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1. 发明授权

KR101040325B1 알킬아미노실란의 제조방법 有权
标题翻译：烷基氨基硅烷的制备
公开(公告)号：KR101040325B1
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090078749
申请日：2009-08-25
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김재완 , 장세진 , 김현관 , 주진훈 , 조익행 , 김진동 , 김명운
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/20
摘要： 본 발명은 알킬아미노실란 화합물의 제조방법에 관한 것으로, 자세하게는 무수 분위기 하에서 2차 아민과 트리클로로실란을 이용하여 알킬아미노클로로실란 중간체를 형성하고, 금속수소화물을 첨가하여 알킬아미노실란을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 알킬아미노실란의 제조방법은 유틸리티 비용이 적게 들고, 발화 위험성이 없으며, 저온 공정으로 우수한 수득률을 갖는 효과적인 알킬아미노실란의 제조방법을 제공한다.
알킬아미노실란, 아미노 실란, 실리콘 아마이드

2. 发明授权

KR100804413B1 지르코늄 산화물 박막 증착용 유기금속 선구물질 및 이의제조 방법 失效
标题翻译：二氧化锆薄膜沉积的前驱物及其制备方法
公开(公告)号：KR100804413B1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020060056116
申请日：2006-06-21
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 김진동 , 박정우 , 신재관 , 김재완 , 임민혁
IPC分类号： C07F7/00
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 지르코늄 산화물 선구물질 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 합성된 지르코늄 산화물 선구물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 개선되어 지르코늄 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다.
[화학식 1]

[상기 화학식 1에서 A는 NR
2 R
3 또는 ER
4 이고; E는 산소(O) 또는 황(S)이고; R
1 은 수소, 메틸 또는 에틸이고; R
2 및 R
3 는 서로 독립적으로 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C1-C4의 알킬기 또는 SiR
5
3 이고; R
4 는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C1-C6의 알킬기 또는 SiR
5
3 이고; R
5 는 C1-C4의 알킬기이다.]
지르코늄 산화물 선구물질, 지르코늄 산화물, 박막, MOCVD, ALD

3. 发明公开

KR1020090039233A 코발트 및 코발트실리사이드 박막증착을 위한 휘발성코발트（Ⅱ） 아미디네이트 및 이를 이용한 박막제조방법 无效
标题翻译： CO，COSI挥发油CO（II）薄膜沉积和方法
公开(公告)号：KR1020090039233A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070104739
申请日：2007-10-17
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 김진동 , 하승원 , 김재완 , 정우성 , 김민성
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F15/065 , C23C16/42
摘要： A volatility cobalt amidinate and a film manufacturing method using the same are provided to improve the thermal and chemical instability in order to obtain the high vapor pressure and the excellent thermal stability. A manufacturing method of a cobalt thin film comprises: a step of exposing the volatility cobalt amidinate to a heated substrate after being transferred to the inactive gas; a step of removing the residual gas and the volatility cobalt amidinate of the inside of a chamber by purging; a step of forming a thin film by injecting the reducing gas and the oxidation steam vapor; a step of removing the residue disassembled by purging; and a step of controlling the thickness of the thin film by repeating the step above. The inactive gas comprises the argon gas. The reducing gas comprises the hydrogen.
摘要翻译：为了获得高的蒸气压和优异的热稳定性，提供挥发性钴酸铯和使用其的膜制造方法以改善热和化学不稳定性。钴薄膜的制造方法包括：在转移到惰性气体之后将挥发性钴脒暴露于加热的基底上的步骤; 通过清洗除去室内残留气体和挥发性钴脒的步骤; 通过注入还原气体和氧化蒸汽蒸气形成薄膜的步骤; 通过清洗除去残留物的步骤; 以及通过重复上述步骤来控制薄膜的厚度的步骤。惰性气体包括氩气。还原气体包括氢气。

4. 发明公开

KR1020110021130A 알킬아미노실란의 제조방법 有权
标题翻译：烷基氨基硅烷的制备
公开(公告)号：KR1020110021130A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020090078749
申请日：2009-08-25
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김재완 , 장세진 , 김현관 , 주진훈 , 조익행 , 김진동 , 김명운
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/20
CPC分类号： C07F7/025
摘要： PURPOSE: A method for preparing an alkyl amino silane compound is provided to ensure low cost for utilities and low fire hazard possilbilty. CONSTITUTION: A method for preparing alkyl amino silane compound of chemical formula 1 comprises: a step of inputting a secondary amine of chemical formula 2 and trifchlorosilane in an organic solvent and reacting; a step of removing precipitate to obtain remaining liquid; and a step of adding metal hydrate to obtain alkyl amino silane of chemical formula 1. The metal hydrate is LiH, NaH, KH or LiAlH_4.
摘要翻译：目的：提供一种制备烷基氨基硅烷化合物的方法，以确保公用事业的低成本和低火灾危害的可能性。构成：制备化学式1的烷基氨基硅烷化合物的方法包括：在有机溶剂中输入化学式2的仲胺和三氯硅烷并使其反应的步骤; 除去沉淀物以获得剩余液体的步骤; 以及添加金属水合物以获得化学式1的烷基氨基硅烷的步骤。金属水合物为LiH，NaH，KH或LiAlH_4。

5. 发明公开

KR1020070121281A 지르코늄 산화물 박막 증착용 유기금속 선구물질 및 이의제조 방법 失效
标题翻译：二氧化锆薄膜沉积的前驱物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070121281A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：KR1020060056116
申请日：2006-06-21
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 김진동 , 박정우 , 신재관 , 김재완 , 임민혁
IPC分类号： C07F7/00
CPC分类号： C23C16/40 , C07F7/00
摘要： A precursor of zirconium dioxide is provided to improve thermal stability and volatility of the compound, thereby depositing high quality of zirconium dioxide thin film through the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) or atomic layer deposition(ALD) method. A precursor of zirconium dioxide for deposition of zirconium dioxide thin film is represented by the formula(1), wherein A is NR^2R^3 or ER^4; E is oxygen or sulfur; R^1 is hydrogen, methyl or ethyl; R^2 and R^3 are each independently C1-C4 alkyl group optionally having a fluor group or SiR^5_3; R^4 is C1-C6 alkyl group optionally having a fluor group or SiR^5_3; and R^5 is C1-C4 alkyl group. The precursor of zirconium dioxide represented by the formula(1) is prepared by reacting a zirconium compound represented by the formula(2) with alkali metal salt of amide, alkali metal salt of alkoxide or alkali metal salt of thiolate represented by the formula(3): MA, wherein M is lithium, sodium or potassium and X is chlorine, bromine or iodine atom.
摘要翻译：提供二氧化锆的前体以提高化合物的热稳定性和挥发性，从而通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）方法沉积高质量的二氧化锆薄膜。用于沉积二氧化锆薄膜的二氧化锆的前体由式（1）表示，其中A是NR 2 R 2 3或ER 4; E是氧或硫; R 1是氢，甲基或乙基; R 2和R 3各自独立地为任选具有氟基团的C 1 -C 4烷基或SiR 5 3; R 4是任选具有氟基或C 1 -C 5烷基的C 1 -C 6烷基; R 5为C 1 -C 4烷基。由式（1）表示的二氧化锆前体通过式（2）表示的锆化合物与酰胺的碱金属盐，醇盐的碱金属盐或由式（3）表示的硫醇盐的碱金属盐）：MA，其中M为锂，钠或钾，X为氯，溴或碘原子。

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