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1. 发明授权

KR102107631B1 복합 내화물 및 복합 내화물의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102107631B1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：KR1020140035166
申请日：2014-03-26
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 히모토이오리 , 기노시타도시하루
IPC分类号： C04B35/567 , C04B35/65

2. 发明公开

KR1020150026906A 랙 审中-实审
标题翻译：架
公开(公告)号：KR1020150026906A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140112195
申请日：2014-08-27
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 고미야마츠네오 , 나카니시야스히사
IPC分类号： H01G4/232 , H01G4/30
摘要： 본 발명은, 금속을 메시 형상으로 뜬 망상체와, 이 망상체를 얹어 사용하는 베이스 부재로 구성되는 랙에 있어서, 망상체의 「휨」에 기인한 조업 트러블을 억제하는 동시에, 베이스 부재의 균열을 방지하고, 또한, 제품 수율을 개선하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
금속을 메시 형상으로 뜬 망상체(1)와, 이 망상체(1)를 얹어 사용하는 베이스 부재(2)로 구성되는 랙으로서, 상기 베이스 부재(2)가, Si-SiC, 재결정 SiC, Si
3 N
4 -SiC, 상압 소결 SiC 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 베이스 부재(2)는, 상기 망상체(1)를 얹어 놓는 베이스부(3)와, 이 베이스부(3)의 상하 혹은 좌우의 양단부에 대향 배치된 대향 돌기부(5)와, 대향 돌기부(5) 사이에 걸치도록 형성되며, 상기 베이스부(3)에 얹어 놓여진 망상체(1)의 상면에 배치되는 누름 바(6)를 구비하고, 상기 베이스부(3)의 20%∼75%를 개구시켜 형성한 통기공부(4)를 갖는다.
摘要翻译：本发明提供一种机架。本发明包括一种具有金属网和一个通过放在网上使用的基底构件的网。本发明防止了网状物的弯曲和基体的裂纹的操作困难，提高了产品的收率。本发明提供了一种机架，包括：具有金属的网格（1）和通过放置在网上使用的基底构件（2），其中，基底构件（2）形成Si-SiC，再结晶SiC，Si 3 N 4 -SiC和大气压烧结SiC。基部构件（2）包括：其上放置网状物（1）的基部单元（3）; 相对的突起（5），其设置成与所述基座单元（3）的上下侧或左右两侧相对; 以及压紧杆（6），其形成为配合在相对的突起（5）上并且设置在所述网格（1）的上侧以放置在所述基座单元（3）上。本发明具有通气单元（4），其形成为在基座单元（3）的20％和75％之间打开。

3. 外观设计

KR3006376350000S 失效
公开(公告)号：KR3006376350000S
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR3020100046668
申请日：2010-10-27
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
设计人： 고미야마 츠네오 , 나카니시 야스히사 , 니혼마츠 히로아키 , 키노시타 토시하루

4. 发明授权

KR100465389B1 ＳｉＣ질 열처리용 지그 失效
标题翻译： SiC질열처리용지그
公开(公告)号：KR100465389B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020020013982
申请日：2002-03-15
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 기노시타도시하루
IPC分类号： C03B29/12
CPC分类号： C04B35/565 , C03B35/14 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B41/009 , C04B41/5096 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/668 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B41/4515 , C04B41/4517 , C04B38/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat treating tool which has stability to suppress the deformation of the tool with time and the deformation of a glass substrate under the heat treatment by bending, has excellent thermal conductivity to permit the efficient and uniform heat treatment of the glass substrate in a relatively short time and is improved in the handleability when the large-sized glass substrate is placed or removed. SOLUTION: This planar heat treating tool is used for placing the glass substrate when the glass substrate is heat treated. Its main phase consists of SiC and has a rugged shape on its surface. The arithmetic mean roughness Ra of the surface is 0.01 to 200 μm and the value (Sm/Ra) obtained by dividing the average spacing Sm of the ruggedness by the arithmetic mean roughness Ra is
摘要翻译：本发明提供一种热处理工具，该热处理工具具有稳定性，能够抑制工具随着时间的变形和在弯曲热处理下的玻璃基板的变形，具有优异的热传导性，以允许有效和均匀地热处理玻璃基板在较短的时间内移动，并且当大型玻璃基板被放置或移除时其操作性得到改善。该平面热处理工具用于在对玻璃基板进行热处理时放置玻璃基板。其主要部分由碳化硅组成，表面具有坚固的形状。表面的算术平均粗糙度Ra为0.01至200μm，并且用粗糙度的平均间隔Sm除以算术平均粗糙度Ra得到的值（Sm / Ra）≤500。

5. 发明公开

KR1020040014350A 세라믹 전자부품 소성용 세터 有权
标题翻译：烧结陶瓷电子元器件
公开(公告)号：KR1020040014350A
公开(公告)日：2004-02-14
申请号：KR1020030054920
申请日：2003-08-08
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 모리히로시 , 니혼마투히로아키 , 모리사사마사시
IPC分类号： C04B35/10
CPC分类号： C04B35/185 , C04B35/10 , C04B2235/9623
摘要： PURPOSE: To fire all bodies to be fired, mounted on a setter, at a uniform temperature independently of their mounted positions and to obtain electronic components having a uniform property while corresponding to upsizing of the setter, compacting of mounting space, and shortening of firing time. CONSTITUTION: The setter 1 for firing the ceramic electronic components is equipped with a base body comprising a ceramic material containing alumina and mullite as main components and a coated layer which is provided on the base body and prevents the reaction with the bodies to be fired. Further, the base body and the coated layer are constituted by using materials capable of realizing that the coefficient of heat conduction of the whole body at 20°C becomes in a range of 2.7-15.0 W/mxK.
摘要翻译：目的：将所有被起火的物体，以均匀的温度，独立于其安装位置，以均匀的温度进行点火，并获得具有均匀性质的电子部件，同时对应于固定器的大型化，紧凑的安装空间，缩短了点火时间。构成：用于烧制陶瓷电子部件的固定器1配备有基体，该基体包含含有氧化铝和莫来石作为主要成分的陶瓷材料，以及设置在基体上并防止与本体发生反应的涂层。此外，基体和涂层通过使用能够认识到在20℃下全身的导热系数变为2.7-15.0W / m×K的范围的材料构成。

6. 发明公开

KR1020020075231A ＳｉＣ질 열처리용 지그 失效
标题翻译：硅碳热处理工具
公开(公告)号：KR1020020075231A
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1020020013982
申请日：2002-03-15
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 기노시타도시하루
IPC分类号： C03B29/12
CPC分类号： C04B35/565 , C03B35/14 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B41/009 , C04B41/5096 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/668 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B41/4515 , C04B41/4517 , C04B38/00
摘要： PURPOSE: To provide a heat treating tool which has stability to suppress the deformation of the tool with time and the deformation of a glass substrate under the heat treatment by bending, has excellent thermal conductivity to permit the efficient and uniform heat treatment of the glass substrate in a relatively short time and is improved in the handleability when the large-sized glass substrate is placed or removed. CONSTITUTION: This planar heat treating tool is used for placing the glass substrate when the glass substrate is heat treated. Its main phase consists of SiC and has a rugged shape on its surface. The arithmetic mean roughness Ra of the surface is 0.01 to 200 μm and the value (Sm/Ra) obtained by dividing the average spacing Sm of the ruggedness by the arithmetic mean roughness Ra is
摘要翻译：目的：提供一种能够随时间抑制工具变形的稳定性和通过弯曲加热处理时的玻璃基板的变形的热处理工具，具有优异的导热性，能够进行玻璃基板的高效均匀的热处理在相当短的时间内，并且当放置或去除大尺寸玻璃基板时的可操作性得到改善。构成：当对玻璃基板进行热处理时，该平面热处理工具用于放置玻璃基板。其主相由SiC组成，其表面具有坚固的形状。表面的算术平均粗糙度Ra为0.01〜200μm，通过将粗糙度的平均间隔Sm除以算术平均粗糙度Ra而得到的值（Sm / Ra）为<= 500。

7. 发明授权

KR102126476B1 베이스 세터 有权
公开(公告)号：KR102126476B1
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：KR1020140017897
申请日：2014-02-17
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 고미야마츠네오 , 마츠모토노부히로
IPC分类号： F27D5/00 , C04B35/64

8. 发明授权

KR101819748B1 소성용 세터 有权
标题翻译：射击二传手
公开(公告)号：KR101819748B1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020110076663
申请日：2011-08-01
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 고미야마츠네오 , 홋타히로유키 , 와타나베세이이치
IPC分类号： C04B35/14 , C04B35/565
摘要： 본발명은내열성이나기계적강도의외에, 소성하는세라믹전자부품과반응하지않는특성을구비하면서, 에너지효율이나가마효율이더 우수한세터를제공하는것을과제로한다. 기재와, 그상층에표면코트층을가지고, 상기기재는 SiC를 70∼99 질량%, Si를 1∼30 질량% 함유한다.
摘要翻译：除了耐热性和机械强度之外，本发明克服了提供能量效率和炉效率优异同时具有不与焙烧的陶瓷电子部件反应的性质的安装器的问题。并且，在所述上层上具有表面被覆层，所述基材含有70〜99质量％的SiC和1〜30质量％的Si。

9. 发明授权

KR101726912B1 소성용 랙 有权
标题翻译：塑料机架
公开(公告)号：KR101726912B1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020137001813
申请日：2011-07-25
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 고미야마츠네오 , 홋타히로유키 , 마츠모토노부히로
IPC分类号： F27D5/00 , B22F3/00 , C04B35/573 , B22F3/10
CPC分类号： C04B35/573 , B22F3/003 , B22F2003/1042 , C04B2235/3873 , C04B2235/428 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9623 , C04B2235/963 , F27D5/0031 , F27D5/0037
摘要： 복수매의평판형세터를세터유지수단에의해수직방향으로다단으로유지하여, 전자세라믹소자를다단소성하기위한소성용랙이다. 세터유지수단이, 0.01∼30%의 Si를함유하는 Si-SiC, 재결정 SiC, SiN-SiC 중어느하나의재질로이루어지고, 이세터유지수단은, 각평판형세터를그 외주측면의 70∼100%를노출시킨상태로유지한다. 이에따라, 에너지효율이나양산효율이우수하고, 또한, 다단소성에있어서의각 단의균열성이우수한소성용랙으로된다.
摘要翻译：这是一种烧结炉，用于通过保持装置在竖直方向上多级地保持多个板型衬套，用于多级烧制电子陶瓷元件。其中，保持装置由选自包含Si：0.01〜30％的Si-SiC，再结晶SiC，SiN-SiC的一种材料构成，％保持暴露。结果，烧结炉在能量效率和批量生产效率方面优异，并且在多阶段烧结中各阶段的裂化性能优异。

10. 发明公开

KR1020140120266A 복합 내화물 및 복합 내화물의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：复合材料的复合材料和制造方法
公开(公告)号：KR1020140120266A
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020140035166
申请日：2014-03-26
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 어드렉 가부시키가이샤
发明人： 히모토이오리 , 기노시타도시하루
IPC分类号： C04B35/567 , C04B35/65
CPC分类号： C04B41/88 , C04B38/0615 , C04B41/009 , C04B41/51 , F27D1/0006 , F27D1/1626 , C04B41/4519 , C04B41/4523 , C04B41/4572 , C04B41/5096 , C04B35/565 , C04B38/00 , C04B35/573
摘要： 본 발명은, 고강도이며 고열전도율로서, 통기성을 갖추고, 고온 조건하에서의 사용에 의해 깨짐이나 휨 등의 변형을 발생시키지 않는 복합 내화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Si-SiC 소결체를 기재로 하는 복합 내화물로서, 상기 Si-SiC 소결체는, 기공률 1% 이하의 골격으로 구성된 3차원 메시형 구조를 포함하며, 상기 골격에서의 SiC의 함유 비율이 35 질량%∼70 질량%, 금속 Si의 함유 비율이 25 질량%∼60 질량%로 되게 한 것이다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有高强度和高导热性的复合耐火材料，提供通风，并防止使用者在高温条件下破裂或弯曲等变形。包含Si-SiC烧结体作为基础材料的复合耐火材料具有包括孔隙率为1％以下的骨架的三维网状结构体，其中，SiC的含量在骨架中为35〜70质量％金属Si的含量为25〜60质量％。

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