를제2 정제온도까지가열하는가열부(40)를포함한다.
摘要翻译：本发明的乙硼烷涉及精制装置和精制方法，乙硼烷净化装置根据本发明的一个实施例中，乙硼烷（乙硼烷，BH 3）EDA护罩气体乙硼烷气体杂质（5）与混合（1）气体容器10中，纯化腔室20，其中，所述片剂被引入乙硼烷气体（1），用于存储，乙硼烷3和杂质（5）中的第一杂质的杂质（5）中间体状态被液化摄取第二冷却部30内，液化的乙硼烷3是yigihwa第一和净化室20，以除去杂质，液化reulje冷却至杂质和以分离，纯化腔室20 reulje 1纯化温度 2纯化温度。

3. 发明公开

KR1020170036922A 트리플루오르메틸 하이포플루오라이트의 합성 및 정제방법 审中-实审
标题翻译：三氟甲基次氟酸盐的合成与提纯方法
公开(公告)号：KR1020170036922A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150135416
申请日：2015-09-24
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 이건종 , 김종수 , 김영래 , 송한덕 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： C07C67/48 , C07C71/00 , B01J27/12
摘要： 본발명은트리플루오르메틸하이포플루오라이트(Trifluoromethyle hypofluorite, CF3OF)를합성및 정제방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 트리플루오르메틸하이포플루오라이트(CFOF)의합성및 정제방법에있어서, F가스와 COF가스를고체촉매용반응기에서혼합하여반응시키는합성단계(S10)와; 상기합성된혼합가스를 (CFOF)의비점온도보다낮은온도로형성된 1차정제기에서 1차정제시키는단계(S20)와; 상기 1차정제된가스를 (CFOF)의비점온도보다높은온도로형성된 2차정제기에서 2차정제시키는단계(S30);를순차적인단계가이루어진것을특징으로하는트리플루오르메틸하이포플루오라이트(CFOF)의합성및 정제방법에관한것이다. CFOF 가스는유기합성의전구체, 반도체공정또는디스플레이공정용크리닝가스및 에칭가스로도사용이가능한매우유용한 OF계가스이다. CFOF 가스의합성은 F가스와 COF가스를금속불화물촉매하에서반응시켜 CFOF를제조한다. 제조된 CFOF는 1차및 2차정제장치로이송되어불순물을제거하도록이루어지는것이다. 제거방법으로서는비점(Boiling point)을이용한극저온(Cryogenic)하의온도에서불순물을효과적으로제거하여, 일정수준의순도(99.9%이상)를취득하는효과를특징으로하는것이다.
摘要翻译：在本发明中，三氟甲基次氟化物涉及（Trifluoromethyle次氟化物，CF3OF）的合成和纯化方法，并且更具体地，三氟合成和甲基次氟化物的纯化（CFOF），F气体和COF 在固体催化剂用反应器中使气体混合并反应的合成工序（S10）（S20），首先在低于（CFOF）的沸点温度的温度下形成的第一净化器中纯化合成气体混合物; （S30），在比第一净化气体中的（CFOF）的沸点温度高的温度下形成的二次净化器中进行二次净化。并提供了一种净化方法。 CFOF气体是非常有用的基于OF的气体，其也可以用作有机合成前体，用于半导体工艺或显示工艺的清洁气体以及蚀刻气体。在CFOF气体的合成中，通过使F气体和COF气体在金属氟化物催化剂下反应来生产CFOF。将生产的CFOF转移到初级和次级精磨机中去除杂质。该除去方法的特征在于使用沸点在低于低温的温度下有效地除去杂质以获得一定水平的纯度（99.9％或更高）的效果。

4. 发明授权

KR101868811B1 플루오르화붕소 정제방법 有权
公开(公告)号：KR101868811B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020170011256
申请日：2017-01-24
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 백종민 , 정석용 , 김영래 , 송한덕 , 최호윤 , 정성진 , 김태형 , 박새미 , 서대웅
IPC分类号： C01B35/06 , B01D53/04 , B01J20/34
CPC分类号： Y02C10/08 , Y02P20/152 , C01B35/061 , B01D53/0423 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2253/20 , B01D2257/302 , B01D2257/504 , B01J20/3416 , B01J20/3425 , B01J20/3483 , C01P2006/80
摘要： 본발명은플루오르화붕소를흡착제가내설된흡착컬럼에공급시키는단계; 및플루오르화붕소내 SO를흡착제를이용하여흡착제거하는단계로이루어지는정제방법으로써, 상기흡착제가 500 내지 1500mg/g의요오드흡착력을갖는것을특징으로하는정제방법에관한것이다. 본발명은정제대상이되는플루오르화붕소를흡착방법에의해내부의 SO를선택적으로흡착제거함으로써, 고순도의플루오르화붕소를얻을수 있는정제방법을제공하기위해, 흡착제가원료물질인플루오르화붕소와는반응성이없고, SO만을선택적으로제거할수 있는흡착제를이용하였다.

5. 发明授权

KR102244862B1 식각 가스 혼합물과 이를 이용한 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102244862B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020200097454
申请日：2020-08-04
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 조병옥 , 김영래 , 송한덕 , 김태형 , 이기찬 , 박희준 , 정헌종
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： 본발명은, 식각가스혼합물에관한것으로, 특히, 고종횡비 (High Aspect Ratio)의식각단면을얻기위한식각가스조합으로높은선택비(Selectivity) 및 CD (Critical dimension) 제어에탁월한성능을발휘하는식각가스에관한것이다.

6. 发明授权

KR101902776B1 암모니아 흡착 장치 有权
公开(公告)号：KR101902776B1
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：KR1020170010856
申请日：2017-01-24
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 서대웅 , 김영래 , 송한덕 , 정석용 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： B01D53/04 , B01D53/58 , B01J20/04
CPC分类号： Y02A50/2346
摘要： 본발명은암모니아흡착장치로, 보다상세하게는고체흡착제에암모니아가스를흡착시켜암모니아저장물질을형성하여암모니아가스를흡착하는, 암모니아흡착장치에관한것이다.

7. 发明公开

KR1020170033690A 메탈아민 제조 시스템 및 이를 이용한 메탈아민 제조방법 审中-实审
标题翻译：金属胺制造系统和制造金属胺的方法
公开(公告)号：KR1020170033690A
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020150131772
申请日：2015-09-17
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 이건종 , 김종수 , 김영래 , 송한덕 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： C01B3/00 , C01F5/00 , C01F11/00
CPC分类号： B08B7/00 , C01B21/06 , G01G19/62 , G05D16/00
摘要： 본발명은메탈아민제조시스템에관한것으로서, 본발명의실시예에따른메탈아민제조시스템은암모니아(3) 가스를저장하는암모니아탱크(10), 암모니아(3) 가스의압력을조절하는압력조절기(20), 내부에금속염화물(1)이충진되고, 암모니아탱크(10)와연결되어, 암모니아(3)가내부로유입되는반응챔버(30), 암모니아(3)가반응챔버(30) 내부로유입되기전에, 충전된금속염화물(1)을가열하여, 금속염화물(1) 내의수분을제거하는가열기(40), 및반응챔버(30) 내부의온도를소정의반응온도까지냉각시키는냉각부(50)를포함하고, 반응온도에서, 수분이제거된금속염화물(1)에암모니아(3)가흡착되어, 메탈아민(Metal Ammine) 분말이제조된다.
摘要翻译：本发明涉及一种金属胺生产系统，其中金属胺生产系统包括用于储存氨（3）气的氨罐（10），用于调节氨（3）的压力的压力调节器，将反应室30和引入金属氯化物1并连接到氨罐10并进入氨3内部的氨3引入到反应室30中加热装置40，用于加热装入的金属氯化物1以去除金属氯化物1中的水;以及冷却装置50，用于将反应室30的内部冷却到预定的反应温度，在反应温度下，氨（3）吸附在已除去水分的金属氯化物（1）上以生成金属氨合物粉末。

8. 发明授权

KR102244885B1 높은 선택비를 갖는 식각 가스 조성물과 이를 이용한 반도체 메모리 소자의 제조 공정 有权
公开(公告)号：KR102244885B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020210015105
申请日：2021-02-03
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 조병옥 , 김영래 , 송한덕 , 김태형 , 이기찬 , 박희준 , 정헌종
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/311 , H01L27/105
摘要： 본발명은, 식각가스조성물에관한것으로, 특히, 금속계열의하부층 (언더레이어, underlayer)에대한높은선택비(Selectivity)을나타내어콘택트공정에서탁월한성능을발휘하는식각가스조성물에관한것이다.

9. 发明授权

KR101985730B1 암모니아 발생 및 방출 장치 有权
公开(公告)号：KR101985730B1
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：KR1020170010857
申请日：2017-01-24
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 서대웅 , 김영래 , 송한덕 , 정석용 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： C01C1/02 , F01N3/20

10. 发明公开

KR20180034172A 암모니아 흡착 장치 有权
标题翻译：吸收氨气的设备
公开(公告)号：KR20180034172A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR20170010856
申请日：2017-01-24
申请人： (주)원익머트리얼즈
发明人： 서대웅 , 김영래 , 송한덕 , 정석용 , 최호윤 , 정성진 , 백종민 , 김태형 , 박새미
IPC分类号： B01D53/04 , B01D53/58 , B01J20/04
CPC分类号： Y02A50/2346 , B01D53/0407 , B01D53/58 , B01D2253/10 , B01D2257/406 , B01J20/046
摘要： 본발명은암모니아흡착장치로, 보다상세하게는고체흡착제에암모니아가스를흡착시켜암모니아저장물질을형성하여암모니아가스를흡착하는, 암모니아흡착장치에관한것이다.
摘要翻译：氨吸附装置技术领域本发明涉及一种氨吸附装置，特别涉及一种通过将氨气吸附于固体吸附剂而形成氨储存材料来吸附氨气的氨吸附装置。

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