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1. 发明公开

KR1020150029045A 임시 점착/탈착층을 사용하는 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 그를 이용한 플렉시블 정보 표시 소자 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：使用临时粘结/剥离层的支撑基板，其方法，使用其制造柔性信息显示装置的方法以及通过该方法结合的柔性信息显示装置
公开(公告)号：KR1020150029045A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130104534
申请日：2013-08-30
申请人： 주식회사 엔씰텍 , 이근수 , 노재상
发明人： 노재상 , 이근수 , 김용석 , 홍원의 , 장인구 , 양승열 , 전진남 , 김광준
IPC分类号： G02F1/1333 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , Y10T428/265 , G02F1/133305 , G02F2001/133325
摘要： 본 발명은 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판에 있어서, 상기 지지기판 상에 두께가 0.1nm 내지 1000nm이고 상기 지지기판과 반데르 발스 결합을 하는 물질로 형성된 임시 점착/탈착층을 구비하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 전자 장치 제조용 지지기판 및 이 지지기판의 제조 방법, 이 지지기판을 사용하여 플렉시블 정보 표시 소자를 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 플렉시블 정보 표시 소자를 제공함으로써, 플렉시블 평판 정보 표시 소자의 장치 투자비의 절감 및 수율 향상에 의하여 가격 경쟁력을 제고시키고, 고해상도의 디스플레이 소자를 경제적으로 제조하는 것이 가능한 방법을 제공한다.
摘要翻译：在用于制造柔性信息显示装置的支撑基板中，提供了使用临时粘合/剥离层的支撑基板，其方法，制造使用该支撑基板的柔性信息显示装置的方法，以及柔性信息显示装置，其由方法。临时粘合/剥离层的厚度在支撑基板上为0.1nm至1000nm。临时粘合/剥离层由通过Van Der Waals的键与支撑基底组合的材料制成。从而节省了灵活信息显示装置的投资成本，提高了产量，提高了价格竞争力，可以经济地制造高分辨率显示装置。

2. 发明授权

KR101580015B1 임시 점착/탈착층을 사용하는 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 그를 이용한 플렉시블 정보 표시 소자 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译： /使用临时粘结/去网层的支撑基板的方法及其方法一种使用该方法制造柔性信息显示装置的方法和由该方法结合的柔性信息显示装置
公开(公告)号：KR101580015B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020130104534
申请日：2013-08-30
申请人： 주식회사 엔씰텍 , 이근수 , 노재상
发明人： 노재상 , 이근수 , 김용석 , 홍원의 , 장인구 , 양승열 , 전진남 , 김광준
IPC分类号： G02F1/1333 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , Y10T428/265
摘要： 본발명은플렉시블정보표시소자제조용지지기판에있어서, 상기지지기판상에두께가 0.1nm 내지 1000nm이고상기지지기판과반데르발스결합을하는물질로형성된임시점착/탈착층을구비하는것을특징으로하는플렉시블전자장치제조용지지기판및 이지지기판의제조방법, 이지지기판을사용하여플렉시블정보표시소자를제조하는방법및 이에의하여제조된플렉시블정보표시소자를제공함으로써, 플렉시블평판정보표시소자의장치투자비의절감및 수율향상에의하여가격경쟁력을제고시키고, 고해상도의디스플레이소자를경제적으로제조하는것이가능한방법을제공한다.

3. 发明公开

KR1020150034829A 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 이를 이용하여 제조된 플렉시블 정보 표시 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：使用临时粘结/剥离层的支撑基板，其方法，使用其制造柔性信息显示装置的方法以及通过该方法结合的柔性信息显示装置
公开(公告)号：KR1020150034829A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130104536
申请日：2013-08-30
申请人： 주식회사 엔씰텍 , 이근수 , 노재상
发明人： 노재상 , 이근수 , 김용석 , 홍원의 , 장인구 , 양승열 , 전진남 , 김광준
IPC分类号： G09F9/00
CPC分类号： H01L27/1218 , B32B38/0008 , B32B2037/246 , B32B2037/268 , B32B2310/0881 , B32B2457/20 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , Y10T428/24355 , G09F9/00 , G02F1/167
摘要： 본발명은플렉시블정보표시소자제조용지지기판에있어서, 상기지지기판상에형성된다수의미세돌기가형성된코팅층및 상기코팅층상에형성되고상기지지기판과반데르발스결합하는임시점착/탈착층을포함하는것을특징으로하는플렉시블정보표시소자용지지기판, 이의제조방법, 이를사용하여플렉시블정보표시소자를제조하는방법및 플렉시블정보표시소자를제공함으로써, 플렉시블평판정보표시소자의장치투자비의절감및 수율향상에의하여가격경쟁력을제고시키고, 고해상도의디스플레이소자를경제적으로제조하는것이가능한방법을제공한다.
摘要翻译：提供了使用柔性信息显示装置的支持基板及其制造方法，通过该方法制造的柔性信息显示装置及其制造方法。在使用柔性信息显示装置的支撑基板中，支撑基板包括具有形成在支撑基板上的微型突起的涂层和形成在涂层上并与载体底板组合的临时粘合/分离层的涂层德华力量本发明降低了柔性信息显示装置的设备的投资成本，提高了产量，从而提高了价格竞争力，并且经济地制造了高分辨率的显示装置。

4. 外观设计

KR3005566580000S 失效
公开(公告)号：KR3005566580000S
公开(公告)日：2010-03-26
申请号：KR3020090014742
申请日：2009-04-08
申请人： 노재상
设计人： 노재상

5. 发明公开

KR1020060050352A 도전층을 이용한 실리콘 박막의 어닐링 방법 및 그로부터제조된 다결정 실리콘 박막 有权
标题翻译：使用导电层和制备的多晶硅薄膜退火硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020060050352A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050073076
申请日：2005-08-10
申请人： 노재상
发明人： 노재상 , 홍원의
IPC分类号： H01L21/324 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L21/324 , H01L27/1281
摘要： The present invention provides a method of annealing silicon thin film, which comprises providing a conductive layer underneath a silicon thin film, applying an electric field to the conductive layer to induce Joule heating and thereby to generate intense heat, and carrying out crystallization, elimination of crystal lattice defects, dopant activation, thermal oxidation and the like, of the silicon thin film; and a polycrystalline silicon thin film having high quality prepared by the method. The annealing method of the invention provides a polycrystalline silicon thin film which has virtually no crystal lattice defects, which is completely free from contamination by catalyst metal appearing in polycrystalline silicon thin films produced by crystallization methods such as MIC and MILC, and at the same time, is not accompanied by surface protrusions appearing in polycrystalline silicon thin films produced by ELC, while not incurring thermal deformation of glass substrate.

6. 发明授权

KR100543717B1 실리콘 박막의 어닐링 방법 및 그로부터 제조된 다결정실리콘 박막 失效
标题翻译：退火硅薄膜和多晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR100543717B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020040037952
申请日：2004-05-27
申请人： 노재상
发明人： 노재상 , 홍원의
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/326 , H01L27/1285 , H01L29/6675 , H01L29/78618
摘要： 본 발명은, 절연층과 실리콘 박막이 순차적으로 형성되어 있는 기판에 있어서, 공정 중에 상기 기판이 변형되지 않는 온도범위에서 상기 실리콘 박막을 가열(예열)하여 그것의 내부에 진성 캐리어를 생성함으로써 주울 가열이 가능한 저항값으로 낮춘 후, 상기 예열처리된 실리콘 박막에 전계를 인가하여 상기 캐리어의 이동에 의한 주울 가열을 행하는 것을 포함하는 것으로 구성되어 있는 실리콘 박막의 어닐링 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 예열처리 조건에 따라 비정질 실리콘 박막, 비정질/다결정 실리콘 혼합상 박막, 또는 다결정 실리콘 박막에만 선택적인 주울 가열을 유발하여, 기판이 손상되지 않으면서 매우 짧은 시간 내에 결정화, 결정격자 결함 치유 그리고 결정 성장을 행하여 양질의 다결정 실리콘 박막을 제조할 수 있으며, 저렴한 장비를 이용하여 간단한 공정에 의해 다량의 대면적의 기판을 처리할 수 있다.

7. 发明公开

KR1019980023064A 핵생성 억제층을 포함하는 실리콘 박막의 고상결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막의 제조방법 失效
标题翻译：通过含有成核抑制层的硅薄膜的固相结晶制造多晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR1019980023064A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019960042476
申请日：1996-09-25
申请人： 노재상
发明人： 노재상 , 황의훈
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 기판 위에, 비정질 실리콘박막과는 구분되는 핵생성 억제층을 적층하고, 상기 핵생성 억제층 위에 비정질 실리콘막을 적층한 후 이것을 500℃ 이상에서 열처리하는 것으로 이루어지는, 조대한 다결정 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해서 4㎛ 이상의 조대한 결정립으로 이루어지는 다결정 실리콘 박막을 제조할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020140106844A 산화 그래핀 또는 환원된 산화 그래핀으로 이루어진 박편층을 포함하는 봉지막 및 그의 형성 방법 无效
标题翻译：包含氧化烯或减少氧化石墨的薄层的包封膜及其形成方法
公开(公告)号：KR1020140106844A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130020975
申请日：2013-02-27
申请人： 노재상 , 이근수
发明人： 김용석 , 전진남 , 김광준 , 노재상 , 이근수
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/04 , B32B27/06 , H01L23/29
CPC分类号： H01L51/448 , H01L51/0045 , H01L51/5256 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24802 , Y10T428/269 , Y10T428/298 , Y10T428/31504
摘要： The present invention relates to an encapsulation film comprising a thin layer composed of graphene oxide or reduced graphene oxide and a forming method thereof and, more specifically, to an encapsulation film of which equal to or more than one double layer comprising a thin layer composed of graphene oxide or reduced graphene oxide and a polymer organic layer is stacked, and to a forming method thereof. An encapsulation film according to the present invention has excellent blocking properties against oxygen and moisture, can sharply restrain oxygen and moisture diffusion in the direction parallel to the encapsulation film by minimizing the thickness of the polymer organic layer formed between thin layers, and has an effect of matching coating on concave and convex pattern because ductile fracture of graphene oxide or reduced graphene oxide is high. Also, the method for preparing an encapsulation film provided in the present invention has an effect in greatly reducing preparing costs by reducing raw material costs of device elements and innovatively ameliorating processing yield.
摘要翻译：本发明涉及一种包括由氧化石墨烯或氧化还原型石墨烯构成的薄层及其形成方法的封装膜，更具体地说，涉及一种包含一层双层的包层，该双层包括由氧化石墨烯或氧化还原石墨烯和聚合物有机层被堆叠，并且涉及其形成方法。根据本发明的包封膜具有优异的抗氧气和湿气的阻隔性能，可以通过使形成在薄层之间的聚合物有机层的厚度最小化来大大地抑制在与包封膜平行的方向上的氧气和水分的扩散，并具有效果由于氧化石墨烯或氧化还原型石墨烯的延性断裂高，因此在凹凸图案上匹配涂层。此外，本发明中提供的封装膜的制备方法通过降低元件元件的原材料成本和创造性地改善加工产率而具有大大降低制备成本的效果。

9. 发明授权

KR100729942B1 도전층을 이용한 실리콘 박막의 어닐링 방법 및 그로부터제조된 다결정 실리콘 박막 有权
标题翻译：使用导电层退火硅薄膜的方法和从其制备的多晶硅薄膜
公开(公告)号：KR100729942B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050073076
申请日：2005-08-10
申请人： 노재상
发明人： 노재상 , 홍원의
IPC分类号： H01L21/324 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L21/324 , H01L27/1281
摘要： 본 발명은 실리콘 박막 하부에 도전층을 개재하고, 상기 도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열에 의해, 상기 실리콘 박막의 결정화, 결정격자 결함 치유, 도펀트의 활성화, 열산화 공정 등을 행하는 실리콘 박막의 어닐링 방법과, 그러한 방법으로 제조된 양질의 다결정 실리콘 박막을 제공하는 것이다.
본 발명의 어닐링 방법은, 유리기판의 열변형을 유발하지 않고, 결정격자 결함이 거의 존재하지 않으며, MIC 및 MILC 등의 결정화 방법에 의하여 제조된 다결정 실리콘 박막에서 나타나는 촉매 금속의 오염으로부터 완전히 자유로우며, 동시에 ELC 방법에 의하여 제조된 다결정 실리콘 박막에서 나타나는 표면 돌출 현상을 수반하지 않는 다결정 실리콘 박막을 제공한다.

10. 发明授权

KR100713218B1 주울 가열에 의한 급속 열처리 시 아크 발생을 방지하는방법 有权
标题翻译：通过焦耳加热快速退火预防电弧产生的能力方法
公开(公告)号：KR100713218B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050062186
申请日：2005-07-11
申请人： 노재상
发明人： 노재상 , 홍원의
IPC分类号： C21D1/00
摘要： 본 발명은 열처리를 요하는 재료, 절연층, 도전층의 혼합구조에서 상기 도전층에 전계를 인가하여 주울 가열에 의해 순간적으로 발생한 고열로 상기 열처리를 요하는 재료를 급속 열처리할 때, 상기 열처리를 요하는 재료와 도전층의 전위차가 상기 절연층의 절연 파괴 전압보다 낮도록 설정함으로써 열처리 중 절연층의 절연 파괴로 인한 아크(Arc) 발생을 방지하는 것으로 구성되어 있는 급속 열처리 방법을 제공한다.

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