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    • 8. 发明公开
    • 산화텅스텐 또는 텅스텐을 포함하는 하드 마스크를 식각 마스크로 이용하는 반도체 소자의 제조방법
    • 使用含有氧化钨或含钨硬片作为蚀刻掩模的半导体器件制造方法
    • KR1020150123194A
    • 2015-11-03
    • KR1020150058266
    • 2015-04-24
    • 이근수
    • 이근수김민수김하림임민혁
    • H01L21/033H01L21/3105H01L21/027H01L21/324
    • 반도체기판상에피식각막을형성하는단계; 상기피식각막상에상기피식각막의일부를노출하는폴리머를포함하는산화텅스텐을포함하는하드마스크패턴을형성하는단계; 및상기산화텅스텐을포함하는하드마스크패턴을식각마스크로이용하여상기피식각막을식각하여피식각막패턴을형성하는단계를포함하는반도체소자의제조방법이제공된다. 본발명에따른반도체소자의제조방법에따르면, 하드마스크를사용하여피식각막을식각하는공정을실행하는데 있어서굽음및 비틀림현상을효율적으로억제할수 있다. 특히, 본발명에따라형성한하드마스크는예를들면실리콘산화물막대비식각내성이매우우수하고비정질텅스텐질로인한박막의표면특성이뛰어나패턴프로파일이우수하여미세패터닝이요구되는공정에서높은종횡비를갖는패턴을형성할수 있다. 따라서, 본발명에따라형성한하드마스크를이용하여식각공정을실행하면콘택홀의단면프로파일에있어서상부와저부의선폭차이가거의없이대략수직인측벽을얻을수 있다.
    • 本发明涉及半导体元件的制造方法。 该方法包括在半导体衬底上形成待蚀刻的膜的步骤; 在膜上形成硬质掩模图案的步骤,包括含有暴露一部分膜的聚合物的氧化钨; 以及通过使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻该膜来形成膜图案的步骤。 根据本发明,制造半导体元件的方法能够有效地抑制通过使用硬掩模蚀刻薄膜的处理时的曲线和扭曲现象。 更具体地,根据本发明,与氧化硅膜相比,硬掩模具有优异的耐蚀刻性,并且具有非晶态钨的表面特性以具有优异的图案轮廓,因此具有高纵横比的图案 在需要微小图案化的工艺中形成。 因此,如果通过使用硬掩模执行蚀刻处理,则接触孔的表面轮廓的上部和下部之间的线宽差异非常小,因此获得几乎垂直的侧壁。