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81. 发明授权

KR101770877B1 실리콘 관통 비아를 사용한 집적 회로 구조물 有权
标题翻译：采用硅通孔的集成电路结构
公开(公告)号：KR101770877B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020137033346
申请日：2012-01-16
申请人： 자일링크스 인코포레이티드
发明人： 라흐만아리푸르
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/07 , H01L23/522
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L25/0652 , H01L25/072 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06572 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/00012
摘要： 집적회로(IC) 구조물에서, 회로의물리적레이아웃과관련하여실리콘관통비아(TSV)를배치하는것이기술되어있다. IC 구조물은복수의제1 회로요소(D1, G1, 및 S; 702, 706, 710, 및 714; 또는 702, 706, 704, 및 708); 복수의제2 회로요소(D2, G2, 및 S; 704, 708, 712, 및 716; 또는 710, 714, 712, 및 716); 복수의제1 TSV(410 및 510; 605 내지 620; 또는 720 내지 734); 및복수의제2 TSV(415 및 505; 625 내지 640; 또는 736 내지 750)를포함할수 있다. 제1 및제2 회로요소와제1 및제2 TSV는함께회로블록구성을구성한다. 회로블록구성은적어도하나의대칭축에대해대칭이다. 제1 TSV들중 적어도하나는더미 TSV(dummy TSV)이며, 이더미 TSV가없으면회로블록구성이대칭으로되지않을것이다.
摘要翻译：在集成电路（IC）结构中，描述了与电路的物理布局有关的硅通孔（TSV）的布置。 IC结构包括多个第一电路元件（D1，G1和S; 702,706,710和714;或702,706,704和708）;以及第二电路元件多个第二电路元件D2，G2和S; 704,708,712和716或710,714,712和716; 多个第一TSV 410和510（605至620;或720至734）; 以及多个第二TSV 415和505（625至640;或736至750）。第一和第二电路元件以及第一和第二TSV一起形成电路块配置。电路块配置关于至少一个对称轴是对称的。至少一个第一TSV是伪TSV，并且如果不存在伪TSV，则电路模块配置将不对称。

82. 发明公开

KR1020170057138A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170057138A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160148657
申请日：2016-11-09
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 가도구치다쿠야 , 다케나오야
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/27 , B23K35/00 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/27334 , H01L2224/27436 , H01L2224/27849 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29347 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3651 , H01L2924/01015 , H01L2924/00014
摘要： 제1 부재(10)와상기제1 부재에접합된제2 부재(20)를갖는반도체장치(50)의제조방법이며, a) Cu를 0.9중량% 이상함유하는제1 Sn-Cu계땜납(14)을, 상기제1 부재에형성된 Ni막(12) 상에서용융시켜, 상기제1 부재의상기 Ni막상에 (Cu,Ni)Sn를생성시키는것과, b) Cu를 0.9중량% 이상함유하는제2 Sn-Cu계땜납(22)을, 상기제2 부재에형성된 Ni막(24) 상에서용융시켜, 상기제2 부재의상기 Ni막상에 (Cu,Ni)Sn를생성시키는것과, c) 스텝 a) 후의상기제1 Sn-Cu계땜납과, 스텝 b) 후의상기제2 Sn-Cu계땜납을용융시켜일체화하여, 상기제1 부재와상기제2 부재를서로접합하는것을포함한다.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有结合到基体构件的第一构件和第二构件，所述方法包括以下步骤：a）形成第一Sn- ）在形成于第一构件上的Ni膜（12）上，在第一构件的Ni膜上产生（Cu，Ni）Sn，以及b）形成第二Sn 通过在形成于第二构件上的Ni膜24上熔化Cu基焊料22，在第二构件的Ni膜上形成（Cu，Ni）Sn，以及c）在步骤（b）之后熔化第一Sn-Cu基焊料和第二Sn-Cu基焊料并将它们结合以将第一构件和第二构件彼此结合。

83. 发明授权

KR101691707B1 스위칭소자 유닛 有权
标题翻译：开关元件单元
公开(公告)号：KR101691707B1
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020147014786
申请日：2013-01-29
申请人： 아이신에이더블류 가부시키가이샤
发明人： 도타니히로히사
IPC分类号： H01L25/00 , H02M7/00 , H03K17/00
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L23/642 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L27/0629 , H01L2224/32225 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H02M1/126 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 평활커패시터의외면에형성된소자배치면이, 평활커패시터의전극들사이에개재하는유전체부와일체적으로형성되어있고, 평활커패시터의단자에전기적으로접속되는전극인커패시터접속전극이, 소자배치면에형성되어있다. 스위칭소자는, 상기스위칭소자의단자가커패시터접속전극에전기적으로접속된상태로, 소자배치면(S1)에배치되어있다.
摘要翻译：一种开关元件单元，包括开关元件和平滑电容器，其抑制要提供给开关元件的DC电压的变化。元件安装表面可以形成在平滑电容器的外表面中，并且可以与介于平滑电容器的电极之间的电介质部分一体地形成。作为电极的电容器连接电极可以电连接到形成在元件安装表面上的平滑电容器的端子，并且开关元件被放置在元件安装表面上，使得开关元件的端子电连接到电容器连接电极。

84. 发明公开

KR1020160148586A 고전류 스위치 审中-实审
标题翻译：高电流开关
公开(公告)号：KR1020160148586A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020167031899
申请日：2015-04-04
申请人： 엘렌베르거 앤드 포엔스겐 게엠베하
发明人： 울러만,볼프강 , 맥클러,페터 , 엥어발트,마누엘 , 슈바르츠,마티아스 , 슈나이더,에발트 , 미클리스,마르쿠스
IPC分类号： H05K1/02 , F02N11/08 , H01L25/07 , H02M7/00 , H05K3/34
CPC分类号： H05K1/0263 , F02N11/087 , F02N2011/0874 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H02M7/00 , H05K3/3421 , H05K2201/0382 , H05K2201/09054 , H05K2201/09063 , H05K2201/10166 , H05K2201/10272 , H05K2201/10553 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399
摘要： 본발명은특히자동차의고전류스위치(2)에관한것이며, 상기고전류스위치는제 1 버스바(bus bar)(4), 제 2 버스바(6) 및제 1 반도체스위치(16)를구비하고, 상기제 1 반도체스위치는제어접속부(26), 제 1 전달접속부(20) 및제 2 전달접속부(22)를포함한다. 상기제 1 전달접속부(20)는상기제 1 버스바(4)에직접전기적으로접촉하고, 그리고상기제 2 전달접속부(22)는상기제 2 버스바(6)에직접전기적으로접촉한다.
摘要翻译：除了具有控制连接和第一传输连接以及第二传输连接的第一半导体开关之外，具有第一母线，第二母线的大电流开关，特别是用于机动车辆的高电流开关。第一传输连接被放置成与第一母线直接接触，并且第二传输连接被放置成与第二母线直接电接触。

85. 发明授权

KR101688350B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101688350B1
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020157012721
申请日：2012-11-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마츠모토다카유키 , 오니시히로타카 , 고가마스오
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/48 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3735 , H01L23/49894 , H01L23/5386 , H01L23/544 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83132 , H01L2224/8513 , H01L2224/85132 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/20656 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 절연기판(1)의배선패턴(2) 상에땜납부(4)와 Ni 도금마크(5)를도금에의해동시에형성한다. 절연기판(1) 상에반도체칩(6)을실장한다. Ni 도금마크(5)에의해절연기판(1)의위치를인식하여반도체칩(6)에와이어(7)를본딩한다. 땜납부(4)에전극(8)을땜납(9)에의해접합한다. 절연기판(1), 반도체칩(6), 와이어(7), 및전극(8)을밀봉재(13)에의해밀봉한다.
摘要翻译：通过电镀在绝缘基板（1）的布线图案（2）上同时形成焊接部分（4）和镀镍标记（5）。半导体芯片（6）安装在绝缘基板（1）上。通过Ni电镀标记（5）识别绝缘基板（1）的位置，并且将线（7）接合到半导体芯片（6）。电极（8）通过焊料（9）与焊接部分（4）接合。绝缘基板（1），半导体芯片（6），导线（7）和电极（8）被封装在封装材料（13）中。

86. 发明公开

KR1020160121427A 전력 전자 부품과 DC 전압 버스바를 구비하는 장치 审中-实审
标题翻译： DC布置具有电力电子部件和直流电压母线
公开(公告)号：KR1020160121427A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020160042246
申请日：2016-04-06
申请人： 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
发明人： 롤란트비트네르
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/047 , H01L23/00 , H01L25/07
CPC分类号： H01R25/162 , H01R4/36 , H01R13/621 , H01R2201/26 , H02G5/02 , H01L23/48 , H01L23/047 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107
摘要： 본발명에따른장치는 DC 전압버스바와전력부품을구비하고, 상기전력부품은, 납작하고각각접촉부를가지는제1 및제2 DC 전압접속단자를구비하고, 상기 DC 전압접속단자는각 접촉부로의경로에제1 폭과제1 단면적을가지며이 경로에서각 직교벡터의방향으로서로매우근접하게배치되며, 상기 DC 전압접속단자는각 접촉부에서전류흐름방향의외측으로클램핑부를가지고, 상기전압버스바는각각접촉부를가지는제1 및제2 부분버스바를구비하고, 상기부분버스바는각각의접촉부로의경로에서제1 폭과제1 단면적을가지며이 경로에서각 직교벡터방향으로서로매우근접하게배치되며, 상기부분버스바는각 접촉부에서전류흐름방향의외측으로클램핑부를가진다. 본발명에따르면, 상기 DC 전압접속단자중에서적어도하나의접촉부는상기부분버스바의클램핑부에연결되는상기 DC 전압접속단자의클램핑부를통해대응부분버스바의접촉부에극성을맞춰전기적으로연결되는데, 연결수단에의한평평한강제맞춤방식으로서로겹쳐지며, 각접촉부는대응하는접촉면에서서로직접적으로평평하게위치한다.
摘要翻译：具有直流电压母线和功率部件的装置。功率部件具有两个扁平的直流电压连接导体，每个具有接触部分并彼此紧密相邻地布置。每个连接导体在电流方向上具有在相应的接触部分旁边的夹紧部分。母线具有两个部分母线，每个母线具有接触部分并彼此靠近地布置。每个部分母线在电流方向上具有在相应的接触部分旁边的夹紧部分。至少一个连接导体的接触部分通过将连接导体的夹紧部分以彼此相互平坦且强力配合的方式连接到部分母线的夹紧部分而电连接到相关部分母线的接触部分，因此，相应的接触部分彼此直接平坦地放置。

87. 发明公开

KR1020160110011A 반도체 장치 및 반도체 패키지 无效
标题翻译：半导体器件和半导体封装
公开(公告)号：KR1020160110011A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150101048
申请日：2015-07-16
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 아카이케야스히코 , 고바야시겐야 , 니시카와유키에
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0635 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/4824 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L27/0814 , H01L27/0823 , H01L27/088 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H01L2224/03 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 본발명의실시형태는, 소형화를가능하게하는반도체장치및 반도체패키지를제공한다. 실시형태에따른반도체장치는, 제1 도전형의제1 반도체영역과, 제2 도전형의제2 반도체영역과, 제1 전극과, 제2 도전형의제3 반도체영역과, 제1 도전형의제4 반도체영역과, 도전부를갖는다. 제2 반도체영역은제1 반도체영역상에형성되어있다. 제1 전극은제2 반도체영역상에설치되어있다. 제3 반도체영역은제1 전극상에형성되어있다. 제4 반도체영역은제3 반도체영역상에형성되어있다. 도전부는, 제3 반도체영역에절연부를개재하여둘러싸이고제1 전극과전기적으로접속되어있다.
摘要翻译：根据本发明，提供能够实现小型化的半导体装置和半导体封装。半导体装置包括：第一导电类型的第一半导体区域; 第二导电类型的第二半导体区域; 第一电极; 第二导电类型的第三半导体区域; 第一导电类型的第四半导体区域; 和导电部分。第二半导体区域形成在第一半导体区域上。第一电极安装在第二半导体区域上。第三半导体区域形成在第一电极上。第四半导体区域形成在第三半导体区域上。通过将绝缘部分插入第三半导体区域并与第一电极电连接来包围导电部分。

88. 发明授权

KR101648365B1 내장형 칩 제조 방법 有权
标题翻译：用于制作嵌入式晶片的方法
公开(公告)号：KR101648365B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020140129898
申请日：2014-09-29
申请人： 주하이 어드밴스드 칩 캐리어스 앤드 일렉트로닉 서브스트레이트 솔루션즈 테크놀러지즈 컴퍼니 리미티드
发明人： 허위츠디러 , 알렉스후앙
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/00 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/042 , H01L25/0652 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L25/0753 , H01L2224/04105 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： 내장형다이패키지제조방법은: 각각의소켓주위의프레임워크를통과하는적어도하나의비아포스트와제1 폴리머의폴리머매트릭스를구비한상기프레임워크에의해, 각각의칩 소켓이둘러싸이도록칩 소켓의벌집형어레이를획득하는단계; 상기벌집형어레이의이면이투명테이프와접촉하도록상기투명테이프상에상기벌집형어레이를배치하는단계; 상기다이의이면이상기투명테이프와접촉하도록각각의칩 소켓에칩 단자를페이스다운식(플립칩)으로위치설정하는단계; 상기칩들을상기비아포스트와정렬시키기위해상기테이프를통과하는광학이미징을이용하는단계; 상기벌집형어레이내의상기칩들위와상기칩들주위로패키징재료를도포하고, 5개의측면상에상기칩들을내장시키기위해충전물을경화시키는단계; 상기어레이의상부측에상기비아의상부끝단을노출시키도록상기패키징재료를박층화및 평탄화시키는단계; 상기투명테이프를제거하는단계; 각각의다이의적어도하나의단자를적어도하나의관통비아에결합시키도록도전체의피처층을상기벌집형어레이의상기이면과상기칩들의상기이면상에도포하는단계; 적어도하나의도전체가적어도부분적으로각각의칩 위로관통비아로부터뻗어있도록도전체의피처층을상기벌집형어레이의측면위로도포하는단계; 상기칩에인접한관통비아에결합된체결패드를구비한적어도하나의내장형칩을포함하는개별다이들을생성하도록상기어레이를다이싱하는단계;를포함한다.
摘要翻译：一种制造嵌入式管芯封装的方法，包括以下步骤：获得芯片插座的蜂窝阵列，使得每个芯片插座由具有第一聚合物的聚合物基体的框架和穿过框架围绕每个插座的至少一个通孔支架围绕; 将蜂窝状阵列放置在透明胶带上，使得蜂巢梳状阵列的下侧接触透明带; 将芯片端子放置在每个芯片插座中，使芯片的下侧与透明胶带接触; 使用通过胶带的光学成像将芯片与通孔柱对准; 将包装材料涂覆在蜂窝状阵列上的芯片周围，并固化填料以将芯片嵌入五面; 使包装材料变薄并平坦化，以暴露阵列上侧通孔的上端; 去除透明胶带; 在蜂窝阵列的下侧和芯片的下侧上施加导体的特征层，以将每个管芯的至少一个端子耦合到至少一个通孔; 在所述蜂窝状阵列的上侧上施加导体的特征层，使得至少一个导体至少在每个芯片的中途从通孔延伸; 对所述阵列进行切割以形成分开的裸片，其包括至少一个嵌入式芯片，所述至少一个嵌入式芯片具有耦合到与所述芯片相邻的

89. 发明公开

KR1020160050282A 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：双侧冷却功率模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160050282A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148115
申请日：2014-10-29
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 전우용
IPC分类号： H05K7/20 , H02M7/42
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L23/043 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L23/4924 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5385 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83487 , H01L2224/83801 , H01L2924/01029 , H01L2924/1203 , H01L2924/15151 , H01L2924/15159 , H01L2924/15787 , H05K7/20845 , H01L23/48 , H01L25/065 , H02M7/42 , H05K7/2089 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 본발명의일실시예에따른양면냉각파워모듈은, 하단터미널; 상기하단터미널상에마운팅되는적어도한 쌍의전력반도체칩; 상기적어도한 쌍의전력반도체칩 상에마운팅되는적어도한 쌍의가로스페이서; 상기적어도한 쌍의가로스페이서상에마운팅되는상단터미널; 및상기상단터미널과하단터미널사이에배치되는적어도한 쌍의세로스페이서;를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，双面冷却功率模块包括：下端子; 至少一对安装在下端子上的功率半导体芯片; 至少一对安装在一对功率半导体芯片上的水平间隔物; 安装在一对水平间隔件上的上端子; 以及放置在上端子和下端子之间的至少一对垂直间隔件。

90. 发明公开

KR1020160041991A 반도체 모듈 및 인버터 장치 审中-实审
标题翻译：半导体模块和逆变器器件
公开(公告)号：KR1020160041991A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020167005865
申请日：2014-07-31
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야마다다카유키 , 벳시노리유키
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225
摘要： 본발명은, 세라믹회로기판(30)을땜납등의접합층(5)을사이에두고히트싱크(10a)에접합할때에발생하는휨을교정할때에접합층(5)에가해지는변형집중을완화할수 있고, 신뢰성보증기간이길어지는파워반도체모듈을얻는것을목적으로한다. 본발명과관련되는반도체모듈(100)에있어서는, 히트싱크(10a)는, 볼록한평면(15)이접합층(5)과의접합면적보다작은면적을갖는볼록형상부(11)와, 볼록형상부(11)의단부에마련되고, 대응하는부분의히트싱크(10a)의두께가볼록형상부(11)에대응하는부분의히트싱크(10a)의두께보다얇은제 1 단차부(12)와, 제 1 단차부(12)의단부에마련되고, 대응하는부분의히트싱크(10a)의두께가제 1 단차부(12)에대응하는부분보다더 얇은제 2 단차부(13)를갖고, 접합층이, 히트싱크의볼록형상부(11) 및제 1 단차부(12)에서접합한다.

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